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Mn掺杂的碱土金属硫化物红外光激励发光及光存储性能的比较

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光谱学与光谱分析 2005年第9期25卷 1385-1387页

作者：张琳王永生孙力鲁成祝北京交通大学

采用硫化助熔剂法制备了SrS:Eu,Mn和CaS:Eu,Mn荧光粉。与CaS相比,SrS基质材料的光激励发光峰位于610nm,比前者更接近视觉敏感区。比较了不同基质材料的存储光和量,SrS基质材料存储能力强于CaS。同时Mn2+掺杂增大了碱土金属硫化物被存储... 详细信息

采用硫化助熔剂法制备了SrS:Eu,Mn和CaS:Eu,Mn荧光粉。与CaS相比,SrS基质材料的光激励发光峰位于610nm,比前者更接近视觉敏感区。比较了不同基质材料的存储光和量,SrS基质材料存储能力强于CaS。同时Mn2+掺杂增大了碱土金属硫化物被存储的光子数量,有利于提高材料的存储性能。

关键词：光激励发光 Mn 碱土金属硫化物

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紫外线激发后KCl:Cu^+的光激励发光

光谱学与光谱分析 2005年第10期25卷 1733-1735页

作者：孙力王永生赵谡玲徐征薛炜炜北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

用固相反应法制备了KCl:Cu+多晶样品。经紫外光辐照后,用560 nm的光照射能产生近紫外蓝光的光激励发光。研究表明,Cu+作为发光中心,经紫外光辐照后并没有产生Cu+到Cu2+的变价,即Cu+不是空穴俘获中心,而阴离子空位充当电子陷阱。当激发... 详细信息

用固相反应法制备了KCl:Cu+多晶样品。经紫外光辐照后,用560 nm的光照射能产生近紫外蓝光的光激励发光。研究表明,Cu+作为发光中心,经紫外光辐照后并没有产生Cu+到Cu2+的变价,即Cu+不是空穴俘获中心,而阴离子空位充当电子陷阱。当激发后的样品受到光激励时,电子与空穴中心或VK心复合后将能量传递给Cu+离子,产生d-s跃迁的特征发射。

关键词：光激励发光 KCl Cu^+ 电子俘获

退火处理对CsBr:Eu^(2+)光激励发光性能的影响

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无机材料学报 2010年第9期25卷 952-956页

作者：孟佳赵丽丽吴洁华宋力昕中国科学院上海硅酸盐研究所特种无机涂层重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

采用高温固相烧结法制备了CsBr:Eu2+粉体,系统研究了退火处理后粉体的光激励发光谱、吸收差谱和光激励发光衰减时间等,发现退火处理能有效提高CsBr:Eu2+粉体光激励发光强度,缩短其发光衰减时间.重点分析了退火气氛与光激励发光性能之间... 详细信息

采用高温固相烧结法制备了CsBr:Eu2+粉体,系统研究了退火处理后粉体的光激励发光谱、吸收差谱和光激励发光衰减时间等,发现退火处理能有效提高CsBr:Eu2+粉体光激励发光强度,缩短其发光衰减时间.重点分析了退火气氛与光激励发光性能之间的关系,实验结果表明,退火气氛中的氧取代溴离子Br-成为替位氧离子Os-,而氢原子将进入间隙位成为间隙氢原子Hio.替位氧离子Os-以及Hio和Ho2i都是有效的电子俘获中心,并且它们与空穴俘获中心的形成密切相关.

关键词： CsBr:Eu2+ 光激励发光退火电子/空穴俘获中心

电子俘获光存储材料BaLiF_3:Eu^(2+)的光激励发光及光存储性质研究

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光谱学与光谱分析 2006年第3期26卷 399-402页

作者：王欣姿王永生孙力徐征发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044

利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3Eu2+样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410nm处,属于Eu2+的5d—4f跃迁发光。光激励峰位于660nm,因而可以配用简单廉价的氦氖激光器。根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理。测量... 详细信息

利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3Eu2+样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410nm处,属于Eu2+的5d—4f跃迁发光。光激励峰位于660nm,因而可以配用简单廉价的氦氖激光器。根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理。测量了该材料光激励发光衰减性能,结果表明BaLiF3Eu2+存储的信息可以方便地擦除掉。该材料具有优良的光激励发光特性,是一类很有发展前途的电子俘获光存储材料。

关键词：电子俘获光激励发光光存储

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用吸收差谱研究电子俘获材料的光激励发光

光谱学与光谱分析 2005年第11期25卷 1749-1752页

作者：孙力王永生何志毅孟宪国北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能... 详细信息

以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能给出与光激励谱相同的信息外,还包含空穴陷阱的激励,光存储总量等信息,因此有助于更全面地了解材料的光激励发光过程。

关键词：电子俘获材料吸收光谱光激励发光

CsBr：(Eu^2＋,KOH)粉体光激励发光和抗辐照性能研究

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无机材料学报 2013年第5期28卷 551-556页

作者：孟佳赵丽丽宋力昕中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院特种无机涂层重点实验室上海200050

采用高温固相烧结法制备了KOH掺杂的CsBr:(Eu2+,KOH)粉体,通过对材料体系荧光光谱、光激励发光谱、拉曼光谱和光激励发光衰减时间等的系统研究,深入分析了KOH对CsBr:Eu2+粉体光激励发光性能和抗辐照性能的影响。研究结果表明,掺杂引入的... 详细信息

采用高温固相烧结法制备了KOH掺杂的CsBr:(Eu2+,KOH)粉体,通过对材料体系荧光光谱、光激励发光谱、拉曼光谱和光激励发光衰减时间等的系统研究,深入分析了KOH对CsBr:Eu2+粉体光激励发光性能和抗辐照性能的影响。研究结果表明,掺杂引入的OH-离子增加了无辐射跃迁的几率,随着KOH浓度的增大,CsBr:(Eu2+,KOH)粉体的光激励发光衰减时间逐渐缩短。同时,由于K+和OH-离子的共同作用,使材料中Eu离子周围空位浓度减少,避免了因Eu2+聚集而导致的浓度淬灭,使CsBr:(Eu2+,KOH)粉体的抗辐照性能增强。

关键词： CsBr:Eu2+ KOH 光激励发光抗辐照

CaS:Eu,Sm荧光粉表面二氧化硅包覆对其光激励发光特性的影响(英文)

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发光学报 2013年第5期34卷 547-553页

作者：盖敏强陈朝阳范艳伟王军华谢永新中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

改进了CaS∶Eu,Sm荧光粉在实时剂量计系统中的稳定性和实用性。以不同体积的正硅酸乙酯作为前驱体,采用溶胶凝胶法对CaS∶Eu,Sm荧光粉进行表面包覆。分别使用荧光分光光度计和酸度计对荧光粉的发光特性和防水特性进行表征。实验结果显... 详细信息

改进了CaS∶Eu,Sm荧光粉在实时剂量计系统中的稳定性和实用性。以不同体积的正硅酸乙酯作为前驱体,采用溶胶凝胶法对CaS∶Eu,Sm荧光粉进行表面包覆。分别使用荧光分光光度计和酸度计对荧光粉的发光特性和防水特性进行表征。实验结果显示当质量分数为5%时,包覆层能明显提高荧光粉的稳定性且不影响荧光粉的发光强度。从材料的光激励发光和剂量响应测试实验中可以得出材料的退火特性以及相应的辐射剂量值。以CaS∶Eu,Sm荧光粉为基础的辐射剂量测试系统显示在0.1～300 Gy范围内具有良好的线性关系。结果显示表面包覆层明显抑制光激励发光特性,而且随着辐射剂量的增加,这种影响愈来愈显著。最后,我们提出了以光激励发光技术为基础的辐射剂量在线测试改进系统。

关键词： CaS Eu,Sm 光激励发光二氧化硅包覆溶胶凝胶法

新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb^(3+),Li^+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

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物理学报 2012年第9期61卷 464-467页

作者：秦青松马新龙邵宇杨星瑜盛鸿飞杨靖忠尹瑶张加驰兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室兰州730000

采用高温固相法获得了一种只具有微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb^(3+),Li^+.发光性能研究结果表明:该材料对980/nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应,同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源.光存储性能研... 详细信息

采用高温固相法获得了一种只具有微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb^(3+),Li^+.发光性能研究结果表明:该材料对980/nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应,同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源.光存储性能研究结果表明:该材料的浅陷阱较少,因此其余辉发光很弱,不到500 s;另一方面,该材料中存在大量的深蓄能陷阱.因此,Sr_2SnO_4:Tb^3+,Li^+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料.此外,还讨论了Sr_2SnO_4:Tb^(3+),Li^+的光存储发光机理.

关键词： Sr_2SnO_4 Tb^3+ Li^+ 光激励发光光存储

(Ca,Sr)S:Eu,Sm的光激励发光和电子俘获机理的研究

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光电子．激光 2003年第7期14卷 729-732页

作者：何志毅王永生孙力徐征徐叙北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

研究了CaxSr1-xS:Eu,Sm(x=0～1)的光激励发光和吸收性质,测量了样品的红外光激励谱。发现激发后样品在红外区的吸收增强,增强部分的波长分布与光激励谱相同,峰的位置随组分x值而变化,同时在这些谱带上还发现了一些次级结构。由此说明Sm3... 详细信息

研究了CaxSr1-xS:Eu,Sm(x=0～1)的光激励发光和吸收性质,测量了样品的红外光激励谱。发现激发后样品在红外区的吸收增强,增强部分的波长分布与光激励谱相同,峰的位置随组分x值而变化,同时在这些谱带上还发现了一些次级结构。由此说明Sm3+对陷阱的红外激励吸收的影响。据此提出一个复合陷阱模型,指出电子俘获中心并非Sm3+附近形成的晶格缺陷。

关键词：光激励发光电子俘获碱土金属硫化物 Sm Eu