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非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱

光谱学与光谱分析 1999年第1期19卷 22-24页

作者：杨瑞霞胡恺生周智慧郭小兵河北工业大学电子系天津电子材料研究所

研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱，在０．４０～０．７０ｅＶ范围发现了一个光响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰，其中０．４６、０．４９... 详细信息

研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱，在０．４０～０．７０ｅＶ范围发现了一个光响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰，其中０．４６、０．４９、０．５６和０．６９ｅＶ峰的起始阈值分别为０．４４、０．４７、０．５１和０．６７ｅＶ。本文讨论了Ｍ１带的起源，提出了０．４４、０．４７和０．５１ｅＶ光电离阈值与铜受主、ＥＬ３和氧施主间的可能联系，并研究了Ｍ１带与ＧａＡｓ场效应晶体管漏－源电流光响应特性的关系。

关键词： LECSIGaAs 光电流谱场效应晶体管砷化镓

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铕空心阴极放电中的光电流谱

光学学报 1986年第5期6卷 396-401页

作者：景春阳张桂燕施龚明林福成中国科学院上海光学精密机械研究所

利用连续可调谐染料激光器,在570O～6100波长范围内测得65条铕光电流谱,其中61条为原子跃迁,4条为一价离子跃迁.

关键词：光电流谱波长范围 Eu 可调谐染料激光器光电流信号空心阴极放电原子谱线

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光电流谱技术在金属氧化膜研究中的应用

材料保护 1990年第11期23卷 4-7页

作者：林仲华厦门大学化学系邮政编码361005

综述了光电流谱技术应用于金属氧化膜研究时的原理、实验技术及在测定金属氧化膜电子性质、晶体结构和微区行为中的应用。

关键词：光电流谱金属氧化膜测量腐蚀

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分步激发光电流谱测量Ne高激发态寿命

光学学报 1984年第2期4卷 97-101页

作者：殷立峰胡企铨舒海珍林福成中国科学院上海光学精密机械研究所

第一次利用分步激发的光电流谱进行了原子能级寿命测量的研究.对Ne的2p2、2p6能级寿命的实测获得了很好的结果,表明这一方法具有很大的优越性和潜力.

关键词：原子能级高激发态能级寿命 Ne 分步激发激发态寿命光电流谱光电流信号

微机控制激光扫描电化学微区光电流谱测试系统的研制

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分析仪器 2003年第2期 1-4页

作者：达力林祖庚尤金跨卓向东许晓毅厦门大学计算机与信息工程学院厦门361005 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室化学系厦门361005

简要报道了激光扫描电化学微区光电流谱测试系统的研制。系统能在微米水平上提供有关半导体 /电解质溶液界面结构和电子学性质方面的信息。着重介绍了系统微机检测与控制部分硬件的设计。

关键词：微机控制激光扫描电化学微区光电流谱 A/D转换 I/O接口驱动电路研制

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微斑光电流谱和光反射谱的自动测量系统

半导体光电 2000年第1期21卷 69-70页

作者：张培宁张世林郭维廉林世鸣陈弘达天津大学电子信息工程学院天津300072 中国科学院半导体所北京100083

叙述了为测量半导体光电器件的光电流谱和光反射谱所构成的自动测量系统及其数据处理方法。

关键词：光电流谱光反射谱自动测量系统微斑

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光电流谱虚拟测试系统的设计与实现

光电流谱虚拟测试系统的设计与实现

作者：吴世雄厦门大学

学位级别：硕士

本文以GPIB总线的光电流谱虚拟测试系统为研究重点。在电化学腐蚀、光电化学等多仪器联用测试中,国内大多数院校甚至国家重点实验室仍旧采用人工设置联用参数的方式。测试过程繁杂,无法取得瞬态过程参数,影响了研究工作。本文在研究了... 详细信息

本文以GPIB总线的光电流谱虚拟测试系统为研究重点。在电化学腐蚀、光电化学等多仪器联用测试中,国内大多数院校甚至国家重点实验室仍旧采用人工设置联用参数的方式。测试过程繁杂,无法取得瞬态过程参数,影响了研究工作。本文在研究了国内外典型应用的基础上提出设计完整的一体化联用测试控制系统的方案。以厦门大学化学化工学院,固体表面物理化学国家重点实验室的实际需要和测试目标为依据,解决了光电化学测试的实际问题。本系统采用自动测试系统框架结构,运用虚拟仪器、功能模块插件、数据驱动测试、面向对象等技术并提出了适当的数据采集处理及控制时序模式,实现了“光电流谱”、“电位-电流”、“电流-时间”等三种自动测试。该系统支持GPIB,串口等不同设备接口和多种仪器产品。同时提供方便直观数据图像界面和测试数据的管理,提供对多种主流化学分析软件的数据交互支持。本文设计的光电流谱虚拟测试系统,可操作性、稳定性、兼容扩展性均能满足化学测试的要求。相比国外同类系统具有以下优点: （1）经济性。国外同类软件系统价格过于昂贵,售价通常高达数万美元。本文设计的系统仅为国外同类产品价格的10%-20%。（2）开放性。该系统除支持已有的测试种类外,还可以按照自动测试系统的框架增加新的测试种类,具有一定的开放扩展性。（3）针对性。该系统控制过程针对光电化学、化学腐蚀测试设计,重点突出这类测试关注的现象、结果,同时模拟功能实现测试过程的快速或慢速重现。系统支持的光电流谱测试是光电半导体、电化学腐蚀领域的基础性工作,目前国内的大多数科研院校、研究所以及相关的生产性单位还缺乏高效的测试控制系统,所以该系统不但具有科研应用价值,还有相当的市场前景。

关键词：自动测试系统 GPIB总线虚拟仪器光电流谱

GaAs/AlGaAs多量子阱室温光电流谱

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Journal of Semiconductors 1991年第7期12卷 399-404页

作者：段海龙王启明吴荣汉曾一平孔梅影中国科学院半导体研究所北京100083

通过对室温光电流谱的测量,研究了电场对多层量子阱结构中激子吸收行为的影响,分析了不同MQW材料的吸收谱的电场效应及有关光电子器件对材料的要求.

关键词： GaAs/AlGaAs 量子阱光电流谱测量

GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究

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Journal of Semiconductors 1992年第6期13卷 333-342页

作者：江德生刘大欣张耀辉段海龙吴荣汉中国科学院半导体研究所北京100083

我们用室温和低温下电场下的光电流谱研究了 GaAs/AlGaAs多量子阱p-i-n 二极管的量子限制斯塔克效应.侧面光照下测量的光电流谱明显地反映出轻重空穴激子峰的偏振效应.对光电流谱和光致发光激发光谱进行对比发现,外加电场不仅影响光吸收... 详细信息

我们用室温和低温下电场下的光电流谱研究了 GaAs/AlGaAs多量子阱p-i-n 二极管的量子限制斯塔克效应.侧面光照下测量的光电流谱明显地反映出轻重空穴激子峰的偏振效应.对光电流谱和光致发光激发光谱进行对比发现,外加电场不仅影响光吸收,也影响多量子阱中光生载流子的漂移过程.光电流谱的线形用 P^-/n^+结的耗尽模型进行了分析,并计入了入射光强度在光传播过程中由于产生吸收跃迁而发生的衰减.光电流谱峰与激发光谱峰的斯塔克位移提供了多量子阱中电场分布的信息,并证明了耗尽区模型的正确性.

关键词：量子阱电场二极管光电流谱