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HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制
HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制
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2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会
作者: 李欣 王淑芬 毛京湘 赵晋云 昆明物理研究所
p-n 结 I-V 特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能。实验主要对离子刻蚀环孔 p-n 结 HgCdTe 长波光伏探测器进行变温 I-V 特性测试分析。通过对测试实验数据拟合,从理论上计算... 详细信息
来源: cnki会议 评论
8~14微米碲锡铅光伏探测器及其阵列
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激光与红外 1972年 第7期 56-60页
作者: 红光
作者用气相传输系统在碲化铅基片上生长了PbxSn1-xTe合金(X值在0.88~0.75之间)的单晶层。并用这种合金材料制成了灵敏的光电二极管。单晶层组分的一致性良好,这对制造大线性阵列颇为重要。本文将介绍材料的生长,单个和多元件的制造。
来源: 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
截止频率达千兆赫的10.6微米CdHgTe光伏探测器
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激光与红外 1972年 第8期 51-55页
作者: 一平
利用化学计量偏离法制备了x(~-)0.20的p-n结CdHgTe件,来研究10.6微米波长的光伏探测。这种光电二极管的灵敏面积为4×10~10厘米,观测到件在77°K下当反向偏压为-0.1伏时,其并联电阻和电容分别为10欧和8微微法。研究了探测CO激... 详细信息
来源: 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
用于10微米波长的碲锡铅光伏探测器
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激光与红外 1972年 第2期 6-7页
作者: H.C.Wright 昭华
过去几年,对研制8~14微米范围内以本征方式工作的HgCdTe探测器给于了较多的注意。本文将提出在该波长范围内的一种新探测器的初步研制结果。这种探测器除利用单晶PbSnTe材料外在许多方面都类似于HgCdTe探测器。这些PbSnTe探测器光伏... 详细信息
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光伏InSb探测器R_0A值的测试与分析
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激光与红外 2000年 第4期30卷 240-243页
作者: 杜红燕 华北光电技术研究所 北京100015
对所生产的光伏 In Sb件 R0 A值进行了测试 ,结面积为2 .9mm的单元件 R0 A值在 5.71× 1 0 4~ 5.75× 1 0 6Ω cm2之间 ,50× 1 0 0 μm2的线列件典型 R0 A值为 3× 1 0 4 Ωcm2 ,对测试结果进行了分析。讨论了件表面漏电对 ... 详细信息
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Hg1-xCdxTe晶体质量与光伏探测器特性的关系
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红外与毫米波学报 1987年 第2期6 A卷 156-160页
作者: 杨秀珍 葛友放 黄桂娟 孙秀英 童斐明 中国科学院上海技术物理研究所
定性地研究了晶体的透射比与光伏探测器探测率的关系、晶体的小角晶界对多元列阵件电学串音的影响以及光敏面位于面和面所表现出来的性能差异和晶体中的Te沉淀使件零偏压电阻R严重降低的现象,实验结果表明晶体的透射比可以作为选择... 详细信息
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砷掺杂基区n-on-p长波光伏碲镉汞探测器的光电特性
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激光与红外 2009年 第5期39卷 510-513页
作者: 刘斌 周文洪 李海滨 邓屹 胡晓宁 中国科学院上海技术物理研究所材中心 上海200083
报道了砷掺杂基区n-on-p长波碲镉汞平面结件的电流电压特性、光谱响应特性,并同p型汞空位n-on-p长波碲镉汞平面结件进行对比分析,发现砷掺杂基区长波件的很多性能如优值R0A、电流响应率、黑体探测率都要优于汞空位基区长波件。
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锑化铟光伏、光导探测器激光损伤的热模型
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激光与红外 1977年 第8期 45-51页
作者: 尚铎
导出了受激光辐照的InSb光伏和光导探测器热损伤的模型。光导探测器热损伤的模型须考虑成层结构的影响。为描述光伏探测器的损伤,模型应包括入射激光束高斯分布中的径向热传导。InSb材料用模型计算的永久性损伤与辐照时间的依赖关系同... 详细信息
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阳极氧化膜对光伏探测器的钝化作用
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红外研究(A辑) 1986年 第5期 352-352页
作者: 陈宜方 方家熊 汤定元 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海技术物理研究所
本文根据对阳极氧化膜与(Hg、Cd)Te界面特性的电子能谱和MIS C-V测试结果,讨论了用阳极氧化膜作光伏探测器钝化膜的可能性。提出了在(Hg、Cd)Te表面先生长一层约0.01μm阳极氧化膜作表面预处理的新设想。(Hg、Cd)Te为衬底的探测... 详细信息
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多量子阱红外焦平面光伏探测器的光敏元芯片
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红外 2002年 第2期 50-50页
作者: 金雪文
多量子阱红外焦平面光伏探测器的光敏元芯片是红外焦平面探测器件的核心部件。在目前的量子型红外焦平面技术中,光敏元芯片都是由若干电学与光学在空间上分离的探测
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