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学科分类号

  • 1 篇 工学
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    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 低介电界面层
  • 1 篇 晶化温度
  • 1 篇 金属栅电极
  • 1 篇 高介电栅介质

机构

  • 1 篇 中国科学院新疆理...

作者

  • 1 篇 赵红生
  • 1 篇 武德起
  • 1 篇 常爱民
  • 1 篇 张东炎
  • 1 篇 姚金城

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=低介电界面层"
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高介电栅介质材料研究进展
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无机材料学报 2008年 第5期23卷 865-871页
作者： 武德起 赵红生 姚金城 张东炎 常爱民 中国科学院新疆理化技术研究所
传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介... 详细信息
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