检索结果-南通市图书馆

化学通报 1990年第8期 57-61页

作者：周家驹曹凌霄桂琳琳吴念祖中国科学院化工冶金研究所 100080 北京大学结构化学开放研究实验室 100871

引言从X射线光电子能谱可以用各种方法鉴定原子的化学价态和化学环境,其中应用最多的是光电子峰的绝对结合能及其化学位移。

关键词： ESCADB 俄歇参数化学计算机

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X射线光电子能谱中的俄歇参数

Chinese Journal of Chemical Physics 1997年第3期10卷 209-212页

作者：吴念祖罗胜成陆群王文革黄惠忠桂琳琳北京大学物理化学研究所

简要介绍几种俄歇参数定义以及俄歇参数图中涉及的原子外部弛豫能和俄歇双电离体系终态能，最后评述它们的应用。

关键词：俄歇参数驰豫能驰豫能 X射线光电子能谱

用俄歇参数法研究SiO_2/Si界面层硅元素过渡态

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分析测试学报 1993年第6期12卷 74-77页

作者：刘芬王忠燕陈萦赵汝权胡兴中北京理化分析中心北京100081

本文报道了俄歇参数法用于SiO_2/Si界面层硅过渡态的研究。使用一种新的AlK_α-AgL_α混合X射线激发源,获得了界面层上Si_2P,Si KLL谱峰。给出了从表面到界面硅的化学状态变化与俄歇参数值。

关键词：俄歇参数硅二氧化硅过渡态界面

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俄歇和光电子能量以及俄歇参数数据汇编

国外建材（武汉） 1989年第1期10卷 95-97页

作者： Wagn.,CD 李道铭

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铜导线短路熔痕的XPS研究

光谱学与光谱分析 2010年第5期30卷 1408-1412页

作者：吴莹孟庆山王新明高伟邸曼公安部沈阳消防研究所火灾现场勘验与物证鉴定公安部重点实验室辽宁沈阳110034

利用氩离子溅射对熔痕样品进行了深度刻蚀,同时利用Cu的俄歇谱线和计算的俄歇参数值,对不同环境形成的铜导线短路痕迹的物相及元素分布规律进行了分析。根据刻蚀时间可将一次短路熔痕表面膜层分为三部分,即C含量迅速减少的近表面层;O含... 详细信息

利用氩离子溅射对熔痕样品进行了深度刻蚀,同时利用Cu的俄歇谱线和计算的俄歇参数值,对不同环境形成的铜导线短路痕迹的物相及元素分布规律进行了分析。根据刻蚀时间可将一次短路熔痕表面膜层分为三部分,即C含量迅速减少的近表面层;O含量变化不大,C含量逐渐消失且有Cu2O相的中间层;无Cu2O相,O含量显著减少的过渡层。而将二次短路熔痕表面膜层分为两部分:C含量迅速减少的近表面层;无Cu2O相,C和O量逐渐减少层。由此可见,一次短路熔痕的表面膜层与基体分界明显,有显著的过渡层,而二次短路熔痕的表面膜层与基体分界不明显,无过渡层。综上所述,可以根据两种短路熔痕是否含有Cu2O相以及定量分析结果来区分两种熔痕,为判断火灾原因提供新的技术依据。

关键词：深度刻蚀光电子能谱俄歇参数短路熔痕

脉冲激光沉积的金属原子团簇的电子状态及生长的研究

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强激光与粒子束 2000年第6期12卷 694-698页

作者：赖新春米.阿.普希金维.伊.特拉扬弗.尼.特罗宁安.弗.韧戈维奇莫斯科国立工程物理学院莫斯科115409

介绍了采用 X射线光电子谱 (XPS)等技术研究脉冲激光沉积在 Ni、Mo、C、Na Cl(1 0 0 )表面的 Cu、Au原子团簇的电子状态 ;结合 Cu2 p3/2 X射线光电子谱峰和 Cu L3M4,5 M4,5 俄歇跃迁分离了电子结合能的初态和终态贡献 ,得出了它们随 Cu... 详细信息

介绍了采用 X射线光电子谱 (XPS)等技术研究脉冲激光沉积在 Ni、Mo、C、Na Cl(1 0 0 )表面的 Cu、Au原子团簇的电子状态 ;结合 Cu2 p3/2 X射线光电子谱峰和 Cu L3M4,5 M4,5 俄歇跃迁分离了电子结合能的初态和终态贡献 ,得出了它们随 Cu表面浓度变化的关系 ,并对之作出了解释。使用 XPS、RBS、TEM三项技术研究了 Au在 Na Cl(1 0 0 )表面的生长过程 ,通过计算得出了在不同表面浓度下

关键词：脉冲激光沉积金属原子团簇 XPS 初态效应终态效应俄歇参数电子状态金属薄膜

铈卤氧化物的ESCA表征（Ⅱ）──Ce的M_5N_（45）N_（45）俄歇峰

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高等学校化学学报 1995年第3期16卷 437-439页

作者：胡刚葛辽海孙桂芬中国科学院长春应用化学研究所

研究了ＸＰＳ诱导的ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５俄歇峰，由于其终态空穴处于芯能级，故俄歇峰有较好的分辨率。从ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５的俄歇峰可获得中心离子Ｃｅ的电子云密度等信息，发现其俄歇参数与配位体的极化变形程度有关，从而解释了... 详细信息

研究了ＸＰＳ诱导的ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５俄歇峰，由于其终态空穴处于芯能级，故俄歇峰有较好的分辨率。从ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５的俄歇峰可获得中心离子Ｃｅ的电子云密度等信息，发现其俄歇参数与配位体的极化变形程度有关，从而解释了双烯烃定向聚合必须有稀土卤氧键存在的原因。

关键词：俄歇峰俄歇参数 XPS 铈 ESCA

分子束外延ZnS_(1-x)Te_x单晶薄膜特性分析

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半导体光电 1999年第2期20卷 104-107页

作者：孙汪典暨南大学广州510632

通过精确的测量发现，分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ⅱ－ Ⅵ族三元合金碲硫锌（ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ）（０ ≤ｘ ≤１）半导体单晶薄膜中Ｚｎ和Ｔｅ修正的俄歇参数α′随ｘ增大近似线性增加，且前者大于后者；同时还发现... 详细信息

通过精确的测量发现，分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ⅱ－ Ⅵ族三元合金碲硫锌（ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ）（０ ≤ｘ ≤１）半导体单晶薄膜中Ｚｎ和Ｔｅ修正的俄歇参数α′随ｘ增大近似线性增加，且前者大于后者；同时还发现Ｔｅ４ｄ３／２和Ｔｅ４ｄ５／２光电子谱峰间距随ｘ

关键词：半导体材料薄膜 ZnS1-xTex X射线光电子谱(XPS) 俄歇参数

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X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)的应用

现代仪器 2009年第1期15卷 58-61页

作者：吴正龙北京师范大学分析测试中心北京100875

简要介绍X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)用于化学分析的一般性理论。XAES可与X射线光电子能谱(XPS)一起用于元素化学态分析。但是XAES分析有其优势,(1)俄歇参数与荷电位移无关,结果无需荷电校准就可用于价态分析;(2)在一些涉及过渡元素和... 详细信息

简要介绍X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)用于化学分析的一般性理论。XAES可与X射线光电子能谱(XPS)一起用于元素化学态分析。但是XAES分析有其优势,(1)俄歇参数与荷电位移无关,结果无需荷电校准就可用于价态分析;(2)在一些涉及过渡元素和重元素物质的价态分析时,XAES峰化学位移大于XPS峰;(3)对于分析一些轻元素(如K、Mg、Al等),XAES峰比某些XPS峰有更高的灵敏度。因而,XAES可弥补XPS分析的某些不足,可方便、有效地表征元素价态。通过实例,介绍XAES在这3个方面的实际应用。

关键词： X射线诱导俄歇电子能谱(XAES) 俄歇参数 X射线光电子谱(XPS) 化学位移砷化镓(GaAs) 氧化锌(ZnO)