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光电导效应及其应用探究

高等函授学报（自然科学版） 2007年第6期20卷 32-35页

作者：彭文胜王建中华中师范大学物理科学与技术学院武汉430079

光电导效应是一种内光电效应。本文简要介绍和分析了光电导效应及其应用,并对其前景进行了展望。

关键词：光电导效应光电导材料应用

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基于光电导效应的太赫兹波开关实验研究

基于光电导效应的太赫兹波开关实验研究

作者：张忆汝浙江大学

学位级别：硕士

随着太赫兹辐射源和探测器的迅速发展,太赫兹波功能器件的应用研究得到了广泛的重视。本文主要进行了基于光电导效应的太赫兹波透射特性实验研究,并提出了基于半导体高阻硅材料的太赫兹波开关方案。半导体材料在光照下产生的光电导效应... 详细信息

随着太赫兹辐射源和探测器的迅速发展,太赫兹波功能器件的应用研究得到了广泛的重视。本文主要进行了基于光电导效应的太赫兹波透射特性实验研究,并提出了基于半导体高阻硅材料的太赫兹波开关方案。半导体材料在光照下产生的光电导效应直接影响了材料对太赫兹波的吸收特性。本文对光生载流子浓度的变化过程和少数载流子寿命的机理进行了理论分析。通过对不同少数载流子寿命不同半导体材料的太赫兹波透射性实验比较,综合考虑太赫兹波开关响应速率和调幅效果,从而初步确定基于高阻硅材料的开关方案。并对高阻硅材料进行少数载流子寿命降低方案的探索,通过高温热处理等手段掺杂金属铜离子,成功将其少数载流子寿命降至0.7μs左右。本文最后结合高阻硅材料的光电导效应与太赫兹功能器件特点,组建了大功率高速光路系统以满足高速开关的要求,结合返波管系统组建成开关性能测量平台,最终实现了响应速率1 MHz以上,调幅深度25%左右的光电导太赫兹波开关原理器件。

关键词：太赫兹波光电导效应少数载流子寿命太赫兹波开关

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光电导效应及其应用

物理通报 1994年第6期15卷 35-37页

作者：陈宜生张立升天津大学物理系

上一讲介绍了受光物体向体外发射电子的外光电效应。另有些情况下,物体被光照射并不向外发射电子,但发生电导率的变化或产生电动势,这类光电现象称为内光电效应。内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应两种情况。首先介绍光电导效应。

关键词：内光电效应光电导效应应用

YBa_2Cu_3O_(6.92)超导体光电导效应的正电子实验研究

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光电子技术 1998年第2期18卷 143-148页

作者：魏淑桃康春雷尚家香程国生张金仓河南师范大学新乡453002

报道了对光辐照YBa_2Cu_3O_6.92材料的正电子寿命谱研究结果，给出了正电子寿命参数随辐照时间变化的基本特征，利用两态捕获模型对实验结果进行了初步分析，计算了局域电子密度尼和空位浓度已随辐照时间的变化，发现光诱导而产生Cu－O... 详细信息

报道了对光辐照YBa_2Cu_3O_6.92材料的正电子寿命谱研究结果，给出了正电子寿命参数随辐照时间变化的基本特征，利用两态捕获模型对实验结果进行了初步分析，计算了局域电子密度尼和空位浓度已随辐照时间的变化，发现光诱导而产生Cu－O链区域电子结构的变化，证明O（1）和0（5）位之间的氧迁移和重新分布使得氧有序乃是光诱导电性的主要原因，为YBa_2Cu_3O_6.92体系光电导机理的理解提供了重要的正电子实验证据。

关键词：光电导效应超导体正电子湮没谱

YBa_2Cu_3O_(6+x)光电导效应的研究进展

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河南师范大学学报（自然科学版） 2002年第2期30卷 37-41页

作者：路庆凤刘英豪程国生河南师范大学物理与信息工程学院河南新乡453002

本文就高温超导体YBa2 Cu3 O6+x的光电导效应的研究现状进行了介绍 .

关键词： YB2Cu3O6+x 光电导效应研究进展超导电性空穴电子高温超导体 PPC效应 PISC效应

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低维GaS高响应度纸基光电探测器

物理实验 2024年第4期44卷 7-11,24页

作者：辛巍仲玮恒王晓颖闫楚欣刘为振东北师范大学物理学院吉林长春130024 东北师范大学物理学师范专业国家级实验教学示范中心(东北师范大学) 吉林长春130024

随着石墨烯的发现,二维材料因其与众不同的理化性质,而在科研领域的关注度与日俱增.以石墨烯为起点的二维材料(例如MoS_(2),WS_(2),GaS等)因在器件中具有较好的光电性质和较高的迁移率,而在生产和生活中具有良好的应用前景.本文简要探... 详细信息

随着石墨烯的发现,二维材料因其与众不同的理化性质,而在科研领域的关注度与日俱增.以石墨烯为起点的二维材料(例如MoS_(2),WS_(2),GaS等)因在器件中具有较好的光电性质和较高的迁移率,而在生产和生活中具有良好的应用前景.本文简要探讨了光电导效应的原理,采用铅笔勾勒的方法绘制出了石墨电极,并采用体材料液相超声后分散液滴涂的方法,制备了宏观尺度的GaS纸基光电探测器,该探测器具有可见光范围的光电响应,且具有较好的机械重复性.本文介绍的纸基光电探测器的制备方法对于高校基础物理和半导体物理课程的教学具有实际意义,有利于学生更好地理解光电导效应的原理.此外,纸基光电探测器不仅降低了制备成本,而且还有助于提高高校学生的科研实践能力.

关键词： GaS 光电导效应纸基光电探测器

基于全溶液法制备的SnO_(2)/1D-CsAg_(2)I_(3)异质结的高灵敏自驱动可见光盲紫外探测器

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Science China Materials 2023年第9期66卷 3629-3636页

作者：胡赵胜张博尧张飞娟郭兴林珍华张进成郝跃常晶晶 State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology School of MicroelectronicsXidian UniversityXi’an 710071China Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics Xidian UniversityXi’an 710071China

低维非铅金属卤化物材料因其优异的光电特性在可见光盲紫外探测领域具有很大的潜力.本文通过吡啶添加剂辅助一步溶液法成功制备了高质量类钙钛矿CsAg_(2)I_(3)薄膜,该薄膜展示出p型及202 meV低激子结合能(Eb).其Eb甚至和2D铅卤钙钛矿相... 详细信息

低维非铅金属卤化物材料因其优异的光电特性在可见光盲紫外探测领域具有很大的潜力.本文通过吡啶添加剂辅助一步溶液法成功制备了高质量类钙钛矿CsAg_(2)I_(3)薄膜,该薄膜展示出p型及202 meV低激子结合能(Eb).其Eb甚至和2D铅卤钙钛矿相当,有利于光生载流子分离.此外,探索了基于type-Ⅱ型n-p异质结SnO_(2)/CsAg_(2)I_(3)的自驱动紫外探测器,其中4.13 eV宽带隙、0.214 eV低Urbach能量的SnO_(2)的引入抑制了持续光电导效应.所制备的探测器件具有高灵敏特性及在可见光盲紫外探测器中超快的响应时间(47/74μs),大致快于当前CsAg_(2)I_(3)探测器数值的两个数量级.其响应度和探测率分别高达0.032 A W^(-1)和1.2×10^(11)Jones.此外,异质结>90%高可见光透光性展现出优越的可见光盲特性.这种优异的器件性能、可溶液法制备及长期稳定性为未来可见光盲、自驱动、稳定、环保的商用紫外探测器的制备提供了新思路.

关键词：紫外探测器自驱动异质结探测器件探测率响应度光电导效应金属卤化物

石墨烯与典型光导型光电探测器读出电路的对比研究

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红外技术 2022年第2期44卷 123-128页

作者：韩钦高恺聪任思伟伍俊江英赵瑞光申钧中国科学院重庆绿色智能技术研究院重庆400714 中国科学院大学北京100049 重庆光电技术研究所重庆400060 78092部队四川成都610000

石墨烯光电探测器具有兼容性好和宽波段响应等优势,其读出电路可类似于微测辐射热计等传统探测器。然而,石墨烯光电探测器一般属于光子型,其响应度、功耗和积分时间等具有显著差异。针对纯石墨烯、石墨烯-硫化铅异质结、硫化铅和典型微... 详细信息

石墨烯光电探测器具有兼容性好和宽波段响应等优势,其读出电路可类似于微测辐射热计等传统探测器。然而,石墨烯光电探测器一般属于光子型,其响应度、功耗和积分时间等具有显著差异。针对纯石墨烯、石墨烯-硫化铅异质结、硫化铅和典型微测辐射热计4种探测器,结合实测器件参数,进行读出电路的对比研究。仿真结果表明:由于其较高的响应度,实现相同的输出电压,石墨烯-硫化铅异质结探测器所需的积分时间最少,更利于高帧频应用。另一方面,与微测辐射热计相比,石墨烯探测器具有较高的功耗,而分析表明合理的器件结构设计可有效减小功耗。本文的研究工作可为二维材料等新型光电探测器的读出电路选择和参数设计提供参考。

关键词：石墨烯光电导效应读出电路光电探测器

基于Cu_(2)S电阻开关器件的光电记忆效应

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分子科学学报 2023年第1期39卷 35-41页

作者：陈建彪张凯杨春艳郭童童高丽烨徐讲文黄春连西北师范大学物理与电子工程学院甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室甘肃兰州730070

硫化亚铜由于其独特的电和光学特性,被广泛应用于电阻开关存储和光伏器件.本文通过脉冲激光沉积/化学气相沉积两步法合成Cu_(2)S薄膜,该膜由纳米颗粒构成,结晶度高,在近红外区有较好的光吸收特性.蒸镀铜电极构成Cu/Cu_(2)S/P-Si结构忆... 详细信息

硫化亚铜由于其独特的电和光学特性,被广泛应用于电阻开关存储和光伏器件.本文通过脉冲激光沉积/化学气相沉积两步法合成Cu_(2)S薄膜,该膜由纳米颗粒构成,结晶度高,在近红外区有较好的光吸收特性.蒸镀铜电极构成Cu/Cu_(2)S/P-Si结构忆阻器件后,器件表现出电子型双极阻变行为,其阻变机制由空间电荷限制电流和肖特基发射机制协同主导.此外,还探究了光对器件阻变行为的响应及机理.结果表明,在光照下,最大电流响应增加至暗态时的5倍.分析认为,光照使Cu/Cu_(2)S界面处的肖特基势垒减小,在高阻态下,阻变机制由肖特基发射机制转变为空间电荷限制电流机制,并使器件电导率增加.本工作为Cu_(2)S基光电协同响应忆阻器的研发提供了新思路.

关键词：忆阻器硫化亚铜光电导效应肖特基势垒