共模电感由于其优异的抑制电磁干扰的能力而成为高频电源、通信系统、汽车电子和其他电子应用领域不可或缺的组件。由于全球节能减排和宽禁带半导体的引入驱使共模电感向高频化、小型化和高效化的方向发展,要求共模电感软磁材料兼具高磁感的同时,在10 k Hz-1MHz具有良好的高频特性。但是,目前商用纳米晶共模电感磁芯的饱和磁感应强度仅1.2 T,限制了其小型化和抗饱和能力,而高磁感合金存在高频特性差的缺点。因此如何提高高磁感纳米晶材料的高频特性和阐明其高频机制是当前研究的热点和难点。为此,本文选用饱和磁感应强度为1.38 T的FeSiBNbCuMo纳米晶合金展开了系统地研究。(1)建立了双各向异性定量关系下的动态磁化模型,并阐明了其与纳米晶高频特性的关联机制。磁场复合热处理可诱导单轴各向异性(K)与平均随机各向异性()相竞争,有效提高高频特性。相比单一的,当K与相当时,其纳米晶磁芯在50 k Hz下的高频磁导率提高了41%。单一的磁化行为以畴壁运动为主导,K与相竞争可形成转动为主,伴随畴壁位移和分裂的磁化行为;且随频率升高,畴壁细化明显,进而可显著降低剩余损耗。(2)建立了闪速应力复合热处理下的微观局域结构的演变模型,并阐明了纳米晶结构和高频特性的关联机制。500 C闪速应力预处理可析出~5nm团簇,形成了类α-Fe短程有序,降低了类Fe B短程有序区面积。有效提高了Cu团簇数密度,最终可获得高密度细小均匀的纳米晶晶粒(~12.7 nm),有效降低了,使其10 k Hz下高频磁导率可达63200,增加了62%。(3)建立了电感特性与高磁感纳米晶材料高频特性的关联。磁场复合热处理和闪速应力复合热处理可分别有效提高100 k Hz-1MHz下和1-100 k Hz下的阻抗特性、插入损耗特性和抗饱和特性。建立了电感感量与高磁感纳米晶软磁材料的高频磁导率之间的定量关联,可为小型化和高频化共模电感的优化设计提供理论支撑。
随着大功率电子器件的迅猛发展和广泛应用,它们在开关电源、5G通信、新能源汽车等领域展现出了体积小、重量轻、高效率等许多优点。这些优点使得大功率电子器件在这些领域得到了广泛的应用。但是在使用过程中大功率电力电子元器件所引起的电磁干扰问题越发严重。为了抑制电磁干扰,目前最有效的方法就是在设备中加入电磁干扰(Electro Magnetic Interference,EMI)滤波器。在大功率应用场景中,共模干扰是电磁干扰的主要形式,过大的共模干扰就会引起大的共模电流从而导致EMI滤波器发生磁饱和现象。工程上为了避免EMI滤波器磁饱和现象的发生,通常采用大型号的磁芯进行EMI滤波器的设计,这就限制了EMI滤波器的小型化发展方向。小型化设计共模电感的一个重要目的就是在增强其抗饱和能力的同时尽可能的减小其体积。因此,在设计共模电感时,必须考虑其抗饱和能力,以确保其在高电流情况下仍能正常工作。为此,本文对共模电感的磁饱和机理和磁饱和测试方法进行了系统的研究。(1)研究了共模电感磁饱和机理,对现有磁饱和测试方法进行分析,归纳总结出了可以极大程度上模拟实际工作环境的大信号测试方法。该方法可以较为准确的测量不同EMI滤波器的磁饱和电流,可以为EMI滤波器的设计提供依据。(2)完成了大信号测试电路的设计。为了模拟实际工作环境并扩大测试范围,整体电路采用了多路全桥并联加串联的拓扑结构。控制部分采用脉宽调制技术,通过小信号调理电路输出两路占空比为50%的方波信号,从而控制全桥驱动芯片去驱动全桥4个MOS管进行开关动作。这样的设计结构能够更有效地控制和驱动电路,满足测试需求并提供更大的灵活性。(3)通过测试电路对不同磁芯型号的功率EMI滤波器进行磁饱和测试,通过分析实验所得数据研究磁饱和电流的大小与共模电感的磁芯材料、匝数、频率等相关参数之间的关系。(4)以上述测试数据为指导,设计了一款以非晶软磁材料为磁芯的功率EMI滤波器。将该EMI滤波器与以镍锌铁氧体为磁芯的商用功率EMI滤波器进行对比实验,验证了通过大信号测试方法在考虑共模电感抗饱和能力的前提下对共模电感尺寸优化的可行性。
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