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检索条件"主题词=倾斜清洗"
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硅晶片表面污染物去除的关键工艺
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电子工业专用设备 2004年 第9期33卷 27-32,77页
作者： Kurt K.Christenson FSI International Inc.Chaska Minnesota USA
硅晶片的清洗通常是在一个“过流(overflow)”清洗槽中进行,其中流过晶片的水流平均速度为1cm蛐s,而在晶片表面的速度则为零。清洗效率受到污染物从硅片表面扩散出并进入到水流速率的限制。报告了清洗效率的提高熏通过对初次将污染物扩... 详细信息
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