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微量元素、织构和位错对低压(16V)电容器用阳极箔比电容的影响

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中南大学学报(自然科学版) 1982年第1期 55-61+129-130页

作者：张纬斌韩德伟王云辉于锋罗继民谭雪成中南矿冶学院材料科学与工程系

本文研究了含微量 Mg—Nd、Cd 的低压(16V)电容器阳极铝箔比电容。实验表明:成份位于一定范围的退火 Al-Mg-Nd 和 Al-Cd 合金箔,与纯铝箔相比,有较高的比电容。其原因在于微量元素提高了铝箔表面(100)织构的含量;同时,也增加了正方形蚀... 详细信息

本文研究了含微量 Mg—Nd、Cd 的低压(16V)电容器阳极铝箔比电容。实验表明:成份位于一定范围的退火 Al-Mg-Nd 和 Al-Cd 合金箔,与纯铝箔相比,有较高的比电容。其原因在于微量元素提高了铝箔表面(100)织构的含量;同时,也增加了正方形蚀坑的晶粒数目,这些晶粒分布在三角形或其他形状蚀坑的晶粒之间,且各种蚀坑的形状、大小适宜,分布均匀。由此所组成的位错蚀坑密度愈大,低压用铝箔的比电容也愈高。

关键词：比电容阳极箔电容器电器蚀坑织构晶粒颗粒微量元素痕量元素位错对低压电压

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在YAG:Nd晶体中位错对激光特性的影响

光学学报 1982年第3期 259-269页

作者：邓佩珍乔景文钱振英中国科学院上海光学精密机械研究所

本文用双折射貌相法和化学腐蚀法测定了六根晶体棒中的位错分布和位错密度,用光学方法检验了晶体的光学质量,晶体的激光性能是在一台Q开关YAG激光装置上测定的。实验表明当位错密度增加到一定程度时,位错形成的应力场会引起明显的双折射... 详细信息

本文用双折射貌相法和化学腐蚀法测定了六根晶体棒中的位错分布和位错密度,用光学方法检验了晶体的光学质量,晶体的激光性能是在一台Q开关YAG激光装置上测定的。实验表明当位错密度增加到一定程度时,位错形成的应力场会引起明显的双折射,以致探测光通过晶体时波面会发生畸变。在干涉仪上可观察到干涉条纹的增加。同样,在位错应力场区消光比亦下降。因此,作为结构缺陷的位错也是晶体光学不均匀的来源之一。晶体激光性能的实验结果指出:位错对激光输出特性有很大的影响,从激光近场光斑图看出,在位错应力场区,因为高的激光阈值而不能产生激光振荡,并且由于应力双折射效应产生光的退偏性。由于存在高位错密度,晶体的激光发散度增加,倍频效率下降。当晶体中存在缀饰位错(decorated dislocation)时,激光输出特性的变化尤为明显.

关键词：晶体投影图干涉图退偏度位错密度激光性能 YAG 位错对激光特性 Nd

单晶硅中位错对CBED的零阶Laue带花样影响的实验观察

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电子显微学报 1988年第3期 174-174页

作者：文建国王仁卉路钢华武汉大学物理系武汉大学物理系中科院沈阳金属研究所

我们用大角度会聚束电子衍射(简称CBED)系统地研究了单晶硅中位错特征及入射束会聚点位置对CBED的零阶Laue带(简称ZOLZ)花样的影响,并用衍衬法对这些位错进行了鉴定。实验表明:刃位错使ZOLZ花样压缩或伸张(图1),螺位错使ZOLZ花样两部分... 详细信息

我们用大角度会聚束电子衍射(简称CBED)系统地研究了单晶硅中位错特征及入射束会聚点位置对CBED的零阶Laue带(简称ZOLZ)花样的影响,并用衍衬法对这些位错进行了鉴定。实验表明:刃位错使ZOLZ花样压缩或伸张(图1),螺位错使ZOLZ花样两部分错动(图3)。刃位错和螺位错对CBED的ZOLZ花样的影响示意图分别见图2(a)和(b)。实验和理论分析表明,设矢量C由位错指向入射束会聚点,位错线方向为u,则任意位错线的(?)×(?)朝向的一侧的CBED花样沿Burgers矢(?)方向移动,而另一侧朝-(?)方向移动(图4)。本工作给出了一个一次直接判定位错类型和Burgers矢正负的实验方法。

关键词：单晶硅刃位错 CBED Laue 花样位错对

复拉单晶硅材料的高位错密度对太阳电池性能影响的研究

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内蒙古大学学报(自然科学版) 1986年第4期 681-685页

作者：张存生季秉厚内蒙古大学物理系内蒙古大学物理系

本文报道用高位错密度ND=106～1010废次复拉单晶硅制作太阳电池,研究了位错对太阳电池性能的影响。用损伤吸杂、重掺磷及氢化处理可以消除高位错密度对太阳电池特性的影响。实验结果表明,经上述方法处理,以高位错密度单晶硅制备的太阳电... 详细信息

本文报道用高位错密度ND=106～1010废次复拉单晶硅制作太阳电池,研究了位错对太阳电池性能的影响。用损伤吸杂、重掺磷及氢化处理可以消除高位错密度对太阳电池特性的影响。实验结果表明,经上述方法处理,以高位错密度单晶硅制备的太阳电池,其转换效率达到了常规复拉单晶硅材料制备电池的水平,而所采用的方法并不增加工艺复杂性,从而降低了电池对原材料的要求。

关键词：单晶硅材料位错密度电池特性转换效率吸杂少数载流子寿命太阳能级硅位错对减反射膜材料制备

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预变形对2E12铝合金时效析出过程的影响

稀有金属材料与工程 2010年第12期39卷 2107-2111页

作者：周明哲易丹青贾延琳刘阳平中南大学湖南长沙410083

通过DSC热分析、显微硬度测试、透射电镜分析等研究了预变形对2E12铝合金时效析出过程的影响。结果表明:2E12铝合金表现为双阶段时效硬化特征,预变形降低了合金时效第1阶段硬化效果,提高了合金峰时效硬度,缩短了峰时效时间;随预变形量... 详细信息

通过DSC热分析、显微硬度测试、透射电镜分析等研究了预变形对2E12铝合金时效析出过程的影响。结果表明:2E12铝合金表现为双阶段时效硬化特征,预变形降低了合金时效第1阶段硬化效果,提高了合金峰时效硬度,缩短了峰时效时间;随预变形量的增加,合金峰时效硬度增大,峰时效时间提前。增加预变形量使合金中析出的板条状S相更为细小、弥散。预变形引入位错对沉淀析出有利,位错环纯刃型位错为S相析出提供有利位置,促进球状S相形核。预变形产生位错结构有利于I型S相析出,并延缓II型S相析出。

关键词：预变形量合金时效析出过程 Aluminum Alloy 峰时效相析出时效硬度时效时间显微硬度测试透射电镜分析 DSC热分析硬化效果位错结构时间提前刃型位错沉淀析出相形核位错环位错对化特征

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硅单晶的热处理问题