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热加工工艺 2020年第12期49卷 109-112,118页

作者：油超刘楚明万迎春唐蓓王必正高永浩蒋树农张高龙韩修柱中南大学材料科学与工程学院湖南长沙410083 天津航天机电设备研究所天津300301 北京空间飞行器总体设计部北京100094

采用光学显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等设备研究了Mg-9.5Gd-3.8Y-0.6Zr合金在单向锤锻以及265℃人工时效后的显微组织。结果表明:在440℃锤锻后的Mg-Gd-Y-Zr合金中出现了大量由平行排列的短位错组成的位错阵列。这些位错阵... 详细信息

采用光学显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等设备研究了Mg-9.5Gd-3.8Y-0.6Zr合金在单向锤锻以及265℃人工时效后的显微组织。结果表明:在440℃锤锻后的Mg-Gd-Y-Zr合金中出现了大量由平行排列的短位错组成的位错阵列。这些位错阵列在晶粒内部具有近似相同的取向,彼此之间的间距约为0.3~1.4μm。由于位错阵列是高储能、大畸变区域,在后续时效过程中有诱导第二相析出作用。人工时效时,β’相会优先在位错阵列上形核和长大,取向相同且均匀的分布在位错阵列上,形成析出相链。高温时效下溶质原子扩散加剧,位错阵列会对周围的稀土溶质原子产生强烈的吸引,导致沿着析出相链形成无沉淀析出区域(PFZ)。

关键词：微观组织 Mg-Gd-Y-Zr合金位错阵列时效处理析出相

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Gd对冷旋锻制备纳米晶镁合金的影响

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Transactions of Nonferrous Metals Society of China 2024年第6期34卷 1817-1828页

作者：陈鑫李思珑万迎春中南大学资源加工与生物工程学院长沙410083 中南大学轻合金研究院长沙410083

通过显微硬度测试、拉伸试验和透射电镜手段研究Gd元素对冷旋锻过程镁合金纳米化的影响。结果表明,由于纯镁中很难形成位错阵列,旋锻不能实现纯镁纳米化。相比之下,单独添加Gd,旋锻后镁合金晶粒可得到显著细化。在旋锻早期阶段,纯镁和Mg... 详细信息

通过显微硬度测试、拉伸试验和透射电镜手段研究Gd元素对冷旋锻过程镁合金纳米化的影响。结果表明,由于纯镁中很难形成位错阵列,旋锻不能实现纯镁纳米化。相比之下,单独添加Gd,旋锻后镁合金晶粒可得到显著细化。在旋锻早期阶段,纯镁和Mg−Gd合金中都形成孪晶片层。随着增加旋锻变形的继续,相比纯镁,更多的非基面位错在Mg−Gd合金中形成,这促进了Mg−Gd合金中位错阵列的形成,导致合金纳米化。随着Gd含量的增加,Mg−Gd合金晶粒细化效果显著提升,晶粒细化至100 nm以下的临界Gd含量约为5.4%(质量分数)。

关键词： Mg−Gd合金冷旋锻纳米化孪生位错阵列

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方钴矿的界面调控与热电性能

方钴矿的界面调控与热电性能

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作者：秦丹丹哈尔滨工业大学

学位级别：硕士

方钴矿热电材料是综合性能较好的中温热电材料,由于具有较大的载流子迁移率和Seebeck系数,使其具备高ZT值的潜力,但由于晶格热导率较高,导致ZT值较低,本文主要通过高能球磨纳米化、引入石墨烯、液相压实构建小角晶界等界面调控方式,降... 详细信息

方钴矿热电材料是综合性能较好的中温热电材料,由于具有较大的载流子迁移率和Seebeck系数,使其具备高ZT值的潜力,但由于晶格热导率较高,导致ZT值较低,本文主要通过高能球磨纳米化、引入石墨烯、液相压实构建小角晶界等界面调控方式,降低晶格热导率,从而提高热电性能。采用XRD、SEM、TEM、激光热导仪、电导率/塞贝克系数测试系统等方法研究了不同界面调控方式对方钴矿组织结构和热电性能的影响规律,得到如下研究成果:针对退火La0.8Ti0.1Ga0.1Fe3CoSb12方钻矿,采用高能球磨结合放电等离子体烧结(SPS)制备纳米结构块体材料,与参比样品相比,退火球磨样品的电导率基本一致,但塞贝克系数增大,相应功率因子也较高。退火球磨样品结构纳米化增强了对声子的散射作用,降低了晶格热导率,623K时晶格热导率达到最低为0.8Wm-1K-1,较参比样品降低了 33%。通过高能球磨实现结构的纳米化不仅改善了电性能,也有效地降低晶格热导率,进而提高了热电性能,退火球磨样品的热电优值在723K时从0.8提升到1.05。采用PECVD法在p型退火La0.8Ti0.1Ga0.1Fe3CoSb12方钻矿粉体表面原位组装石墨烯,制备出p型方钻矿/石墨烯复合材料,发现石墨烯的引入对p型La0.8Ti0.1Ga0.1Fe3CoSb12方钻矿的电导率无明显影响,但塞贝克系数略有提高。石墨烯的引入明显降低p型La0.8Ti0.1Ga0.1Fe3CoSb12方钴矿的晶格热导率,673K时具有最低值为0.9Wm-1K-1,较参比样品降低了 25%。石墨烯的引入对电性能稍有改善的同时,明显降低晶格热导率,使ZT值在723K时从0.8提高到1.00。采用熔体旋甩结合液相压实法制备n型CexCo4Sb14.4(x=0.1、0.125、0.15、0.175、0.2)方钴矿,发现电导率随着填充量的增加而增大,Seebeck系数与电导率的变化趋势相反,填充量为x=0.15的样品具有最高的PF,约为45.7μWcm-1K-2。热导率和晶格热导率均随着填充量的增加先减小后增大,填充量为x=0.15的样品具有最低热导率约为3.08Wm-1K-1。Ce0.15Co4Sb14.4样品在773K时ZT值最高为1.15。

关键词：方钴矿液相压实纳米结构石墨烯位错阵列热电性能

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深拉筒形制品用冷轧钼板的力学性能与显微结构分析

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中南大学学报(自然科学版) 1987年第6期 642-648+708页

作者：周美玲中南矿冶学院材料科学与工程系

冷轧钼板各向异性是造成深拉筒形制品成材率低的基本原因.本文研究的两次交又轧制工艺制取的钼板明显减少了力学性能的各向异性,并且呈现形变软化现象,研究表明是由于{111}面织构增多及显微结构、位错组态变化的结果.生产证明该工艺已... 详细信息

冷轧钼板各向异性是造成深拉筒形制品成材率低的基本原因.本文研究的两次交又轧制工艺制取的钼板明显减少了力学性能的各向异性,并且呈现形变软化现象,研究表明是由于{111}面织构增多及显微结构、位错组态变化的结果.生产证明该工艺已取得较好的经济效益.

关键词：钼板材轧制横轧冷加工织构显微组织(金相学) 位错阵列抗张强度韧性生产工艺成品率最优设计交叉轧

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