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[Co(en)_3]_2(Zr_2F_(12))(ZrF_6H_2O)·H_2O的合成、结构及表面光电压性质

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高等学校化学学报 2012年第5期33卷 876-879页

作者：韩义德杜宇李乙宋晓伟于吉红徐如人吉林大学化学学院无机合成与制备化学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院长春130012

采用常温晶化法合成了1个新的金属配合物与氟化锆的复合物[Co(en)3]2(Zr2F12)(ZrF6H2O).H2O(1),并对其单晶结构进行了解析.该化合物属单斜晶系,C2/c空间群,a=3.06110(17)nm,b=0.877680(5)nm,c=1.50811(9)nm,β=118.897(4)°,V=3.547(4)nm3,Z=8.该化合物由双核氟化锆阴离子簇[Zr2F12]4-和单核氟化锆阴离子簇[ZrF6H2O]2-与钴胺配合物阳离子[Co(en)3]3+及水分子组成,氟化锆与钴胺配合物之间存在大量的氢键.该化合物的表面光电压谱在339 nm处出现了光电信号.这种特殊的光电现象有可能归因于该化合物的钴胺配合物阳离子与氟化锆阴离子簇之间存在的协同作用.

关键词：氟化锆钴胺配合物氢键光电压

用脉冲激光研究细菌视紫红质的瞬态光吸收和光电压

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中国激光 2001年第10期28卷 896-900页

作者：杨群赵有源李富铭刘坚云南省楚雄师范专科学校物理系楚雄675000 复旦大学光科学系三束材料改性国家重点实验室上海200433 复旦大学高分子科学系上海200433

用自行装配的染料脉冲激光器 ,在室温下研究了细菌视紫红质膜蛋白 (BR)对 5种不同光波的瞬态光吸收和3种光波的光电压的关系。实验发现 ,BR对同一种光波的光电压和光吸收并不完全相关 ,影响其光电转换的因素除了与BR所吸收的光能多少有... 详细信息

用自行装配的染料脉冲激光器 ,在室温下研究了细菌视紫红质膜蛋白 (BR)对 5种不同光波的瞬态光吸收和3种光波的光电压的关系。实验发现 ,BR对同一种光波的光电压和光吸收并不完全相关 ,影响其光电转换的因素除了与BR所吸收的光能多少有关之外 ,还有其他复杂的原因。在 3种脉冲半宽为 110ns的染料激光中 ,6

关键词：细菌视紫红质膜蛋白瞬态光吸收光电压脉冲激光

半导体隔片电化学光电池——Ⅲ.光电压时域特性

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太阳能学报 1988年第3期9卷 256-266页

作者：肖科中国科学院界面科学实验室

本文采用二阶随动系统数学模型,模拟CdSe SC-SEPs的光电压—时间响应特性,讨论光电压响应的时间常数及光电压与光照密度的关系。在光照密度大于200mW/cm~2的条件下,对经过反复刻蚀处理的CdSe SC-SEPs,记录到光电压达2.087V和光电流为30m... 详细信息

本文采用二阶随动系统数学模型,模拟CdSe SC-SEPs的光电压—时间响应特性,讨论光电压响应的时间常数及光电压与光照密度的关系。在光照密度大于200mW/cm~2的条件下,对经过反复刻蚀处理的CdSe SC-SEPs,记录到光电压达2.087V和光电流为30mA/cm~2的新结果。

关键词：光电压响应信号 SC 光照时间曲线隔片光电池电化学时域特性

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气体吸附对SnO_2／Si光电压的影响

半导体光电 1996年第2期17卷 126-129页

作者：沈华朱文章吴孙桃蔡玉霜厦门大学厦门集美航海学院

测量了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２、液化石油气等还原性气体前后光电压的变化；分析、讨论了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面的吸附性和机理。

关键词：半导体材料薄膜异质结光电压吸附特性

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多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减

发光学报 1993年第2期14卷 206-208页

作者：孙甲明张吉英申德振范希武中国科学院长春物理研究所长春130021

自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YA... 详细信息

自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YAG激光器的1.

关键词：多孔硅电荷储存光电压衰减

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TCNQ光电压气敏特性的量子化学研究

高等学校化学学报 1991年第8期12卷 1110-1112页

作者：郭纯孝王德军江雷吉林大学化学系长春130023

7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷（TCNQ）的CT复合物是良好的导电材料,具有许多超常的特性,我们曾用表面光电压技术（SPV）首次观察到TCNQ多晶内部既有施主基团又有受主基团,TCNQ与探针分子（CO,O2,No2）作用,其光电压谱发生2类不同的变化... 详细信息

7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷（TCNQ）的CT复合物是良好的导电材料,具有许多超常的特性,我们曾用表面光电压技术（SPV）首次观察到TCNQ多晶内部既有施主基团又有受主基团,TCNQ与探针分子（CO,O2,No2）作用,其光电压谱发生2类不同的变化。为从理论上阐明产生不同光电压谱的原因,本文用CNDO法研究了TCNQ的电子结构及其与探针分子的相互作用,讨论了气敏特性与机理。

关键词： TCNQ 光电压气敏特性量子化学

表面光电压法测定Al_xGa_(1-x)As的组分和少子扩散长度

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固体电子学研究与进展 1990年第2期10卷 200-204页

作者：黄景昭沈qi华厦门大学

本文通过测量n-Al_xGa_(1-x)As/n-GaAs材料的表面光电压并推导了有关的计算公式,判定其光跃迁类型,从而计算出它们的禁带宽度,确定了Al的组分x;计算出它们的少子扩散长度.测量和计算的结果与SEM方法的测量结果基本一致.

关键词： AlGaAs 组分少子扩散测量光电压

菌紫质人工膜的光电压与离子强度的非线性关系

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生物工程进展 1997年第4期17卷 10-13页

作者：郑国和王敖金杨俭华胡坤生林书煌中科院生物物理研究所首都师范大学生物信息科学研究所

本文研究了Ｋ＋、Ｍｇ２＋和Ｌａ３＋离子强度对菌紫质人工膜的光电压的影响。研究结果表明，在实验所测定的离子强度范围内菌紫质人工沉淀膜的光电压与上述离子的离子强度间具有非线性关系，并随离子价数的提高其响应峰值的位置向低浓... 详细信息

本文研究了Ｋ＋、Ｍｇ２＋和Ｌａ３＋离子强度对菌紫质人工膜的光电压的影响。研究结果表明，在实验所测定的离子强度范围内菌紫质人工沉淀膜的光电压与上述离子的离子强度间具有非线性关系，并随离子价数的提高其响应峰值的位置向低浓度发展。本文研究结果将对菌紫质光化学反应循环、质子迁移机制的研究，以及菌紫质光电池的设计。

关键词：生物膜菌紫质人工膜光电压离子强度

(ZnCd)Se/ZnSe 多量子阱光电压特性

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集美航海学院学报 1998年第4期16卷 37-40页

作者：朱文章集美航海学院基础部

在温度１８～３００Ｋ范围内测量了以ＧａＡｓ为衬底的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层多量子阱的光电压谱．发现（ＺｎＣｄ）Ｓｅ／ＺｎＳｅ量子阱具有显著的量子限制效应；激子束缚能大，直至室温仍然能观测到清晰的激子跃迁峰... 详细信息

在温度１８～３００Ｋ范围内测量了以ＧａＡｓ为衬底的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层多量子阱的光电压谱．发现（ＺｎＣｄ）Ｓｅ／ＺｎＳｅ量子阱具有显著的量子限制效应；激子束缚能大，直至室温仍然能观测到清晰的激子跃迁峰．实验结果与理论计算结果基本一致．

关键词：量子阱光电压半导体激光器