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内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响

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量子电子学报 2011年第1期28卷 96-103页

作者：郑冬梅王宗篪苏春燕三明学院物理与机电工程系福建三明365004

在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/Al_rGa_(1-x)N量子点系统束缚能的影响。结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚... 详细信息

在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/Al_rGa_(1-x)N量子点系统束缚能的影响。结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大。随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小。与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能。

关键词：光电子学柱形量子点内建电场杂质束缚能

内建电场作用下纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱中束缚极化子结合能和极化子能移随组分x的变化规律

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激光与光电子学进展 2016年第9期53卷 190-196页

作者：赵凤岐潘虹宇内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学内蒙古自治区重点实验室内蒙古呼和浩特010022

用改进的Lee-Low-Pines(LLP)变分理论讨论了纤锌矿结构的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱体系中内建电场对束缚极化子结合能和极化子能移的影响,数值研究了基态能量和结合能、不同支光学声子对能量和结合能的贡献随Mg组分x变化的规律。计算中... 详细信息

用改进的Lee-Low-Pines(LLP)变分理论讨论了纤锌矿结构的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱体系中内建电场对束缚极化子结合能和极化子能移的影响,数值研究了基态能量和结合能、不同支光学声子对能量和结合能的贡献随Mg组分x变化的规律。计算中计入了体系的介电常数、电子的带有效质量和不同支光学声子频率等参数的各向异性,并同时考虑了长波光学声子与电子和杂质中心的相互作用。结果显示,该体系中,内建电场对结合能和极化子能移的影响显著,并且不同支光学声子对能量和结合能的贡献受内建电场的影响程度有所不同。内建电场增大了声子对能量的总贡献,而降低了声子对结合能的总贡献。在内建电场作用下,能量和结合能随x增大而急剧减小,而没有内建电场时,变化相对缓慢。计算结果还说明,组分x变大时,无论是否考虑内建电场,界面和定域声子对能量和结合能的贡献变大,半空间声子贡献变小,声子对能量的总贡献变大。而声子对结合能的总贡献则要视是否考虑内建电场而不同:有内建电场时变大,无内建电场时变小。同闪锌矿结构的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱相比,纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱体系中光学声子对极化子能量和结合能的影响更大,极化子能移更明显。

关键词：材料纤锌矿量子阱内建电场极化子结合能极化子能移

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内建电场调控光生电荷分离效率的研究进展

石油化工高等学校学报 2021年第3期34卷 1-6页

作者：周月娥陈雪冰张静辽宁石油化工大学辽宁省先进清洁能源材料化学工程实验室辽宁抚顺113001

光催化技术是解决现今环境污染和能源危机的重要手段之一,然而大部分催化剂的光催化效率较低,提高光生电荷的分离是提高光催化效率的一种有效方法。首先对催化剂的光催化原理进行了概述;结合近年来国内外在提高光生电荷分离效率方面取... 详细信息

光催化技术是解决现今环境污染和能源危机的重要手段之一,然而大部分催化剂的光催化效率较低,提高光生电荷的分离是提高光催化效率的一种有效方法。首先对催化剂的光催化原理进行了概述;结合近年来国内外在提高光生电荷分离效率方面取得的最新成果及进展,从内建电场的产生机理入手,综述了半导体p-n结、异相结、极化表面和铁电材料极化对光生电荷分离效率及光催化性能的影响;最后对内建电场在未来光催化领域的发展方向进行了展望。

关键词：半导体光催化光生电荷分离内建电场

引入内建电场增强光载流子分离以促进H2的生产

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物理化学学报 2024年第11期40卷 21-22页

作者：孙培培张锦源宋艳华莫曌陈志刚许晖江苏大学环境与安全工程学院京江学院江苏镇江 212013 江苏科技大学环境与化学工程学院江苏镇江 212003

内建电场被认为是促进电荷迁移和分离,以提高光催化性能的有效驱动因素.本工作通过一步溶剂热法合成了间隙氯和取代氯共掺杂的一维纳米棒Mn0.2Cd0.8S(MCS).间隙氯和取代氯的掺杂导致MCS纳米棒中的电荷分布不平衡,形成内建电场,有利于提... 详细信息

内建电场被认为是促进电荷迁移和分离,以提高光催化性能的有效驱动因素.本工作通过一步溶剂热法合成了间隙氯和取代氯共掺杂的一维纳米棒Mn0.2Cd0.8S(MCS).间隙氯和取代氯的掺杂导致MCS纳米棒中的电荷分布不平衡,形成内建电场,有利于提高光生载流子动力学.通过密度泛函理论计算,本研究直观地描述了间隙氯和取代氯的掺杂对MCS活性的影响,包括电子结构、电荷分布和H2吸附/解吸平衡的差异.有趣的是,MCS能带结构的调制主要源于间隙氯的贡献,而取代氯无贡献.同时,取代氯可以进一步促进间隙氯对MCS的H2吸附-脱附吉布斯自由能的优化.最终,0.9 Cl-MCS的H2吸附-脱附吉布斯自由能更有利于H2的产生(1.14 vs.0.17 eV),光催化H2的产生活性提高了9倍.本研究为在双金属硫化物光催化剂中构建内建电场提供了有价值的途径.

关键词：光催化产氢双金属硫化物内建电场吉布斯自由能

内建电场对纤锌矿In_xGa_(1-x)N/GaN单量子点光学特性的影响

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河南师范大学学报（自然科学版） 2006年第4期34卷 55-58页

作者：赵旭危书义夏从新吴花蕊河南师范大学物理与信息工程学院河南新乡453007

利用有效质量近似和变分原理,考虑量子点的三维约束效应,对柱形量子点光学特性在有无内建电场时随量子点结构参数的变化进行研究.结果表明:内建电场对量子点的发光波长和激子基态振子强度等光学性质有重要的影响,其中量子点高度的变化... 详细信息

利用有效质量近似和变分原理,考虑量子点的三维约束效应,对柱形量子点光学特性在有无内建电场时随量子点结构参数的变化进行研究.结果表明:内建电场对量子点的发光波长和激子基态振子强度等光学性质有重要的影响,其中量子点高度的变化对量子点光学特性的影响要比量子点半径的变化对量子点光学特性的影响更明显.

关键词：量子点内建电场振子强度

铁电极化内建电场作用下半导体光催化性能研究

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功能材料 2022年第11期53卷 11192-11197,11205页

作者：王振慧陈小雨唐博郭致昂赵夷雯杨森范保艳邢安刘晓燕重庆科技学院冶金与材料工程学院纳微复合材料重庆市重点实验室重庆401331

铁电材料特有的自发极化能够产生极化内建电场。研究采用物理分散法将Ag_(2)O和CdS纳米颗粒负载于铁电LiNbO_(3)和玻璃基底表面,选择罗丹明B(RhB)作为代表性有机污染物,评价在不同基底表面的Ag_(2)O和CdS的光催化降解效率。结果表明,同... 详细信息

铁电材料特有的自发极化能够产生极化内建电场。研究采用物理分散法将Ag_(2)O和CdS纳米颗粒负载于铁电LiNbO_(3)和玻璃基底表面,选择罗丹明B(RhB)作为代表性有机污染物,评价在不同基底表面的Ag_(2)O和CdS的光催化降解效率。结果表明,同一种半导体纳米颗粒在不同基底表面的光催化活性依次表现为LiNbO_(3)(+Z)>glass>LiNbO_(3)(-Z);在相同基底表面,Ag_(2)O比CdS表现出更优的光催化活性。基于铁电极化产生的半导体/铁电界面内建电场和光催化降解反应,提出了铁电极化影响半导体光催化降解性能的作用机制。

关键词：铌酸锂铁电自发极化内建电场半导体光催化降解

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超晶格中内建电场的压力调制

华北工学院学报 2002年第2期23卷 79-81页

作者：许丽萍温廷敦华北工学院理学系山西太原030051

目的　研究超晶格中内建电场随着压力 (压强 )的变化规律 .方法　针对沿任意方向生长的立方晶系超晶格材料 ,讨论其内应变随着外加压力的变化关系 ,进一步讨论内建电场随着压力的变化规律 .结果与结论　针对三种不同材料组合的超晶格 ,... 详细信息

目的　研究超晶格中内建电场随着压力 (压强 )的变化规律 .方法　针对沿任意方向生长的立方晶系超晶格材料 ,讨论其内应变随着外加压力的变化关系 ,进一步讨论内建电场随着压力的变化规律 .结果与结论　针对三种不同材料组合的超晶格 ,给出了内建电场随压力的变化曲线图 .在一定范围内。

关键词：超晶格内建电场压力调制

内建电场对GaN/AlGaN单量子点发光性质的影响

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液晶与显示 2006年第2期21卷 139-144页

作者：危书义赵旭吴花蕊夏从新河南师范大学物理与信息工程学院河南新乡453007

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应,研究了GaN/AlGaN单量子点发光性质随量子点结构参数(量子点高度L和量子点半径R)的变化。结果表明:内建电场对GaN/AlGaN单量子点的发光波长和激子基态振子强度等发光性质有... 详细信息

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应,研究了GaN/AlGaN单量子点发光性质随量子点结构参数(量子点高度L和量子点半径R)的变化。结果表明:内建电场对GaN/AlGaN单量子点的发光波长和激子基态振子强度等发光性质有重要的影响;量子点高度的变化对量子点发光性质的影响要比量子点半径的变化对量子点发光性质的影响更明显。

关键词： GaN/A1GaN 量子点内建电场振子强度

p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x基区内建电场的物理机制

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Journal of Semiconductors 2007年第6期28卷 873-877页

作者：赵传阵唐吉玉文于华吴靓臻孔蕴婷华南师范大学物理与电信工程学院广州510006

采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变... 详细信息

采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要大于掺杂对内建电场的影响.Ge组分为三角形分布时,在总的Ge组分一定的条件下,内建电场从发射结到集电结逐渐变大.在任一给定位置x处,内建电场随着Ge组分的增加而增大.当Ge组分分布为矩形三角形分布时,对于给定的Ge组分转折点x1,基区内建电场从发射结到集电结缓慢地增大.在Ge组分恒定的区域,内建电场变化甚微,在Ge组分为线性缓变区域的同一位置x处,内建电场随Ge组分转折点x1的增大而缓慢地增大.此外,在x1附近内建电场变化有一个很大的陡坡.

关键词：硅锗合金内建电场三角形Ge分布矩形三角形Ge分布高斯分布