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文献类型

  • 3 篇 期刊文献
  • 1 篇 学位论文

馆藏范围

  • 4 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
    • 3 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 4 篇 内匹配技术
  • 2 篇 匹配网络
  • 1 篇 rf-ldmos
  • 1 篇 微波
  • 1 篇 千兆赫
  • 1 篇 场效应晶体管
  • 1 篇 单极晶体管
  • 1 篇 硅(si)
  • 1 篇 增益压缩
  • 1 篇 大信号模型
  • 1 篇 集总参数元件
  • 1 篇 键合丝
  • 1 篇 输入输出阻抗
  • 1 篇 场效应器件
  • 1 篇 大功率
  • 1 篇 线性增益
  • 1 篇 s参数
  • 1 篇 碳化硅(sic)
  • 1 篇 gaasfet
  • 1 篇 脉冲功率晶体管

机构

  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 电子科技大学
  • 1 篇 专用集成电路重点...

作者

  • 1 篇 潘宏菽
  • 1 篇 田爱华
  • 1 篇 邱旭
  • 1 篇 kazuhiko honjo
  • 1 篇 王长河
  • 1 篇 刘崇辉

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=内匹配技术"
共 4 条 记 录，以下是1-10 订阅
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GaAs大功率器件内匹配技术研究
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引用
半导体技术 2010年 第8期35卷 780-783页
作者： 邱旭 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄050051
介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等。以C波段40 W大功率器件为例讲述了内匹配技术在GaAs功率器件设计中的应用。通过大信号建模获得大栅宽器件模型,通过ADS软件进行内匹配电路参... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
射频LDMOS内匹配技术研究
射频LDMOS内匹配技术研究
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引用
作者： 刘崇辉 电子科技大学
学位级别：硕士
随着现代通信技术发展,对微波功率器件要求越来越高。RF-LDMOS是近年发展起来的微波功率器件,但是由于其独特的结构和性能优势,RF-LDMOS从众多微波功率器件中脱颖而出。为了满足移动通信基站和军事雷达的需求,RF-LDMOS向着更高工作频率... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
微波功率GaAsFET的宽带内匹配技术
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引用
微纳电子技术 1980年 第4期 56-63页
作者： Kazuhiko Honjo 王长河
研究了C波段大功率砷化镓场效应晶体管的宽带内匹配技术,结果在电路设计中采用了新型的电路结构和大信号特性。在高介电常数的单瓷片上形成集总参数元件二级输入网络。在氧化铝陶瓷片上,以微带结构形成半分布参数的单级输出电路。总栅宽... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
体积小重量轻的SiC微波脉冲功率晶体管
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引用
微纳电子技术 2011年 第11期48卷 697-701页
作者： 田爱华 潘宏菽 专用集成电路重点实验室 石家庄050051
采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2GHz,脉冲宽度30μs,占空比10%)输出功率大于30W、功率增益12dB、功率附加效率大于30%的性能指标。由于... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 博看期刊 评论
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