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标题
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工学
5 篇
材料科学与工程(可...
5 篇
电子科学与技术(可...
1 篇
理学
1 篇
物理学
主题
5 篇
共振隧穿晶体管
1 篇
石墨烯
1 篇
栅控型器件
1 篇
高电子迁移率晶体...
1 篇
共振隧穿二极管
1 篇
gaas基量子器件
1 篇
纳米带异质结构
1 篇
rtt
1 篇
肖特基栅
1 篇
负阻
1 篇
石墨炔
1 篇
反相器统一模型
1 篇
i-v特性
1 篇
电流峰谷比
1 篇
rtt器件结构
机构
4 篇
天津大学
1 篇
中国电子科技集团...
1 篇
哈尔滨理工大学
1 篇
中国电子科技集团...
1 篇
天津工业大学
1 篇
吉林大学
作者
4 篇
郭维廉
3 篇
张世林
3 篇
齐海涛
3 篇
胡留长
3 篇
宋瑞良
3 篇
梁惠来
2 篇
李建恒
2 篇
毛陆虹
2 篇
李亚丽
2 篇
冯震
1 篇
李效白
1 篇
王天会
1 篇
田国平
1 篇
李昂
1 篇
王伟
1 篇
于欣
1 篇
张雄文
1 篇
商跃辉
1 篇
韩柏
1 篇
牛萍娟
语言
5 篇
中文
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"主题词=共振隧穿晶体管"
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石墨炔/石墨烯异质结纳米
共振隧穿晶体管
第一原理研究
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物理学报
2019年 第18期68卷 238-244页
作者:
王天会
李昂
韩柏
吉林大学珠海学院公共基础与应用统计学院
珠海519041
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院
工程电介质及其应用教育部重点实验室黑龙江省电介质工程重点实验室哈尔滨150080
石墨烯和石墨炔的化学相容性表明它们能够以不同形式组合在一起,从而构建新型超高频纳米
晶体管
.通过石墨烯-石墨炔-石墨烯异质结纳米带构建双极器件模拟了两种新型纳米
共振隧穿晶体管
,根据基于密度泛函理论的第一原理和非平衡格林函数...
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石墨烯和石墨炔的化学相容性表明它们能够以不同形式组合在一起,从而构建新型超高频纳米晶体管.通过石墨烯-石墨炔-石墨烯异质结纳米带构建双极器件模拟了两种新型纳米共振隧穿晶体管,根据基于密度泛函理论的第一原理和非平衡格林函数方法对该晶体管的电子结构和量子输运特性进行了理论计算.电子透射谱和电流-电压曲线的计算结果证明该晶体管的电流主要来源于共振隧穿跃迁并可由横向栅极电压控制,因此可用作超高频纳米晶体管.
关键词:
石墨烯
石墨炔
纳米带异质结构
共振隧穿晶体管
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共振隧穿晶体管
的反相器统一模型
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Journal of Semiconductors
2007年 第1期28卷 84-91页
作者:
郭维廉
牛萍娟
苗长云
于欣
王伟
梁惠来
张世林
李建恒
宋瑞良
胡留长
齐海涛
毛陆虹
天津工业大学信息与通讯学院
天津300160
天津大学电子信息工程学院
天津300072
综合分析了各种不同结构的
共振隧穿晶体管
(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟...
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综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具.
关键词:
共振隧穿晶体管
反相器统一模型
RTT器件结构
RTT
I-V特性
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肖特基栅型
共振隧穿晶体管
的制作研究
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固体电子学研究与进展
2007年 第1期27卷 28-31页
作者:
胡留长
郭维廉
张世林
梁惠来
宋瑞良
天津大学电子信息工程学院
天津300072
已研制成了肖特基栅
共振隧穿晶体管
,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。通过调制准二维电子积累层的面积进而达到控制
隧
穿
电流的目的。并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析。
已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。通过调制准二维电子积累层的面积进而达到控制隧穿电流的目的。并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析。
关键词:
共振隧穿晶体管
肖特基栅
负阻
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栅型
共振隧穿晶体管
的设计与研制
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Journal of Semiconductors
2006年 第11期27卷 1974-1980页
作者:
郭维廉
梁惠来
宋瑞良
张世林
毛陆虹
胡留长
李建恒
齐海涛
冯震
田国平
商跃辉
刘永强
李亚丽
袁明文
李效白
天津大学电子信息工程学院
天津300072
中国电子科技集团第十三研究所
石家庄050051
在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基
共振隧穿晶体管
(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改...
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在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.
关键词:
共振隧穿晶体管
栅控型器件
GaAs基量子器件
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RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制
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Journal of Semiconductors
2007年 第7期28卷 1107-1111页
作者:
齐海涛
李亚丽
张雄文
冯震
商耀辉
郭维廉
天津大学电子信息工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
石家庄050051
中国电子科技集团公司第十三研究所
依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结...
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依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.
关键词:
共振隧穿晶体管
共振
隧
穿
二极
管
高电子迁移率
晶体管
电流峰谷比
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