咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 1,571 篇 期刊文献
  • 394 篇 学位论文
  • 35 篇 会议

馆藏范围

  • 2,000 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1,744 篇 工学
    • 1,039 篇 材料科学与工程(可...
    • 414 篇 电气工程
    • 319 篇 电子科学与技术(可...
    • 74 篇 动力工程及工程热...
    • 62 篇 光学工程
    • 50 篇 化学工程与技术
    • 46 篇 机械工程
    • 40 篇 计算机科学与技术...
    • 34 篇 信息与通信工程
    • 15 篇 控制科学与工程
    • 15 篇 核科学与技术
    • 14 篇 仪器科学与技术
    • 10 篇 土木工程
    • 7 篇 力学(可授工学、理...
    • 7 篇 冶金工程
    • 7 篇 交通运输工程
    • 7 篇 环境科学与工程(可...
    • 4 篇 轻工技术与工程
    • 4 篇 航空宇航科学与技...
    • 4 篇 安全科学与工程
  • 148 篇 理学
    • 92 篇 物理学
    • 28 篇 化学
    • 28 篇 天文学
    • 7 篇 数学
    • 4 篇 地质学
    • 3 篇 大气科学
  • 31 篇 经济学
    • 31 篇 应用经济学
  • 16 篇 教育学
  • 11 篇 医学
    • 4 篇 临床医学
  • 4 篇 管理学
  • 3 篇 文学
  • 1 篇 法学
  • 1 篇 历史学
  • 1 篇 农学

主题

  • 2,000 篇 击穿电压
  • 136 篇 导通电阻
  • 125 篇 比导通电阻
  • 84 篇 ldmos
  • 77 篇 变压器油
  • 45 篇 电场分布
  • 43 篇 场板
  • 42 篇 soi
  • 41 篇 液体绝缘材料
  • 41 篇 功率器件
  • 36 篇 晶体管
  • 35 篇 氮化镓
  • 34 篇 mosfet
  • 34 篇 阈值电压
  • 33 篇 场限环
  • 32 篇 vdmos
  • 31 篇 碳化硅
  • 31 篇 4h-sic
  • 30 篇 超结
  • 30 篇 绝缘油

机构

  • 189 篇 电子科技大学
  • 102 篇 西安电子科技大学
  • 54 篇 西南交通大学
  • 48 篇 东南大学
  • 48 篇 西安交通大学
  • 36 篇 南京邮电大学
  • 30 篇 重庆大学
  • 28 篇 清华大学
  • 24 篇 华北电力大学
  • 24 篇 杭州电子科技大学
  • 23 篇 武汉大学
  • 18 篇 浙江大学
  • 18 篇 北京工业大学
  • 17 篇 桂林电子科技大学
  • 16 篇 哈尔滨工程大学
  • 16 篇 天津大学
  • 16 篇 中国电子科技集团...
  • 16 篇 河北工业大学
  • 15 篇 华中科技大学
  • 14 篇 沈阳工业大学

作者

  • 47 篇 张波
  • 43 篇 李肇基
  • 23 篇 冯全源
  • 22 篇 段宝兴
  • 19 篇 孙伟锋
  • 18 篇 郭宇锋
  • 16 篇 李琦
  • 13 篇 杨银堂
  • 11 篇 乔明
  • 11 篇 罗小蓉
  • 10 篇 阮江军
  • 10 篇 郝跃
  • 10 篇 高玉民
  • 9 篇 王健
  • 9 篇 陈晓培
  • 8 篇 石艳梅
  • 8 篇 陈裕权
  • 8 篇 方健
  • 8 篇 陈星弼
  • 8 篇 何进

语言

  • 1,991 篇 中文
  • 9 篇 英文
检索条件"主题词=击穿电压"
2000 条 记 录,以下是51-60 订阅
排序:
具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析
收藏 引用
物理学报 2017年 第16期66卷 239-245页
作者: 郭海君 段宝兴 袁嵩 谢慎隆 杨银堂 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型Al GaN/GaN HEMTs器件结构.新型结构通过在Al GaN势垒层顶部、栅电极到漏... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
高可靠GaN内匹配功率器件降额研究
收藏 引用
半导体技术 2022年 第7期47卷 518-523页
作者: 吴家锋 赵夕彬 徐守利 陈鹏 银军 默江辉 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄050051
基于功率放大器的动态负载线理论,参照Si和GaAs功率器件的降额准则,总结工程应用经验得到了GaN功率器件不同等级的电压降额系数,即I级、II级、III级降额时击穿电压应分别大于工作电压的3.14倍、2.75倍、2.44倍。通过GaN功率器件可靠性... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
极端环境对高速动车组受电弓弓角放电电压影响的试验研究
收藏 引用
铁道标准设计 2022年 第1期66卷 145-150页
作者: 景所立 张作钦 杨林 赵立江 杨泽锋 中车青岛四方机车车辆股份有限公司 青岛266111 西南交通大学电气工程学院 成都611756
受极端气候条件的影响,高速动车组受电弓弓角易发生对车顶闪络、放电等现象,给列车安全运营造成巨大威胁,为给受电弓弓角选型及优化方案提供理论指导与依据,有必要对弓角在各环境条件下的放电影响因素及变化规律进行探究。通过搭建1∶1... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
淋雨对短空气间隙操作冲击放电影响的实验研究
收藏 引用
电网技术 2019年 第3期43卷 1092-1098页
作者: 王胜辉 邓畅宇 王新宇 陈维江 杨广华 王华倩 律方成 刘云鹏 周军 丁玉剑 华北电力大学电气与电子工程学院 北京市昌平区102206 中国电力科学研究院有限公司 北京市海淀区100192 国家电网有限公司 北京市西城区100031
为研究降雨条件下空气间隙的操作冲击放电特性,通过实验对比研究获得了干燥和淋雨条件下间隙距离为10~60 cm球-板、棒-板间隙正极性操作冲击放电曲线。研究表明淋雨造成球-板间隙正极性操作冲击击穿电压降低幅度大于棒-板间隙;雨量大... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
具有多段分裂栅的屏蔽栅沟槽型MOSFET特性研究
收藏 引用
电子元件与材料 2023年 第11期42卷 1324-1328页
作者: 李嘉楠 冯全源 陈晓培 西南交通大学微电子研究所 四川成都611756
为了能够有效调制屏蔽栅沟槽型(Shielded Gate Trench,SGT)MOSFET器件阻断状态下的电场分布,改善器件的电荷耦合效应,从而提高器件击穿电压(BV)和特征导通电阻(Ron,sp)之间的折衷关系,研究提出了一种具有多段分裂栅的SGT MOSFET结构。... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
电脉冲对烟煤官能团及甲烷吸附特性影响研究
收藏 引用
煤矿安全 2022年 第4期53卷 7-12页
作者: 闫发志 王一涵 周婧 杨永丹 彭守建 蒋长宝 太原理工大学安全与应急管理工程学院 山西太原030024 中国矿业大学安全工程学院 江苏徐州221008 重庆大学煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室 重庆400044
利用电脉冲致裂煤体增渗实验系统,对贵州轿子山煤矿烟煤进行电脉冲致裂实验,并结合工业分析、傅里叶红外光谱测试和等温吸附实验方法,研究了不同击穿电压条件下电脉冲致裂煤体的电流峰值、煤体官能团结构和吸附甲烷能力的演化规律。结... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
交直流复合电压下铜颗粒在油中的分布及对绝缘油击穿特性的影响
收藏 引用
电工技术学报 2018年 第23期33卷 5581-5590页
作者: 王有元 李熙 李原龙 蔚超 陆云才 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) 重庆400044 江苏省电力公司电力科学研究院 南京211103
为了研究交直流复合电压下固体颗粒在绝缘油中的运动分布特性及对油绝缘性能影响机理,对比分析了两种电极下,绝缘油中微米级铜颗粒在交流、直流及交直流复合电压1:1、1:3下的运动分布状态,测量了不同颗粒浓度绝缘油在四种电压类型下的... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
收藏 引用
物理学报 2017年 第7期66卷 382-388页
作者: 赵逸涵 段宝兴 袁嵩 吕建梅 杨银堂 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展
收藏 引用
半导体技术 2023年 第11期48卷 949-960页
作者: 杨帅强 刘英坤 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄050051
集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
特高压换流变压器绝缘油老化特性研究
收藏 引用
电压技术 2019年 第3期45卷 730-736页
作者: 刘昌 邵山峰 廖瑞金 杨丽君 成立 华南理工大学电力学院 广州510641 中国南方电网有限责任公司 广州510623 重庆大学电气工程学院 重庆400044
我国特高压设备的设计制造水平在国际上尚处于跟跑阶段,作为特高压工程的核心部件,特高压换流变压器的精益化设计对提高我国特高压装备水平意义重大。针对±1100kV特高压换流变压器设计过程中的基础问题,基于老化试验结果,对绝缘油的性... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论