检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

小型化冷阴极触发管的研究

真空电子技术 2024年第3期 85-90页

作者：田伟静史中正张欣王霄姜鹏吴平孙承革张明中国电子科技集团公司第十二研究所北京100015 空装驻北京地区第七军代表室北京100080

冷阴极触发管是电子引信系统中的关键器件,具有开关电流大、使用电压范围宽、温度范围宽、可靠性高、抗干扰性强等特点。针对电子引信系统小型化、集成化、低成本、高可靠发展的需要,本文开展小型化冷阴极触发管的研究,设计并制得样管... 详细信息

冷阴极触发管是电子引信系统中的关键器件,具有开关电流大、使用电压范围宽、温度范围宽、可靠性高、抗干扰性强等特点。针对电子引信系统小型化、集成化、低成本、高可靠发展的需要,本文开展小型化冷阴极触发管的研究,设计并制得样管。通过仿真,给出静电场分布情况。对样管进行电参数和可靠性能测试,结果表明,其工作电压范围为1.2~1.8 kV,且可通过对工作寿命、振动、高低温工作和贮存、冲击等可靠性试验考核,主要参数基本满足现代电子引信的使用需求。

关键词：引信冷阴极触发管低成本小型化

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

冷阴极高阻抗相对论速调管放大器的模拟研究

国防科技大学学报 2015年第2期37卷 19-23页

作者：朱丹妮张军钟辉煌戚祖敏国防科技大学光电科学与工程学院湖南长沙410073

采用粒子模拟软件,建立了冷阴极发射实心束的高阻抗相对论速调管放大器模型。该模型由1个带屏蔽环的二极管,5个简单药盒型谐振腔和1个锥形收集极构成。为了给具有高效率的高阻抗相对论速调管提供实心束,同时实现设备的简单化和紧凑化,... 详细信息

采用粒子模拟软件,建立了冷阴极发射实心束的高阻抗相对论速调管放大器模型。该模型由1个带屏蔽环的二极管,5个简单药盒型谐振腔和1个锥形收集极构成。为了给具有高效率的高阻抗相对论速调管提供实心束,同时实现设备的简单化和紧凑化,采用冷阴极取代传统的热电子枪,不仅易操作而且大大降低能耗和经费。在传统二极管阴极侧面引入屏蔽环,利用屏蔽极大地提高电子束阻抗,同时屏蔽环的位置和形状能明显降低非发射区的场强,并且有效改善阴极端面发射的均匀性。在束波互作用区,通过依次调节末前腔和输出腔的位置并结合导引磁场的大小对输出的微波进行优化,结果表明:在二极管发射电压525k V、电流328A的实心束及外加磁场0.35T的条件下,当注入功率为1k W时,在11.424GHz的中心频率处获得了功率81MW,效率47%,增益49d B的微波。

关键词：相对论速调管放大器高阻抗冷阴极粒子模拟

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究

物理学报 2007年第11期56卷 6616-6622页

作者：雷达曾乐勇夏玉学陈松梁静秋王维彪中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室长春130033

场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N^2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明... 详细信息

场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N^2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距.

关键词：纳米线冷阴极场增强因子场发射

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

冷阴极气体放电电子枪的研制

真空科学与技术学报 2021年第3期41卷 284-290页

作者：许海鹰桑兴华杨波彭勇范霁康中国航空制造技术研究院高能束流发生器实验室北京100024 南京理工大学材料科学与工程学院南京210094

为了促进冷阴极电子束加工技术在国内的发展,在深入研究冷阴极电子发射机理基础之上,设计制造了一种自主知识产权的冷阴极气体放电电子枪,对该电子枪的结构、阴极功能及其参数、阳极功能及其参数、CST仿真软件确定聚焦线圈参数的方法进... 详细信息

为了促进冷阴极电子束加工技术在国内的发展,在深入研究冷阴极电子发射机理基础之上,设计制造了一种自主知识产权的冷阴极气体放电电子枪,对该电子枪的结构、阴极功能及其参数、阳极功能及其参数、CST仿真软件确定聚焦线圈参数的方法进行了介绍。通过实验发现:每一种放电气体的最小"点火"电压与放电气体种类、气流量大小有关;氦、氩等纯惰性气体作为放电气体,长时间工作后会出现束流减小现象;给定加速电压及铝阴极表面的氧化膜存在条件下,输出束流随着气流量增大而增大;加速电压不变时,氦气中氧含量为1.2%~2.4%调整时,对束流输出影响不大。初步实验结果表明,所研制冷阴极气体放电电子枪采用氧含量2%左右的氦-氧混合气体作为放电气体,能够实现束流长期稳定输出,功率达到30 kW,最大束流达到1500 mA以上。

关键词：冷阴极电子束气体放电电子枪

多孔硅的微结构及其冷阴极的电子发射特性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

真空科学与技术学报 2012年第1期32卷 30-35页

作者：罗文胡文波郑宇宋忠孝吴汇炎西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室西安710049 西安交通大学材料科学与工程学院西安710049

采用电化学腐蚀法在n型单晶Si基底上制备多孔硅(PS)膜,利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分析其微结构特征,研究了硅基底材料、腐蚀电流密度和腐蚀时间等制备条件和工艺参数对PS微结构的影响。实验结果表明,轻掺杂n型Si基底上形成的PS膜... 详细信息

采用电化学腐蚀法在n型单晶Si基底上制备多孔硅(PS)膜,利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分析其微结构特征,研究了硅基底材料、腐蚀电流密度和腐蚀时间等制备条件和工艺参数对PS微结构的影响。实验结果表明,轻掺杂n型Si基底上形成的PS膜(n--PS)中的孔较深且孔径较大,而重掺杂n型Si基底上的PS膜(n+-PS)中的孔分布较为密集,而且呈多分枝结构;腐蚀电流密度相同时,PS的膜厚和腐蚀时间成正比,而在较高的腐蚀电流密度下制备得到的PS膜在结构上更为疏松。制作了基于n+型硅基底的PS阴极,此阴极的阈值电压约为14 V,高于该电压后发射电流随着二极管电压提高而呈指数性增加趋势,而且发射电流对环境气压不敏感,即使在0.1 Pa的低真空中也没有明显的衰减。

关键词：多孔硅电化学腐蚀冷阴极电子发射

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碳纳米管冷阴极Pierce电子枪

红外与毫米波学报 2013年第5期32卷 400-403,430页

作者：孙利民袁学松张宇黎晓云杨欢鄢扬电子科技大学物理电子学院四川成都610054 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广东广州510275

为发展场致发射冷阴极毫米波电真空辐射源器件,对利用大面积碳纳米管冷阴极产生大电流、高电流密度电子注的电子光学系统进行了研究.通过在Pierce电子枪阴极表面引入栅网结构,解决了碳纳米管冷阴极场致发射所需的强电场和电子聚束问题.... 详细信息

为发展场致发射冷阴极毫米波电真空辐射源器件,对利用大面积碳纳米管冷阴极产生大电流、高电流密度电子注的电子光学系统进行了研究.通过在Pierce电子枪阴极表面引入栅网结构,解决了碳纳米管冷阴极场致发射所需的强电场和电子聚束问题.在碳纳米管冷阴极实验测试数据的基础上,采用粒子模拟软件对上述电子光学系统进行了仿真.研究了栅网对注电流、注腰半径和电子注散射的影响,分析了阳极电压和外加轴向磁场对电子注的聚束作用.优化后的仿真结果表明在阴极发射面为3.03 cm2时,该电子光学系统能够产生210 mA、60 kV,电流密度为6.7 A/cm2,最大注半径为1mm的电子注.

关键词： Pierce电子枪碳纳米管冷阴极场致发射

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究

中国机械工程 2005年第Z1期16卷 357-358,362页

作者：吴成昌肖夏赵新为张生才天津大学天津300072 天津大学天津300072 东京理科大学日本东京162-8601 天津大学天津300072

在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)... 详细信息

在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率.

关键词：纳米晶体硅量子点场致发射冷阴极弹道电子

基于铟锡氧化物/Ti复合电极的高亮度碳纳米管场致发射冷阴极

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2010年第12期59卷 8762-8769页

作者：潘金艳张文彦高云龙集美大学信息工程学院厦门361021 西北有色金属研究院西安710016 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室西安710049

通过制作亲碳性铟锡氧化物(ITO)/Ti复合电极,改善移植型碳纳米管(CNT)冷阴极的导电电极与CNT膜层之间附着性能,从而消除CNT与电极间的界面势垒和非欧姆接触对CNT阴极场发射均匀性和稳定性的影响.采用磁控溅射技术和丝网印刷工艺制作了IT... 详细信息

通过制作亲碳性铟锡氧化物(ITO)/Ti复合电极,改善移植型碳纳米管(CNT)冷阴极的导电电极与CNT膜层之间附着性能,从而消除CNT与电极间的界面势垒和非欧姆接触对CNT阴极场发射均匀性和稳定性的影响.采用磁控溅射技术和丝网印刷工艺制作了ITO/Ti基CNT阴极.用X射线衍射仪和场致发射扫描电子显微镜表征CNT阴极结构,结果显示热处理后的ITO/Ti基CNT阴极中可能有TiC相生成,从而使得导电电极与CNT形成有中间物的强作用体系.该体系降低甚至消除电极与CNT之间的界面势垒,增加了CNT与电极间形成欧姆接触的概率.用四探针技术分析电阻率,结果表明ITO/Ti复合电极具有电阻并联效果,CNT阴极导电性能提高.场致发射特性测试表明ITO/Ti基CNT阴极的场致发射电流达到384μA/cm2,较普通ITO基CNT阴极的场致发射电流有显著提高,能够激发测试阳极发出均匀、稳定的高亮度荧光.制作ITO/Ti复合电极是实现场致发射稳定、均匀的低功耗CNT阴极的有效途径.

关键词：碳纳米管冷阴极场致发射均匀性

连续/脉冲电子源用大电流高密度场发射碳纳米管冷阴极（英文）

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Science China Materials 2017年第4期60卷 335-342页

作者：陈江涛杨兵军刘夏辉杨娟崔琳凡阎兴斌 Laboratory of Clean Energy Chemistry and Materials State Key Laboratory of Solid Lubrication Lanzhou Institute of Chemical Physics Chinese Academy of Sciences Lanzhou 730000 China

本文采用丝网印刷技术制备了具有高粘接性能的碳纳米管冷阴极.该碳纳米管冷阴极在直流连续及脉冲场下均具有优异的场发射性能,同时具有高发射电流密度与发射总电流,可以满足高功率器件对冷阴极电子源的使用需求.在直流连续场下,该冷阴... 详细信息

本文采用丝网印刷技术制备了具有高粘接性能的碳纳米管冷阴极.该碳纳米管冷阴极在直流连续及脉冲场下均具有优异的场发射性能,同时具有高发射电流密度与发射总电流,可以满足高功率器件对冷阴极电子源的使用需求.在直流连续场下,该冷阴极的电流发射密度可达到207.0 mA cm^(-2)(电场强度为4.5 Vμm^(-1)).在脉冲场(200 Hz,10μs)激发下,峰值电流密度最高可达4.5 A cm^(-2)(电场强度为103 Vμm^(-1)),同时具有高的峰值发射电流(315.8 mA).为观察阴极发射均匀性,采用荧光板为阳极进行实时监测,发现此印刷阴极发射较均一;稳定性测试表明该阴极在连续及脉冲场下均具有良好的发射稳定性.该冷阴极同时具有高电流密度及高发射电流,可以满足高功率真空电子器件的使用要求,在真空微纳电子器件中显示出巨大的应用前景.

关键词：场发射性能碳纳米管冷阴极脉冲场大电流高密度电子源发射电流密度