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InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究

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半导体光电 2008年第1期29卷 60-63页

作者：田招兵张永刚顾溢祝向荣郑燕兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进... 详细信息

通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进行了比较和分析。实验结果表明,气态源分子束外延材料具有良好的均匀性;氮化硅钝化器件总体性能上优于聚酰亚胺钝化器件。引线封装实验显示,SiN钝化膜有较好的抗冲击和热稳定性,具有更好的工艺相容性。

关键词： InGaAs 光伏探测器焦平面阵列钝化气态源分子束外延

一种新颖的HgCdTe光伏探测器R_0和C_d测量方法

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红外技术 2011年第1期33卷 9-12页

作者：余连杰史衍丽康蓉彭曼泽庄继胜昆明物理研究所云南昆明650223

把碲镉汞(HgCdTe)光伏探测器的零偏压结电阻R0和结电容Cd的交流测试法与124A型锁相放大器的特点结合起来,提出了一种新颖的R0和Cd测量方法。该方法简单易行,而且能准确测量出高阻(R0≥1 k?)HgCdTe光伏探测器的零偏压结电阻R0、结电容Cd... 详细信息

把碲镉汞(HgCdTe)光伏探测器的零偏压结电阻R0和结电容Cd的交流测试法与124A型锁相放大器的特点结合起来,提出了一种新颖的R0和Cd测量方法。该方法简单易行,而且能准确测量出高阻(R0≥1 k?)HgCdTe光伏探测器的零偏压结电阻R0、结电容Cd、响应时间τ和面阻抗(R0A)等参数,并采用标准探测器估算出该系统的测试误差(光伏探测器的零偏压结电阻和结电容。

关键词：光伏探测器 124A锁相放大器参数测量新颖方法

HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制

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红外与激光工程 2007年第Z1期36卷 189-192页

作者：李欣王淑芬毛京湘赵晋云昆明物理研究所云南昆明650223 昆明物理研究所云南昆明650223 昆明物理研究所云南昆明650223 昆明物理研究所云南昆明650223

P-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔P-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温,I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在... 详细信息

P-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔P-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温,I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在不同温度及不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.希望利用分析计算结果了解工艺中存在的问题,对改进工艺及提高器件性能提供理论依据.

关键词：暗电流碲镉汞光伏探测器实验分析模拟计算

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PbTe光伏探测器的研制

PbTe光伏探测器的研制

作者：魏晓东浙江大学

学位级别：硕士

Ⅳ-Ⅵ族半导体是一类禁带宽度很窄的化合物半导体材料,由于其独特的物理性质,是应用于红外波段光电探测器的理想材料。本文简要介绍了Ⅳ-Ⅵ族半导体的背景,系统回顾了红外探测器及红外成像系统的发展。在深入研究了光伏探测器的工作原理... 详细信息

Ⅳ-Ⅵ族半导体是一类禁带宽度很窄的化合物半导体材料,由于其独特的物理性质,是应用于红外波段光电探测器的理想材料。本文简要介绍了Ⅳ-Ⅵ族半导体的背景,系统回顾了红外探测器及红外成像系统的发展。在深入研究了光伏探测器的工作原理后,结合PbTe外延薄膜的物理特性,设计了In2O3/PbTe异质结型中红外光伏探测器。利用自主的分子束外延(MBE)生长设备,在CdZnTe(111)基底上外延生长p-PbTe单晶薄膜,并对薄膜的物理特性进行了一系列表征,结果表明外延生长的PbTe单晶薄膜具备较高的晶体质量。采用磁控溅射设备在p-PbTe薄膜上沉积N-In203多晶薄膜形成异质结构,以此为有源区,通过真空沉积ZnS薄膜做钝化绝缘层和In薄膜做欧姆接触电极,制成国内第一个PbTe结型中红外光伏探测器。将芯片封装入杜瓦瓶,在77K温度下测得探测器的响应波段为1.5～5.5μm,探测率D*为2×1010cm·Hz1/2W-1。根据I-V特性曲线得到探测器的优值因子R0A,并进一步计算得到了探测器在77K温度下的峰值探测率硝可达4.35×1010cm·Hz1/2W-1。最后,总结了自己在研究生期间的主要工作,对实验室在PbTe光伏探测器方面的研究工作进行了展望。

关键词： PbTe 光伏探测器中红外

Hg+离子注入Hg1-xCdx Te光伏探测器的进展

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红外与激光工程 1976年第3期 31-36页

本文报导Hg+离子注入Hg1-xCdxTe 光伏探测器最新的一些结果。经过挑选的二极管,在77°K 和降低背景条件下（即视场角=60°）,测得3.7、8和10.1微米处峰值探测率分别等于2.8×1011,5.9×1010和4×1010厘米·赫1/2·瓦-1,而量子效率均超过... 详细信息

本文报导Hg+离子注入Hg1-xCdxTe 光伏探测器最新的一些结果。经过挑选的二极管,在77°K 和降低背景条件下（即视场角=60°）,测得3.7、8和10.1微米处峰值探测率分别等于2.8×1011,5.9×1010和4×1010厘米·赫1/2·瓦-1,而量子效率均超过90%。1.2×10-3厘米2的探测器,在5微米处观察到零偏压电阻与面积的乘积高于10～4欧·厘米2,在9.5微米处高于24欧·厘米2。电容—电压测量指出,结是突变的,在强的反向偏压下出现反常效应。面积为3×10-4厘米2的二极管,响应时问是1毫微秒。

关键词：光伏探测器二极管探测率 x)Cd_x Te 离子注入离子掺杂 Hg

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InSb光伏探测器钝化对电学性能的影响

红外与激光技术 1982年第4期 25-30页

作者：王红妹八三五八所

实验以阳极氧化法在0.1MKOH溶液中钝化InSb光伏探测器,测量器件钝化前后电学性能的变化。结果表明,器件经钝化后,反向阻抗普遍提高,零偏压阻值显著增加。由于有效地减小表面漏电现象和“沟道效应”,台面下反型层对信号响应降低,改善了... 详细信息

实验以阳极氧化法在0.1MKOH溶液中钝化InSb光伏探测器,测量器件钝化前后电学性能的变化。结果表明,器件经钝化后,反向阻抗普遍提高,零偏压阻值显著增加。由于有效地减小表面漏电现象和“沟道效应”,台面下反型层对信号响应降低,改善了器件敏感面扩大问题。借助于俄歇电子能谱仪和x光能谱仪对钝化膜的主要成份进行了测定。文中列出器件钝化前后性能变化数据,並对实验中的现象及有关工艺问题进行讨论。

关键词：光伏探测器信号响应反型层 InSb 表面漏电电学性能器件性能

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锑化铟光伏探测器

国外红外与激光技术 1973年第3期 37-51页

前言锑化铟光伏红外探测器,由于其具有现代探测器的工作性能,在军用和工业用的红外装置上得到日益广泛的应用。单元及多元探测器的性能已发展到背景辐射限(BLIP)的程度。虽然这种探测器应用广泛,但公布的数据不多,有用的数据少,对现有... 详细信息

前言锑化铟光伏红外探测器,由于其具有现代探测器的工作性能,在军用和工业用的红外装置上得到日益广泛的应用。单元及多元探测器的性能已发展到背景辐射限(BLIP)的程度。虽然这种探测器应用广泛,但公布的数据不多,有用的数据少,对现有锑化铟探测器的工作特性也就不能详细了解。本文目的是评述一下这种探测器的一般特性,并说明其现能到达的特定性能水平,对使用者尤为重要的是有限定视场的性能水平。Barnes 工程探测器实验室对制造工业用和医学用的红外装置的探测器,花了一年

关键词：光伏探测器探测器阵列锑化铟锑化物

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PbTe光伏探测器的探测率极限

红外技术 1981年第4期 9-15+31页

作者： A.Rogalski 张杏娣

本文分析掺杂浓度对于PbTe突变结的RoA乘积所发生的影响。针对77K、200K和300K等温度进行了计算。考虑扩散电流(辐射复合和Auger复合情况)、隧道效应电流以及耗尽层电流产生的影响。确定光伏探测器在温度77K和200K时的背景限工作条件。

关键词：探测率空穴电子有效质量耗尽层载流子(半导体) 轻子质量(物理) 隧道效应载流子密度载流子浓度硫族化合物突变结掺杂浓度扩散电流 PbTe 光伏探测器

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碲镉汞光伏型探测器的氢化处理研究

红外与毫米波学报 2007年第5期26卷 326-328页

作者：乔辉周文洪叶振华李向阳龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室

利用氢等离子体方法研究了氢化处理对碲镉汞光伏型红外探测器性能的影响,发现对ZnS介质层钝化的器件进行氢化处理后,器件的信噪比和零偏电阻有显著的改善.通过采取在氢化过程中进行光刻胶保护的方法,发现氢化作用主要发生在注入区域之外... 详细信息

利用氢等离子体方法研究了氢化处理对碲镉汞光伏型红外探测器性能的影响,发现对ZnS介质层钝化的器件进行氢化处理后,器件的信噪比和零偏电阻有显著的改善.通过采取在氢化过程中进行光刻胶保护的方法,发现氢化作用主要发生在注入区域之外的P区一侧;通过SIMS测试分析发现氢化过程中H离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处.分析认为氢离子对ZnS和碲镉汞的界面产生钝化,降低了界面态密度,减弱了P型区的表面漏电,提高了PN结的击穿电压和结电阻,从而改善了器件的性能.

关键词：氢化钝化光伏探测器碲镉汞