检索结果-南通市图书馆

半导体光电 2000年第5期21卷 321-324页

作者：黄裕年北京应用物理与计算数学研究所北京100088

光导半导体开关已用于脉冲功率系统 ,如点火装置、超宽带脉冲发射机、紧凑型加速器和电感储能设备等 ,光导半导体开关为现有的脉冲功率技术提供了多方面改进。介绍了在这些应用中的开关参量和一些特殊要求 ,并讨论了试验结果。

关键词：光导半导体开关脉冲功率系统加速器

深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响

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光子学报 2003年第1期32卷 121-123页

作者：张同意石顺祥赵卫龚仁喜孙艳玲西安电子科技大学技术物理学院西安710071 中国科学院西安光机所

建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程 ,获得了与实验现象定性吻合的电流输出 ,给出了平均载流子随时间演化的情况 .分析结果表明 ,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后 ,有可能对非线性光导开关中发生的一系... 详细信息

建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程 ,获得了与实验现象定性吻合的电流输出 ,给出了平均载流子随时间演化的情况 .分析结果表明 ,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后 ,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释 ,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导 .

关键词：光导半导体开关非线性工作模式深能级杂质模型数值分析 PCSS

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用光导半导体开关产生高功率微波

半导体光电 1998年第2期19卷 101-106页

作者：黄裕年北京应用物理与计算数学研究所 100088

由于光导半导体开关（PCSS）皮秒闭合和无抖动的优异特性，光控这种开关可产生高功率微波。本文描述了PCSS的三种工作模式及四种类型光作用微波源，并把它们与一般高功率微波源作了比较，最后，讨论了这类微波源的性能限制和发展前景。

关键词：光导半导体开关微波源工作模式

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高增益砷化镓光导半导体开关

爆轰波与冲击波 2002年第1期 12-15页

作者：程念安

简要的描述了高增益砷化镓（GaAs)光导半导体开关（PCSS）的特性。介绍了国外的研究动态和应用实例。概述了国内有关GaAs PCSS的现状，给出了用GaAs PCSS脉冲发生器的输出波形。对今后提高GaAs PCSS技术性能的要求也进行了讨论。

关键词：高增益脉冲发生器高功率脉冲技术相控阵雷达幅射源光导半导体开关砷化镓

基于光导半导体的MHz高重频可调谐脉冲产生技术研究

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强激光与粒子束 2022年第7期34卷 60-65页

作者：楚旭王朗宁朱效庆王日品王彬荀涛刘金亮国防科技大学前沿交叉学科学院长沙410073

随着微波光子学的发展,新型光导微波技术利用高重频脉冲簇激光,入射到线性光导半导体器件中产生可调谐高功率电磁脉冲的方式受到广泛关注。SiC光导半导体开关(PCSS)具有高击穿场强,高饱和载流子速率,高抗辐射能力,高热传导率和高温工作... 详细信息

随着微波光子学的发展,新型光导微波技术利用高重频脉冲簇激光,入射到线性光导半导体器件中产生可调谐高功率电磁脉冲的方式受到广泛关注。SiC光导半导体开关(PCSS)具有高击穿场强,高饱和载流子速率,高抗辐射能力,高热传导率和高温工作稳定性等优点,是产生高重频、高功率、超短脉冲的重要固态电子器件。介绍了一种基于钒补偿半绝缘4H-SiC PCSS的MHz重复频率亚纳秒脉冲发生器。该发生器采用1 MHz,1030 nm可调谐光脉冲宽度的激光簇驱动源,4H-SiC PCSS的厚度为0.8 mm。整系统可得到最大输出电功率176 kW、最小半高宽约为365 ps的MHz重频短脉冲。

关键词：光导半导体开关重复频率可调谐亚纳秒脉冲脉冲发生器

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高介电常数复合介质固态Blumlein线

强激光与粒子束 2007年第1期19卷 174-176页

作者：陈德彪刘承俊夏连胜戴光森张篁程念安中国工程物理研究院流体物理研究所四川绵阳621900

以陶瓷聚合物复合介质作为储能介质，砷化镓光导半导体开关作为开关，设计了带状Blumlein线并对其进行了实验研究。实验结果表明，复合介质Blumlein介电常数高达80-250，在21Ω的匹配负载上获得电压幅值为2kV，前沿小于5ns，半高宽约34n... 详细信息

以陶瓷聚合物复合介质作为储能介质，砷化镓光导半导体开关作为开关，设计了带状Blumlein线并对其进行了实验研究。实验结果表明，复合介质Blumlein介电常数高达80-250，在21Ω的匹配负载上获得电压幅值为2kV，前沿小于5ns，半高宽约34ns，波动约士10A的平顶宽为22ns的电压脉冲，能满足脉冲功率系统小型化的应用要求。

关键词：固态Blumlein线复合介质光导半导体开关脉冲功率源

负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响

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光子学报 2002年第4期31卷 445-449页

作者：张同意石顺祥赵卫龚仁喜孙艳玲西安电子科技大学技术物理学院西安710071 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室西安710068

对 Ga As光导开关非线性工作时 ,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析 ,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形 ,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况。计算表明 Ga As材料的负微分迁移率引起的微分... 详细信息

对 Ga As光导开关非线性工作时 ,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析 ,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形 ,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况。计算表明 Ga As材料的负微分迁移率引起的微分负阻 ,会导致阴极附近电场的动态增强 ,使得阴极附近的电场达到本征碰撞电离发生的阈值电场 ,从而引发本征碰撞电离的发生。分析结果表明 ,碰撞电离可以极大地延长电流输出的时间 ,但仅考虑负微分迁移率特性的本征碰撞电离过程不足以完全解释观察到的所有非线性现象。

关键词：光导半导体开关非线性工作模式负微分迁移率碰撞电离模拟计算 GaAs 砷化镓非线性特性

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氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性

半导体技术 2021年第6期46卷 474-478页

作者：卫新发梁国松张育民王建峰徐科中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院合肥230026 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米光子材料与器件重点实验室江苏苏州215123 苏州纳维科技有限公司江苏苏州215123

氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti... 详细信息

氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti与GaN之间的反应。研究发现Ti薄层的厚度和退火温度对欧姆接触有重要影响。在Ti薄层厚度为5 nm时,随着退火温度的升高,ITO/Ti/GaN之间的接触逐渐转变为欧姆接触,且接触电阻率随之减小;但当退火温度超过700℃时,欧姆接触变差,这与ITO中的In、Sn和O元素向界面扩散有关;适当提高Ti薄层的厚度可以有效改善ITO/Ti/GaN欧姆电极的热稳定性,但过厚的Ti薄层会对GaN基光电器件的透过率产生影响。

关键词：掺Fe GaN 氧化铟锡(ITO) Ti薄层欧姆接触热稳定性光导半导体开关

Experimental Study of Surface Flashover Field of SI-GaAs Photoconductive Semiconductor Switch

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高电压技术 2013年第8期39卷 1919-1924页

作者： JI Weili SHI Wei Applied Physics Department Xi'an University of Technology Xi'an 710048 China State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment Xi'an Jiaotong University Xi'an 710049 China

With its unique features, photoconductive semiconductor switch (PCSS) is generally recognized today as a promising power electronic device. However, a major limitation of PCSS is its surprisingly low voltage threshold of surface flashover (SF). In this paper, an experimental study of surface flashover of a back-triggered PCSS is presented. The PCSSs with electrode gap of 18 mm are fabricated from liquid encapsulated czochralski (LEC) semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs), and they are either un-coated, or partly coated, or en- tirely coated PCSSs with high-strength transparent insulation. The SF fields of the PCSSs are measured and discussed. According to the experimental results, the high-dielectric-strength coating is efficient in both reducing the gas desorption from semiconductor and increasing the SF field: a well-designed PCSS can resist a voltage up to 20 kV under the repetition frequency of 30 Hz. The physical mechanism of the PCSS SF is analyzed, and the conclusion is made that having a channel structure, the SF is the breakdown of the contaminated dielectric layer at the semiconductor-ambient dielectric interface. The non-uniform distribution of the surface field and the gas desorption due to thermal effects of semiconductor surface currents are key factors causing the SF field reduction.

关键词：光导半导体开关 SI-GaAs 沿面闪络实验光电电力电子装置光导开关半绝缘砷化镓

高介电常数复合介质固态Blumlein线研究

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高介电常数复合介质固态Blumlein线研究

作者：陈德彪中国工程物理研究院

学位级别：硕士

近年来，许多应用要求脉冲功率源小型化(紧凑、轻便)，因此固态介质脉冲形成线的发展日益受到重视。例如新型的介质壁加速器(DWA)为实现高加速梯度及紧凑化，正在发展不同形式的固态介质带状Blumlein线。本论文利用国内正在研制的高介... 详细信息

近年来，许多应用要求脉冲功率源小型化(紧凑、轻便)，因此固态介质脉冲形成线的发展日益受到重视。例如新型的介质壁加速器(DWA)为实现高加速梯度及紧凑化，正在发展不同形式的固态介质带状Blumlein线。本论文利用国内正在研制的高介电常数陶瓷聚合物复合介质和砷化镓光导半导体开关，开展了固态带状Blumlein脉冲形成线的设计和实验研究。论文内容主要包括以下两个方面：一、高介电常数复合介质的参数测量和高介电常数复合介质固态带状Blumlein线设计。设计包括固态Blumlein线的几何结构、开关、耐压等设计及此设计下的静电场分布、脉冲形成模拟。二、实验研究。分别对以相对介电常数为95和225的陶瓷聚合物复合介质作为储能介质的固态带状Blumlein线进行脉冲形成研究和耐压实验研究。研究了这两种不同介电常数介质的Blumlein线在不同开关、不同电压等条件下的脉冲形成特性。耐压实验分别对材料小样品和两种Blumlein线的耐压性能作了较为深入的研究。通过研究，得出以下结论： 1、所研究的陶瓷聚合物复合介质介电常数高达100～250，介质损耗角正切小于0.01，直流电压下介质体击穿电场强度大于100kV／cm，即此陶瓷聚合物复合介质材料具有大大高于去离子水和变压器油等介质的储能密度和良好的耐压性能及低损耗特性。另外陶瓷聚合物复合介质具有优良的高频性能和频率稳定性，因此具有取代去离子水、变压器油等介质作为脉冲形成线储能介质的应用前景。 2、采用高介电常数陶瓷聚合物复合介质为储能材料，以低导通电感、低导通电阻的GaAs光导半导体开关作为开关的带状Blumlein型脉冲形成线得到了较为理想的电压脉冲，平顶波动小于±1％。如果配以工作电压更高的低导通电感、低导通电阻的开关，采用高介电常数的陶瓷聚合物复合介质作为储能材料的脉冲形成线具有输出较理想的高压高功率脉冲的能力。通过高介电常数陶瓷聚合物复合介质作为储能材料的固态带状Blumlein型脉冲形成线获得高压大功率脉冲是可行的。

关键词：高介复合介质带状固态Blumlein线光导半导体开关小型化