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氯取代基味碳菁染料在溴化银上增感光电流的研究

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科学通报 1987年第21期32卷 1634-1638页

作者：李津如李宝芳江龙中国科学院感光化学研究所中国科学院感光化学研究所北京

前已报道氯取代基对苯并咪唑碳菁染料增感效果的影响,本文用光电导方法进一步研究这些染料的光谱增感机理。按照电子转移理论,光谱增感的过程,是染料受光激发后所产生的电子转移到AgX导带上然后被AgX中的电子陷阱捕获的过程。West等人... 详细信息

前已报道氯取代基对苯并咪唑碳菁染料增感效果的影响,本文用光电导方法进一步研究这些染料的光谱增感机理。按照电子转移理论,光谱增感的过程,是染料受光激发后所产生的电子转移到AgX导带上然后被AgX中的电子陷阱捕获的过程。West等人的工作,证实了光电流和增感效果有密切关系。Gerisher,Honda等做了大量工作,研究染料在AgCl晶体上的光电流。我

关键词：光电流激发态能级 AgBr 络合物配位化合物染料溶液电子传递取代基聚集体吸收光谱晶体表面晶片晶面面(晶体) 晶种

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发射结太阳电池的光电流、暗电流和光谱响应

云南师范大学学报(自然科学版) 1985年第2期 62-78页

作者：陈庭金白毅彬王履芳云南师范大学太阳能研究所

本文对发射结n~+-n/p型太阳电池,在各区均匀掺杂的模型下,求解光注入和电注入非平衡载流子满足的连续性方程,得到了相应的单色光电流和暗电流的解析表达式。理论结果对高效率发射结太阳电池的研制,在基片材料参数,几何尺寸,工艺参数的... 详细信息

本文对发射结n~+-n/p型太阳电池,在各区均匀掺杂的模型下,求解光注入和电注入非平衡载流子满足的连续性方程,得到了相应的单色光电流和暗电流的解析表达式。理论结果对高效率发射结太阳电池的研制,在基片材料参数,几何尺寸,工艺参数的选择上作出好的予测。用计算机计算了电池的光谱响应曲线。结果指出:发射结n~+-n/P型结构比背面场n~+/P-P~+型结构有更好的光谱响应。

关键词：太阳电池暗电流密度发射结空穴电流密度光电流光谱响应

CdS/CuInSe_2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率的计算和分析

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包头钢铁学院学报 1993年第2期12卷 28-34页

作者：展铁政孟昭进张占山包头钢铁学院物理教研室

用Rorhwarf的晶界复合损失模型对CdS CulnSe_2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率进行了计算,并在计算中考虑到异质结内表面复合因子G和势垒区宽度随电压的变化因素。结果发现P区受主浓度N_A有一个最佳值。将我们的计算结果和L.L.Kag... 详细信息

用Rorhwarf的晶界复合损失模型对CdS CulnSe_2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率进行了计算,并在计算中考虑到异质结内表面复合因子G和势垒区宽度随电压的变化因素。结果发现P区受主浓度N_A有一个最佳值。将我们的计算结果和L.L.Kagmerski等人的实验结果对照。两者基本一致。

关键词：多晶异质结光电流太阳电能电池转换效率

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用光电容和光电流的技术研究Mn掺杂的ZnSe

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发光学报 1977年第Z1期 28-37页

作者： H.G.Grimmeiss ,C.Ovren ,李长华

应用暂态及稳态的光电容和光电流测量技术,在98～293K的温度范围内,对ZnSe:Mn中的深杂质中心（M中心）进行了研究。σp0是从价带到中心的光学跃迁截面,σ_n0是从中心到导带的跃迁截面,本文给出了σp0、σ_n0的光谱分布。对于σp0,能量... 详细信息

应用暂态及稳态的光电容和光电流测量技术,在98～293K的温度范围内,对ZnSe:Mn中的深杂质中心（M中心）进行了研究。σp0是从价带到中心的光学跃迁截面,σ_n0是从中心到导带的跃迁截面,本文给出了σp0、σ_n0的光谱分布。对于σp0,能量阈值ΔEp0是0.68ev,它不受温度的影响;σ_n0的能量阈值ΔE_n0随着温度的变化而不同,这变化与禁带宽度差不多。在实验中使用的全部温度范围内,两种阈值能量的和与禁带宽

关键词：光电流光电容暂态瞬态离化截面杂质中心跃迁能带结构价带禁带宽度 Mn

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CO放电正柱中的稳态光电流模型

光学学报 1983年第9期 797-804页

作者：王裕民归正兴张顺怡中国科学院上海光学精密机械研究所

本文给出CO放电正柱中振转跃迁红外光电流效应的模型(它有别于原子气体中的机理).理论与实验结果基本一致,由此给出研究激光介质某些参量的新方法.

关键词：电流效应光电流超弹性碰撞共振跃迁电子温度分布函数电子能量电离截面激光介质正柱速率系数 CO

渗杂梯度化的α-Si太阳电池光电流和效率计算

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内蒙古大学学报(自然科学版) 1983年第1期 79-83页

作者：张少军张瑾内蒙古大学物理系

本文对渗杂梯度化的 nip 型α—Si 太阳电池的短路电流 Jsc和效率η作了计算。结果如下:1.0.5μ和1.0μ厚电池的本征 Jsc分别达23.3mα/cm2和25.3mα/cm2.它们很接近于Carlson 的计算结果.在表面反射和电极复盖光损失各占10%条件下算得... 详细信息

本文对渗杂梯度化的 nip 型α—Si 太阳电池的短路电流 Jsc和效率η作了计算。结果如下:1.0.5μ和1.0μ厚电池的本征 Jsc分别达23.3mα/cm2和25.3mα/cm2.它们很接近于Carlson 的计算结果.在表面反射和电极复盖光损失各占10%条件下算得0.5μ和1.0μ电池的效率分别为12.69%和14.4%。2.与0.5μ厚均匀渗杂的 nip 型 a—Si 实验电池比较,发现 Voc很接近,但 Jsc、FF 和η比梯度化电池低得多,这显然是由于均匀渗杂实验电池中存在较大的复合损失和串联电阻引起的。如果用在消除复合损失条件下所得到的最佳填充因子0.7计算,0.5μ厚梯度化电池可以达到大于10%效率.

关键词：太阳电池梯度化短路电流光电流串联电阻 Si 效率计算

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氩的光电流效应和激光波长的监控

激光与光电子学进展 1988年第11期 21-23页

作者：晴天

目前已完成不同类型的气体放电和等离子体中光电流效应的一系列研究和应用方面的工作,从中获得大量原子和分子在宽波段中的光电流光谱。文献[3～5]提出了使用光电效应稳定和校准染料激光器的波长,在文献[6]中使用光电流共振和微处理机... 详细信息

目前已完成不同类型的气体放电和等离子体中光电流效应的一系列研究和应用方面的工作,从中获得大量原子和分子在宽波段中的光电流光谱。文献[3～5]提出了使用光电效应稳定和校准染料激光器的波长,在文献[6]中使用光电流共振和微处理机研制出根据氖的580～800 nm波段中的25条谱进行自动校准

关键词：光电流能级波长 nm 波段染料激光器液体激光器受激跃迁

MIp+-AlxGa1-xAS/p-n-n+-GaAS太阳电池的光电流

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MIp+-AlxGa1-xAS/p-n-n+-GaAS太阳电池的光电流

n-ZnO/p-CuInSe_2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率的理论计算

2003年中国太阳能学会学术年会

作者：涂洁磊陈庭金王履芳云南师范大学太阳能研究所

本文对MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池,在各区域都存在恒定漂移场以及能带结构模型下,对其光电流和光谱响应在理论上进行了严格的数学处理,得到了该电池光电流依赖于太阳电池表面、界面复合速度、各区存在的漂移场、少子扩散长度以及掺... 详细信息

本文对MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池,在各区域都存在恒定漂移场以及能带结构模型下,对其光电流和光谱响应在理论上进行了严格的数学处理,得到了该电池光电流依赖于太阳电池表面、界面复合速度、各区存在的漂移场、少子扩散长度以及掺杂浓度等半导体参数和各区几何结构参数的解析表达式。从本文得到的新结构的光电流理论表达式可以得到背表面场电池、发射结等四种结构太阳电池的正确表达式。因此,本研究结果具有广泛适用性,可为各种结构类型的太阳电池的高效率优化设计提供必要而简单的理论依据。

关键词： MIp+-AlxGa1-xAs/p-n-n+-GaAs 太阳电池光电流

来源： cnki会议评论

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内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版） 2001年第4期30卷 307-310,322页

作者：周炳卿内蒙古师范大学物理系内蒙古呼和浩特010022

用隧道 -复合模型对n-ZnO/p-CuInSe2 多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率进行了理论计算 ,考虑到在多晶材料中的晶界复合损失 ,引入修正因子 ,并用Roth warf的晶界复合模型进行修正 .对晶粒半径R为 1 μm的电池进行计算 ,得到电... 详细信息

用隧道 -复合模型对n-ZnO/p-CuInSe2 多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率进行了理论计算 ,考虑到在多晶材料中的晶界复合损失 ,引入修正因子 ,并用Roth warf的晶界复合模型进行修正 .对晶粒半径R为 1 μm的电池进行计算 ,得到电池的短路电流密度为 35 .4mA/cm2 ,开路电压为 0 .42V ,转换效率为 1 0 .1 % .理论计算和实验结果基本一致 .

关键词：隧道-复合模型 n-ZnO/p-CuInSe2 薄膜太阳电池光电流半导体材料多晶异质结转换效率

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