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功能材料与器件学报 2011年第4期17卷 355-358页

作者：贾素兰陈朝阳陶明德丛秀云中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100039 新疆电子信息材料与器件重点实验室成都西汉电子科技责任有限公司

研究了Mn-Co-O体系通过掺入适量ZnO,采用最佳的烧结温度,可制备低阻高b型NTCR（负温度系数热敏电阻）,并通过XRD、SEM研究了样品Mn1.14Co1.83Zn0.03O4在不同烧结温度下的微观结构和电学特性。结果表明：Mn-Co-Zn-O体系在T=1100~1200℃... 详细信息

研究了Mn-Co-O体系通过掺入适量ZnO,采用最佳的烧结温度,可制备低阻高b型NTCR（负温度系数热敏电阻）,并通过XRD、SEM研究了样品Mn1.14Co1.83Zn0.03O4在不同烧结温度下的微观结构和电学特性。结果表明：Mn-Co-Zn-O体系在T=1100~1200℃很宽的温度范围可只存在尖晶石结构,同时具有高的激活能。样品Mn1.14Co1.83Zn0.03O4在烧结温度T=1100℃时存在最小电阻率,而b仍保持在4046K左右。因此,由其制成的单层片式NTCR可替代某些具有内电极的叠层器件。

关键词： NTC热敏电阻低阻高b 单层片式

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Mn-Co-Zn-Cu-O系NTCR微观结构和电学特性

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功能材料 2011年第5期42卷 911-913+917页

作者：柴学平贾素兰塔里木大学机电学院中国科学院新疆理化技术研究所

采用Mn2.3Co3.7ZnxCuyO4(x=0、0.03、0.06;y=0、0.05、0.08、0.1、0.2)体系制备负温度系数热敏电阻(NTCR),并通过EDS、SEM、FTIR研究了样品的微观结构和导电机理。结果表明,Mn-Co-O体系通过掺杂ZnO、CuO可以制备低阻高b型NTCR,当x=0.03,y=0.05可得到期望的电学参数。其中,Zn存在于四面体间隙,可以提升阻值b值;Cu同时存在于四面体间隙和八面体间隙,可以降阻值b值,部分CuO在晶界发生偏析。

关键词： NTC热敏电阻低阻高b 尖晶石结构

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Mn-Co-Ni-Pb-O系NTC热敏电阻制备及电性能的研究

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功能材料 2011年第B11期42卷 845-847页

作者：王海珍康雪雅韩英中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息与材料重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049

采用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了Mn1.05-xCo0.92Ni0.03PbxO4系列NTC热敏陶瓷的烧结特性和电性能参数与Pb掺入量的关系。结果表明掺Pb可以降低Mn-Co-Ni-O系NTC热敏电阻的烧结温度和室温电阻率。当Pb掺杂量x=0.12时样品的收缩率最... 详细信息

采用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了Mn1.05-xCo0.92Ni0.03PbxO4系列NTC热敏陶瓷的烧结特性和电性能参数与Pb掺入量的关系。结果表明掺Pb可以降低Mn-Co-Ni-O系NTC热敏电阻的烧结温度和室温电阻率。当Pb掺杂量x=0.12时样品的收缩率最大,样品的老化稳定性最好,该陶瓷样品的最佳烧结温度降至900~950℃之间,烧结温度为950℃时样品的ρ25和b值分别为490Ω.cm和3969K,具有较低的ρ25和较高的b值。

关键词： NTC热敏电阻低温烧结低阻高b

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ZnO-CuO掺杂对Mn-Co-O系NTC热敏电阻微观结构与电性能的影响

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电子元件与材料 2011年第2期30卷 11-14页

作者：贾素兰陈朝阳范艳伟从秀云中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐市830011 中国科学院研究生院北京100039

以Mn3O4和Co3O4为原料,ZnO和CuO为掺杂剂,采用固相反应法制备了Mn2.3Co3.7-x-yZnxCuyO(4x=0,0.03和0.06;y=0,0.05,0.08,0.10和0.20)单层片式NTC热敏电阻材料。研究了该材料的微观结构和电性能。结果表明:通过掺杂ZnO和CuO,可以制备低阻高b型Mn-Co-O系NTC热敏电阻材料。随着ZnO掺杂量的增加,其电阻率先减小后增大,b25/50值一直增大;而随着CuO掺杂量的增加,电阻率和b25/50值都迅速减小,同时部分Cu2O在晶界发生偏析。当x=0.03,y=0.05时,该材料具有较好的NTC特性:其ρ25为719.34Ω·cm,b25/50值为3954.9K。

关键词： NTC热敏电阻低阻高b 尖晶石结构 Mn-Co-O系

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