检索结果-南通市图书馆

检索条件"主题词=低冗余矩阵码"

共 1 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

基于ECC电路的SRAM自检测修复设计与验证

基于ECC电路的SRAM自检测修复设计与验证

引用

作者：朴英珲哈尔滨工业大学

学位级别：硕士

在空间环境当中,大量的辐射粒子照射到存储器芯片,辐射粒子导致存储单元发生多位翻转（Multiple Bit Upset,MBU）的软错误,以及单粒子硬错误（Single Hard Error,SHE）。其中,硬错误不会被覆盖消除,这种硬错误的积累,对于纠错能力有限... 详细信息

在空间环境当中,大量的辐射粒子照射到存储器芯片,辐射粒子导致存储单元发生多位翻转（Multiple Bit Upset,MBU）的软错误,以及单粒子硬错误（Single Hard Error,SHE）。其中,硬错误不会被覆盖消除,这种硬错误的积累,对于纠错能力有限的存储器,势必会影响其数据的准确性。因此针对两种错误,提高存储器的自检测修复能力具有重要的现实意义。本文深入研究了单粒子多位翻转和硬错误对存储器的影响,从系统级加固设计出发,基于低冗余矩阵码编码译码原理,实现了可纠正连续4位错误,加固32位数据的低冗余矩阵码电路,并对该编译码器进行了功能仿真验证和纠错模式分析。研究了自检测区分存储单元内软错误和硬错误的方法。基于低冗余矩阵码电路,对存储器进行加固设计;通过二次检测的方法,采用有限状态机实现了状态控制器设计;从而实现了修复软错误的同时判断错误类型的功能。构建故障注入平台,验证了修复软错误探测硬错误功能的正确性。研究了修复存储单元硬错误的方法。通过地址映射隔离硬错误的方法,设计实现了故障地址分析器,改进了状态控制器,并协调各个电路功能,实现了自检测修复软硬错误的SRAM整体结构。在SMIC65nm工艺条件下,对各个电路进行综合,并对整体SRAM结构进行了门级仿真验证。本文最后基于AHB总线协议,利用总线功能模型对本文设计进行了系统级验证。为自检测修复软硬错误的SRAM结构设计了AHB总线接口,经验证结果表明,本文设计的自检测修复软硬错误的SRAM结构能够集成到系统中去应用。

关键词：低冗余矩阵码 SRAM存储器软错误硬错误 AHB

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共1页 << < 1 > >>

回到顶部

执行限定条件

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：