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同轴圆柱SF_6气体间隙直流绝缘特性及其影响因素

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中国电机工程学报 2012年第34期32卷 181-188,26页

作者：冀肖彤汤浩李金忠国家电网公司北京市西城区100031 中国电力科学研究院北京市海淀区100192

同轴圆柱是直流SF6气体绝缘设备的基本结构,研制了不同间隙长度和不同气体压力下直流SF6气体绝缘特性基础研究平台,通过试验研究建立了长间隙同轴圆柱SF6间隙直流击穿电压计算模型,对影响间隙直流绝缘特性的表面粗糙度、金属导电微粒、... 详细信息

同轴圆柱是直流SF6气体绝缘设备的基本结构,研制了不同间隙长度和不同气体压力下直流SF6气体绝缘特性基础研究平台,通过试验研究建立了长间隙同轴圆柱SF6间隙直流击穿电压计算模型,对影响间隙直流绝缘特性的表面粗糙度、金属导电微粒、电极表面积大小进行了试验研究和分析。由与直流气体绝缘设备的电场不均匀系数和表面粗糙相似的电极得出的击穿电压计算模型,可为SF6气体间隙绝缘优化提供依据。

关键词：直流SF6气体绝缘设备同轴圆柱电极击穿模型表面粗糙度导电微粒

聚合物纳米复合电介质电热耦合分子断裂击穿特性与机理研究

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中国科学：技术科学 2024年第4期54卷 625-635页

作者：杨玲钰闵道敏武庆周于是乎李盛涛西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 中国工程物理研究院流体物理研究所绵阳621900 广东电网有限责任公司电力科学研究院广州510080

薄膜介电电容器是电力系统、新能源汽车及电磁能装备中广泛使用的高功率储能设备.但面对越来越高的工作温度,电介质的击穿强度急剧下降,导致电容器的储能密度大幅减小.为了明确电介质击穿特性和温度间的定量关系,本文制备了聚丙烯/氧化... 详细信息

薄膜介电电容器是电力系统、新能源汽车及电磁能装备中广泛使用的高功率储能设备.但面对越来越高的工作温度,电介质的击穿强度急剧下降,导致电容器的储能密度大幅减小.为了明确电介质击穿特性和温度间的定量关系,本文制备了聚丙烯/氧化铝和聚醚酰亚胺/氧化铝纳米复合电介质,研究其击穿强度的温度依赖性.结果表明,电介质的击穿场强随温度升高下降幅度增大,两者间为凸函数关系.但传统击穿模型均得到击穿强度与温度的变化为凹函数关系,与实验结果不符.本文建立了电热耦合分子断裂击穿模型,模型解析值与实验数据的最大误差仅为3.57%;从分子定向运动导致局部分子链相互作用强度下降的角度揭示了聚合物的击穿机理;纳米填料掺杂会导致复合电介质中的分子链受到束缚,界面区分子链间相互作用增强,并减少弱束缚分子链段,提升电介质的击穿场强及其温度稳定性.该研究为开发耐高温储能电容器提供了理论模型支持.

关键词：纳米复合电介质击穿模型温度依赖性分子断裂

三维压电/电磁介质的非线性断裂理论及数值方法研究

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三维压电/电磁介质的非线性断裂理论及数值方法研究

作者：郭正华郑州大学

学位级别：硕士

本文通过广义不连续位移边界积分方程方法,建立了三维压电／电磁介质横观各向同性面内圆片裂纹的非线性断裂模型,给出了三维压电／电磁介质非线性断裂的数值分析方法。主要工作如下： (1)应用广义不连续位移积分方程方法,建立三维压电... 详细信息

本文通过广义不连续位移边界积分方程方法,建立了三维压电／电磁介质横观各向同性面内圆片裂纹的非线性断裂模型,给出了三维压电／电磁介质非线性断裂的数值分析方法。主要工作如下： (1)应用广义不连续位移积分方程方法,建立三维压电极化饱和模型与电击穿模型两个非线性断裂模型。研究给出在均布广义载荷作用下两个模型的理论解析解,得到广义不连续位移、电塑性区的大小、广义应力强度因子和局部J-积分。研究了两种不同模型的差异和等价性。 (2)推导给出均布广义不连续作用下的环形裂纹单元的基本解;在此基础上,建立三维压电介质极化饱和模型与电击穿模型的广义不连续位移数值方法。 (3)基于电、磁两类物理量之间的相似关系,建立三维电磁介质非线性断裂的电磁极化饱和模型与电磁击穿模型,研究给出电磁塑性区大小、广义不连续位移、强度因子、局部J-积分等参量的解析解。研究了各种参量对电磁材料非线性断裂行为的影响,以及两种不同模型的差异和等价性。 (4)求解给出电磁介质内环形裂纹单元的广义不连续位移基本解,推广广义不连续位移方法,给出三维电磁介质非线性断裂的电磁极化饱和模型与电磁击穿模型分析的数值方法。

关键词：三维压电介质电磁材料圆片裂纹极化饱和模型击穿模型

同方学位论文库评论

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集成电路HPM损伤机理分析

现代应用物理 2023年第2期14卷 124-130页

作者：章勇华黄文华李平杨志强任伟涛朱占平西北核技术研究所西安710024

针对几种常用的数字和模拟集成电路,开展了高功率微波注入实验研究,获得了损伤阈值,分析了损伤阈值随高功率微波脉冲宽度的变化规律;通过失效分析,确定了高功率微波在集成电路微米量级的端间间隙处形成瞬态强电场,引起端间沿面击穿,并... 详细信息

针对几种常用的数字和模拟集成电路,开展了高功率微波注入实验研究,获得了损伤阈值,分析了损伤阈值随高功率微波脉冲宽度的变化规律;通过失效分析,确定了高功率微波在集成电路微米量级的端间间隙处形成瞬态强电场,引起端间沿面击穿,并形成自持放电产生等离子区,使击穿电路端间大面积过流烧毁,导致集成电路功能失效;结合大气击穿机理及理论模型计算结果,认为高功率微波引起介质表面空气击穿是其损伤电子系统的重要机理。

关键词：高功率微波损伤机理沿面击穿失效分析击穿模型脉冲宽度效应