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具有全方位反射镜的高亮度AlGaInP发光二极管

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具有全方位反射镜的高亮度AlGaInP发光二极管

第十二届全国LED产业研讨与学术会议

作者：黄尊祥杨凯李涛彭绍文刘建鋆王向武厦门乾照光电股份有限公司技术中心

一种新的全方位反射镜(ODR)的高亮度AlGaInP发光二极管制作方法。该反射镜由介质膜DBR和高反射率的金属组成,反射效率比传统的金属反射镜和DBR高,制作成本比透明基板低。首先利用MOCVD在GaAs衬底上生长AlGaInP LED材料,接着将全方位反... 详细信息

一种新的全方位反射镜(ODR)的高亮度AlGaInP发光二极管制作方法。该反射镜由介质膜DBR和高反射率的金属组成,反射效率比传统的金属反射镜和DBR高,制作成本比透明基板低。首先利用MOCVD在GaAs衬底上生长AlGaInP LED材料,接着将全方位反射镜蒸镀在LED外延片上,利用金属键合将LED外延片和Si基板键合在一起,然后用机械研磨和湿法腐蚀的方式去除吸光的GaAs衬底,最后制作欧姆接触焊盘和出光界面的粗化。该方法制作的峰值波长为630 nm芯片(350μm×350μm)20 mA电流下发光效率达80 lm/W,正向电压小于2 V。

关键词：高亮度 AlGaInP 发光二极管介质膜DBR 全方位反射镜

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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含负折射率材料的宽带全方位反射镜

江西科学 2005年第5期23卷 511-513页

作者：尹承平刘念华南昌大学理学院江西南昌330047

利用传输矩阵方法模拟了正负折射率材料交替生成的多层膜体系的反射率对不同偏振模式的角度和频率响应。结果表明,该体系具有很宽的反射带,并且反射带不会随着入射角度的变化而发生平移,可以用来制作高品质的宽带全方位反射镜。

关键词：负折射率材料全方位反射镜传输矩阵

全反射镜结构对AlGaInP发光二极管发光效率的影响

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Journal of Semiconductors 2007年第12期28卷 1952-1956页

作者：孙昊韩军李建军邓军邹德恕宋小伟宋欣原沈光地北京工业大学光电子技术实验室北京100022

采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性，用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结构,用LP-MOCVD生长了DBR结构,并测量了其反射特性,实验与模拟结果基本吻合，从... 详细信息

采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性，用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结构,用LP-MOCVD生长了DBR结构,并测量了其反射特性,实验与模拟结果基本吻合，从模拟和实验的结果得到,SiO2/AuODR结构在波长为630nm的垂直入射光下反射率很高,达到91%以上。对于不同角度的入射光,SiO2/Au在20°-85°都有很高的反射率,远高于DBR结构的反射率，在实际器件测试中,ODR结构的AlGaInP红光LED比无DBR结构的LED提高了115%,比DBR结构的LED提高了28%。这说明,ODR结构与DBR结构相比可以大幅提高红光LED的出光效率。

关键词：全方位反射镜模拟计算发光二极管

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新型全方位反射铝镓铟磷薄膜发光二极管

物理学报 2007年第5期56卷 2905-2909页

作者：张剑铭邹德恕刘思南徐晨沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率的金属联合作为反光镜.用金锡合金(80Au20Sn,重量比)作为焊料把带有反光镜的AlGaInPLED外延片倒装键合到G... 详细信息

提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率的金属联合作为反光镜.用金锡合金(80Au20Sn,重量比)作为焊料把带有反光镜的AlGaInPLED外延片倒装键合到GaAs基板上(RS-LED),去掉外延片GaAs衬底,把被GaAS衬底吸收的光反射出去.通过与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有DBR的AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED(DBR))电、光特性的比较,证明新型全方位反射AlGaInP薄膜LED结构能极大提高亮度和效率.正向电流20mA时,RS-LED的光输出功率和流明效率分别是AS-LED的3.2倍和2.2倍,是AS-LED(DBR)的2倍和1.5倍.RS-LED(20mA下峰值波长627nm)的轴向光强达到194.3mcd,是AS-LED(20mA下峰值波长624nm)轴向光强的2.8倍,是AS-LED(DBR)(20mA下峰值波长623nm)轴向光强的1.6倍.

关键词：铝镓铟磷薄膜发光管全方位反射镜发光强度

利用复合技术提高光子晶体LED发光效率的研究

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激光与光电子学进展 2013年第10期50卷 41-48页

作者：沈晓霞董国艳任亚洲王新中周志文深圳信息职业技术学院电子与通信学院广东深圳518072 清华大学材料学院北京100084

介绍了几种利用复合技术提高光子晶体LED出光效率的方法。利用复合技术在LED上形成光子晶体结构和微腔结构、全方位反射镜、图形化衬底、AlGaN限制层或嵌入式光子晶体层复合的结构,可以改变LED的发光光路与内部导波模式分布,有效地提高... 详细信息

介绍了几种利用复合技术提高光子晶体LED出光效率的方法。利用复合技术在LED上形成光子晶体结构和微腔结构、全方位反射镜、图形化衬底、AlGaN限制层或嵌入式光子晶体层复合的结构,可以改变LED的发光光路与内部导波模式分布,有效地提高光子晶体LED的发光效率。以五种复合结构为例进行分析,通过实验制备和时域有限差分(FDTD)模拟仿真,证实了与传统LED结构相比,经过适当优化参数配置,具有复合结构的LED比只具有表面光子晶体的LED结构出光效率有显著提高。

关键词：光电子学 LED 嵌入式光子晶体全方位反射镜微腔图形化蓝宝石衬底

一种新型全方位反射AlGaInP薄膜发光二极管

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Journal of Semiconductors 2008年第4期29卷 751-753页

作者：高伟邹德恕李建军郭伟玲沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

提出了一种新型全方位反射AlGaInP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去除GaAs衬底,制作薄AuGeNi电极,粗化,生长ITO,制作厚AuGeNi电极,合金则形成ODR薄膜LED结构.300μm×300μm... 详细信息

提出了一种新型全方位反射AlGaInP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去除GaAs衬底,制作薄AuGeNi电极,粗化,生长ITO,制作厚AuGeNi电极,合金则形成ODR薄膜LED结构.300μm×300μm管芯裸装在TO-18金属管座上,在20mA的电流驱动下,测得电压为2.2V,光强达到195mcd,光功率达到3.78mW,比常规吸收衬底LED提高3.6倍.

关键词：铝镓铟磷薄膜发光二极管全方位反射镜

(TiO2/MgF2)_n一维光子晶体异质结构及光学性能研究

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(TiO2/MgF2)_n一维光子晶体异质结构及光学性能研究

作者：张克英太原理工大学

学位级别：硕士

光子晶体是指利用两种或以上的不同介质材料周期排列形成的多层膜微结构,一般是由人工设计和制备而成的。在三种维度的光子晶体中,一维光子晶体由于具有结构简单、易于制备、成本低廉等优势而成为这一领域的研究热点。但是,由于材料介... 详细信息

光子晶体是指利用两种或以上的不同介质材料周期排列形成的多层膜微结构,一般是由人工设计和制备而成的。在三种维度的光子晶体中,一维光子晶体由于具有结构简单、易于制备、成本低廉等优势而成为这一领域的研究热点。但是,由于材料介电常数的局限性,适用于制备可见光波段的一维光子晶体的材料比较少,这就使得处于可见光波段的光子带隙往往存在带隙窄、反射率低、吸收高等不足。目前研究具有宽带隙、高反射率、全方位、高透射率窄透过峰的光子晶体的主要方法有以下两种：一是选取合适的高、低折射率的材料,二是改变多层膜的结构,如包覆、嵌套、叠加、引入缺陷、光量子阱。异质结构是由两个或以上的光子晶体叠加或嵌套构建而成的结构。异质结构和光量子阱都是近几年增宽带隙的有效方法。叠加带隙相接的光子晶体的方法可使设计具有高反射率和全方位带隙的光子晶体结构成为可能;光量子阱结构可使设计具有高反射率宽带隙和高透射率窄缺陷模的光子晶体结构成为可能。本论文采用传输矩阵法对由TiO2和MgF2这两种材料构成的异质结构和多量子阱结构在可见光波段的光子带隙及缺陷模的光学特性进行了研究。首先设计出了由TiO2和MgF2组成的(AB)m(CD)n(EF)1-)光子晶体异质结构,实现了禁带增宽到可覆盖整个可见光波段,该结构可用于可见光波段全方位反射器件;以此结构为基础,研究了由TiO2、MgF2和Bi4Ge3O12组成的(AB)n[Bi4Ge3012](BA)n异质结构,该结构可用于可见光波段温度传感器;同时还探讨了由Ti02和MgF2组成的(AB)n(BA)m(CD)n和(AB)q(BA)q(CD)p(DC)p异质结构构建可见光波段滤波器的研究,所获得的绿波滤波器具有高透过率且窄半峰宽的特点,红、绿、蓝三通道滤波器可用于白光LED;并就Ti02和MgF2组成的(AB)m(CD)n(AB)m多量子阱构建高透过率多通道滤波器进行了研究,以上研究结果可为可见光波段一维光子晶体的研究提供指导作用。

关键词：可见光波段全方位反射镜滤波器一维光子晶体

AlGaInP基薄膜发光二极管芯片生产工艺技术

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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闽西职业技术学院学报 2013年第3期15卷 96-100页

作者：蔡文必三安光电股份有限公司福建厦门361009

介绍公司研发和生产AlGaInP薄膜RS系列LED芯片产品产业化技术现状。通过采用多项先进工艺和质量控制技术,产业化生产的RS-LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性。其中RS-LED芯片产品通过采用全方位反射镜、衬底转移、金属键合和表面... 详细信息

介绍公司研发和生产AlGaInP薄膜RS系列LED芯片产品产业化技术现状。通过采用多项先进工艺和质量控制技术,产业化生产的RS-LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性。其中RS-LED芯片产品通过采用全方位反射镜、衬底转移、金属键合和表面粗糙化等关键工艺技术,实现了良好的大电流特性和电流扩展性能,亮度指标大幅提升,红光RS-LED芯片最高亮度达550mcd,Au-To封装后器件光通量可达3.5lm。针对RS-LED芯片生产工艺的特点,探讨了产业化生产的关键工序、生产过程质量控制点以及质量控制关键参数等,提出了切实有效的生产过程质量控制方法,并付诸实践。

关键词：薄膜发光二极管镜面反射衬底全方位反射镜金属键合