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中科院实现第四种基本电路元件与非易失信息存储器

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军民两用技术与产品 2016年第19期 28-28页

作者：新华

中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）的研究人员基于磁电耦合效应，实现了满足原始物理定义的第四种基本电路元件。

关键词：电路元件信息存储器中国科学院物理研究所中科院凝聚态物理磁电耦合效应国家实验室研究人员

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Hasco公司在模具中安装信息存储器

模具工程 2016年第3期 19-19页

Hasco引进了一种可以直接在模具中使用的新型模具信息存储器：A5800模具信息存储器.该装置有个特别的设计,可以直接平置在模具里,尤其是在冒口中.该数据存储器永久置于模具中,具备16g的存储量,配置了2.0USB接口,能够存档所有模具信息和... 详细信息

Hasco引进了一种可以直接在模具中使用的新型模具信息存储器：A5800模具信息存储器.该装置有个特别的设计,可以直接平置在模具里,尤其是在冒口中.该数据存储器永久置于模具中,具备16g的存储量,配置了2.0USB接口,能够存档所有模具信息和一些相关的数据.TPE密封的双组分防护挡板,可以有效阻挡色斑和污物.

关键词：信息存储器 sco公司模具安装 Ha 数据存储器 USB接口存储量

基于神经网络信息融合的油气藏信息存储系统设计

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石油化工自动化 2024年第3期60卷 72-75页

作者：胡文涛魏丹付童童张鹏德高洁中国石油化工股份有限公司西北油田分公司勘探开发研究院

针对现行油气藏信息存储系统鲁棒性、安全性较低的问题，提出了基于神经网络信息融合的油气藏信息存储系统设计方案。在系统硬件方面，通过对信息存储器选型与设计，完成系统硬件设计；在系统软件方面，利用神经网络信息融合技术对油气... 详细信息

针对现行油气藏信息存储系统鲁棒性、安全性较低的问题，提出了基于神经网络信息融合的油气藏信息存储系统设计方案。在系统硬件方面，通过对信息存储器选型与设计，完成系统硬件设计；在系统软件方面，利用神经网络信息融合技术对油气藏信息分类，并设计数据库对分类的油气藏信息存储。实验结果表明，在信息存储过载情况下系统崩溃率未超过2%,系统安全性系数在0.8以上，具有较强的鲁棒性与安全性。

关键词：神经网络信息融合油气藏信息存储系统信息存储器信息分类

来源：博看期刊

用于信息存储、逻辑运算和大脑神经功能模拟的忆阻型离子器件

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科学通报 2014年第30期59卷 2926-2936页

作者：郭新谈征华尹雪兵李泓陈立泉郭向欣华中科技大学材料科学与工程学院武汉430074 中国科学院物理研究所北京100190 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050

在电场作用下阳离子或阴离子的传输导致离子导体电阻态的变化,是离子导体的一般性阻变机理.与现有的半导体器件相比,忆阻型离子器件有显著优点:离子器件作为存储器时其信息存储密度高、能耗低、擦写时间只需几纳秒;离子器件还可用于逻... 详细信息

在电场作用下阳离子或阴离子的传输导致离子导体电阻态的变化,是离子导体的一般性阻变机理.与现有的半导体器件相比,忆阻型离子器件有显著优点:离子器件作为存储器时其信息存储密度高、能耗低、擦写时间只需几纳秒;离子器件还可用于逻辑运算,这样未来的计算机将不受冯·诺依曼瓶颈的限制,信息的存储与处理将均可由离子器件完成.尤为重要的是,用离子器件构建的人工神经网络能够实现类似大脑的学习、记忆和遗忘等功能,美国国防高级研究计划署的SyNAPSE项目有望于2016年制造出与猫智力相当的人工大脑,该人工大脑的能耗约为1 kW,体积小于2 L,这将是人工智能领域的一场革命.纳米离子器件将在下一个信息时代发挥重要作用.

关键词：离子器件忆阻器信息存储器逻辑运算类神经突触神经功能

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仿生物突触结构的AlOx忆阻器制备及其性能研究

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仿生物突触结构的AlOx忆阻器制备及其性能研究

作者：岳君林华中科技大学

学位级别：硕士

随着人工神经网络、人工智能的兴起和广泛应用,信息和数据呈现爆炸式增长,处理和存储海量数据成为信息领域的巨大挑战。非易失性的忆阻器具有存算一体和神经形态计算能力而被寄予厚望,可为突破冯诺.依曼计算架构瓶颈和摩尔定律极限提供... 详细信息

随着人工神经网络、人工智能的兴起和广泛应用,信息和数据呈现爆炸式增长,处理和存储海量数据成为信息领域的巨大挑战。非易失性的忆阻器具有存算一体和神经形态计算能力而被寄予厚望,可为突破冯诺.依曼计算架构瓶颈和摩尔定律极限提供新的计算范式和新原理器件方案。忆阻器应用于信息存储需要有较大的阻变窗口,适当的操作电压,稳定的多阻值态,优异的循环耐久性;应用于神经形态计算时需要具有类生物神经突触权重增强和抑制过程的连续多阻值调制,且具有良好的连续阻变线性度和对称性,对忆阻器件的性能要求极为严苛。优化器件性能,使之满足商业化要求成为当前学术界和产业界亟待攻克的技术难题。本研究选用Al O材料,从仿生物突触结构的角度出发,采取氧空位浓度V字型分布的方法,设计了一种新型的类突触结构的忆阻器,对于提升信息存储性能和仿突触功能,开发全新的类突触功能器件提供一种新的思路。具体研究内容如下:(1)调控Al O的氧空位浓度优化仿生物突触结构忆阻器研究。不同氧空位浓度的Al O薄膜物性和忆阻特性不同,可在仿生物突触结构中构建不同的类突触部位。首先采用磁控溅射生成Al O薄膜制备不同成份比的Al O薄膜,采用XPS测试手段分析Al和O元素的比例与其存在形式。随后,测试了不同氧空位浓度的Al O器件的电学特性,包括初始阻态、初始化电压、直流扫描、脉冲特性等。最后,研究了Al O忆阻器件信息存储特性和构建仿生物突触结构器件的潜力。(2)V字型氧空位浓度分布的类生物神经突触结构忆阻器研究。设计并研制出一种从结构上高逼真模拟生物突触结构的Al O忆阻器,该器件从结构上实现了对生物神经突触的全模拟,包括对突触前后膜(Al O层),突触间隙(AlO)和受体蛋白(金属Al纳米颗粒)的模拟。随后,测试了该器件在存储特性、神经形态计算及突触特性模拟中的表现。其中存储特性主要研究了阻变窗口值、一致性、多态及其稳定性、循环耐久性。神经形态计算和突触特性模拟的重点为脉冲电导调制过程中的多值性和线性度、脉冲时间依赖可塑性、脉冲频率依赖可塑性、脉冲幅值依赖可塑性。最后,提出了一种离子通道的门控忆阻器机理模型,分析了其仿生物突触性能提升的机制。

关键词：忆阻器信息存储器 AlOx 氧空位仿生物突触

宁波材料所在二氧化钒相变调控和新型信息器件研究方面取得进展

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