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先进封装今年有哪些看点？ 007

先进封装今年有哪些看点？

中国电子报

作者：沈丛

在芯片制程不断迈向7nm、5nm乃至更精细的3nm的过程中，晶圆代工厂正积极应用先进封装技术，以进一步提升产品性能、优化成本结构，并加速产品上市时间。先进封装技术引领着封装技术的迭代升级，市场占比逐步攀升，有望逐渐超越传统封... 详细信息

在芯片制程不断迈向7nm、5nm乃至更精细的3nm的过程中，晶圆代工厂正积极应用先进封装技术，以进一步提升产品性能、优化成本结构，并加速产品上市时间。先进封装技术引领着封装技术的迭代升级，市场占比逐步攀升，有望逐渐超越传统封装技术，成为行业发展的新风向。在2024年，

关键词：先进封装 HPC 英特尔封装技术晶圆级封装

来源： cnki报纸评论

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晶圆微凸点技术在先进封装中的应用研究进展

微纳电子与智能制造 2024年

作者：刘冰夏良贺京峰孔云陈平贵州振华风光半导体股份有限公司

先进封装技术持续朝着连接密集化、堆叠多样化和功能系统化的方向发展，探索了扇出型封装、2.5D/3D、系统级封装等多种封装工艺。晶圆微凸点技术已被广泛应用于各种先进封装工艺技术中，是最重要的基础技术之一。本文介绍了微凸点制备... 详细信息

先进封装技术持续朝着连接密集化、堆叠多样化和功能系统化的方向发展，探索了扇出型封装、2.5D/3D、系统级封装等多种封装工艺。晶圆微凸点技术已被广泛应用于各种先进封装工艺技术中，是最重要的基础技术之一。本文介绍了微凸点制备的主要技术并进行优劣势比较，同时详述了锡球凸点和铜柱凸点两种不同的微凸点结构，为微凸点技术的更深入研究提供参考。最后，本文整理了微凸点技术在先进封装中的应用，并展望了未来的发展趋势。

关键词：先进封装微凸点制备技术凸点结构

高速电镀铜技术在先进封装金属互连中的研究进展

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微纳电子技术 2024年第7期 60-67页

作者：陈平夏良贺京峰刘冰贵州振华风光半导体股份有限公司

简单阐述了高速电镀铜技术在先进封装金属互连结构中的应用，重点介绍了电镀液、电镀设备和工艺控制三个因素对电镀速率和质量的影响，并对国内外电镀液添加剂种类、电镀液配方、电镀设备对流传质速率、电镀设备电流密度控制能力以及电... 详细信息

简单阐述了高速电镀铜技术在先进封装金属互连结构中的应用，重点介绍了电镀液、电镀设备和工艺控制三个因素对电镀速率和质量的影响，并对国内外电镀液添加剂种类、电镀液配方、电镀设备对流传质速率、电镀设备电流密度控制能力以及电镀工艺参数优化等因素对高速电镀铜沉积速率和质量的影响进行了评述。最后，总结了不同晶粒取向和晶粒大小的铜镀层在先进封装混合键合技术中的应用优势，并展望了高速电镀技术未来的应用领域与发展方向。

关键词：高速电镀先进封装金属互连酸性镀铜工艺优化

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人工智能芯片先进封装技术

电子与封装 2024年第1期24卷 17-29页

作者：田文超谢昊伦陈源明赵静榕张国光西安电子科技大学机电工程学院西安710071 西安电子科技大学杭州研究院杭州311231 上海轩田工业设备有限公司上海201109 佛山市蓝箭电子股份有限公司广东佛山528051

随着人工智能(AI)和集成电路的飞速发展,人工智能芯片逐渐成为全球科技竞争的焦点。在后摩尔时代,AI芯片的算力提升和功耗降低越来越依靠具有硅通孔、微凸点、异构集成、Chiplet等技术特点的先进封装技术。从AI芯片的分类与特点出发,对... 详细信息

随着人工智能(AI)和集成电路的飞速发展,人工智能芯片逐渐成为全球科技竞争的焦点。在后摩尔时代,AI芯片的算力提升和功耗降低越来越依靠具有硅通孔、微凸点、异构集成、Chiplet等技术特点的先进封装技术。从AI芯片的分类与特点出发,对国内外典型先进封装技术进行分类与总结,在此基础上,对先进封装结构可靠性以及封装散热等方面面临的挑战进行总结并提出相应解决措施。面向AI应用,对先进封装技术的未来发展进行展望。

关键词：人工智能芯片先进封装可靠性封装散热

三维集成电路先进封装中聚合物基材料的研究进展

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电子与封装 2024年第6期24卷 59-68页

作者：范泽域王方成刘强黄明起叶振文张国平孙蓉中国科学院深圳先进技术研究院广东深圳518055 深圳先进电子材料国际创新研究院广东深圳518103 深圳市化讯半导体材料有限公司广东深圳518103

人工智能、大数据、物联网和可穿戴设备的迅猛发展,极大地催生了对高端芯片的需求。随着摩尔定律发展趋缓,尺寸微缩技术使芯片遭遇了物理节点失效、经济学定律失效,以及性能、功耗、面积指标不足等诸多问题。作为延续和拓展摩尔定律的... 详细信息

人工智能、大数据、物联网和可穿戴设备的迅猛发展,极大地催生了对高端芯片的需求。随着摩尔定律发展趋缓,尺寸微缩技术使芯片遭遇了物理节点失效、经济学定律失效,以及性能、功耗、面积指标不足等诸多问题。作为延续和拓展摩尔定律的重要赛道,三维先进封装技术已成为推动高端芯片向多功能化以及产品多元化集聚发展的重要动力。先进封装技术的迅猛发展对聚合物基关键封装材料的耐腐蚀性、电气、化学和机械性能都提出了更高的要求。针对三维集成电路的先进封装工艺需求,论述了不同聚合物基关键材料的研究进展及应用现状,明晰了不同聚合物基材料所面临的挑战和机遇,提出了相应的解决方案,并展望了未来的研究方向。

关键词：先进封装三维封装聚合物临时键合

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半导体新焦点:先进封装

经理人 2024年第3期 14-15页

作者：季生不详

2024年初,晶圆制造大厂台积电(TSMC)公布去年四季度经营情况,2023Q4公司营业收入196亿美元,同比下降1.5%、环比增长13.6%,业绩小幅好于预期。关于2024年,公司在业绩说明上给出了乐观预期,底气来自于AI与高性能计算带来的强劲需求。

关键词：高性能计算晶圆制造乐观预期先进封装环比新焦点营业收入半导体

玻璃基板概念大涨引企业纷纷澄清先进封装场景仍处产业初期 A03

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玻璃基板概念大涨引企业纷纷澄清先进封装场景仍处产业初期

证券时报

作者：严翠

近日，受英伟达GB200采用的先进封装工艺或将使用玻璃基板，以及英特尔、三星、AMD、苹果等大厂均将导入或探索玻璃基板芯片封装技术相关消息影响，A股玻璃基板概念受到资金热捧。 5月22日，三超新材、雷曼光电、金瑞矿业、麦格米特、... 详细信息

近日，受英伟达GB200采用的先进封装工艺或将使用玻璃基板，以及英特尔、三星、AMD、苹果等大厂均将导入或探索玻璃基板芯片封装技术相关消息影响，A股玻璃基板概念受到资金热捧。 5月22日，三超新材、雷曼光电、金瑞矿业、麦格米特、隆利科技、沃格光电、五方光电、天马新材?

关键词：玻璃基板投资者英特尔先进封装股价异动

来源： cnki报纸评论

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先进封装中铜-铜低温键合技术研究进展

焊接学报 2022年第11期43卷 112-125,I0009页

作者：王帅奇邹贵生刘磊清华大学北京100084

Cu-Cu低温键合技术是先进封装的核心技术,相较于目前主流应用的Sn基软钎焊工艺,其互连节距更窄、导电导热能力更强、可靠性更优.文中对应用于先进封装领域的Cu-Cu低温键合技术进行了综述,首先从工艺流程、连接机理、性能表征等方面较系... 详细信息

Cu-Cu低温键合技术是先进封装的核心技术,相较于目前主流应用的Sn基软钎焊工艺,其互连节距更窄、导电导热能力更强、可靠性更优.文中对应用于先进封装领域的Cu-Cu低温键合技术进行了综述,首先从工艺流程、连接机理、性能表征等方面较系统地总结了热压工艺、混合键合工艺实现Cu-Cu低温键合的研究进展与存在问题,进一步地阐述了新型纳米材料烧结工艺在实现低温连接、降低工艺要求方面的优越性,概述了纳米线、纳米多孔骨架、纳米颗粒初步实现可图形化的Cu-Cu低温键合基本原理.结果表明,基于纳米材料烧结连接的基本原理,继续开发出宽工艺冗余、窄节距图形化、优良互连性能的Cu-Cu低温键合技术是未来先进封装的重要发展方向之一.

关键词：先进封装混合键合 Cu-Cu键合窄节距烧结

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面向先进电子封装的扩散阻挡层的研究进展

材料工程 2023年第2期51卷 28-40页

作者：郑永灿罗一鸣徐子轩刘俐武汉理工大学材料科学与工程学院武汉430070

功率器件作为电能转换的核心,在航天器、可再生能源汽车、高速列车和海底通信电缆等新电子领域的发展非常迅速。新一代功率器件对先进电子封装提出了更高、更快、更高效的要求,但是芯片互连焊点尺寸的显著减小导致焊点内部金属间化合物(... 详细信息

功率器件作为电能转换的核心,在航天器、可再生能源汽车、高速列车和海底通信电缆等新电子领域的发展非常迅速。新一代功率器件对先进电子封装提出了更高、更快、更高效的要求,但是芯片互连焊点尺寸的显著减小导致焊点内部金属间化合物(IMCs)的生成急剧增加,对焊点的可靠性提出了挑战。在封装结构中,扩散阻挡层对于金属间化合物的产生有着重要影响,因此,高可靠性扩散阻挡层成为先进电子封装领域的研究热点之一。本文综述了近年来先进电子封装领域关于不同材料类型扩散阻挡层单质、二元化合物、三元化合物、复合材料和多层膜结构的研究进展。在此基础上总结扩散阻挡层的三种扩散阻挡机制,包括IMCs的晶粒细化、合金元素的偏析及抑制柯肯达尔空洞,同时分析阻挡层的几种失效机制,讨论扩散阻挡层对焊点可靠性的影响。最后指出现有扩散阻挡层研究仍处于制造工艺与材料性能探索阶段,未来可针对高熵合金、多物理场耦合作用、失效及扩散阻挡机理等方面展开深入和系统的研究。

关键词：先进封装金属间化合物凸点下金属层扩散阻挡性能失效机制