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  • 1 篇 工学
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主题

  • 1 篇 trench金属氧化物...
  • 1 篇 元胞面积
  • 1 篇 比导通电阻
  • 1 篇 击穿电压
  • 1 篇 箱型掺杂

机构

  • 1 篇 中国电子科技集团...

作者

  • 1 篇 苏延芬
  • 1 篇 刘英坤

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=元胞面积"
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Trench MOSFET的研究与进展
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半导体技术 2007年 第4期32卷 277-280,292页
作者： 苏延芬 刘英坤 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄050051
研究总结了功率MOSFET器件与BJT器件相比的发展优势。介绍了作为VDMOSFET进一步发展的新型器件Trench MOSFET研究提出的背景及意义,并从其基本结构出发阐述了Trench MOSFET与VDMOS相比的电学性能特点。最后对其发展现状,关键技术和结构... 详细信息
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