检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

OTP存储器位线负载对读出速度的影响

微电子学 2015年第5期45卷 649-651,656页

作者：吴欣昱张金旻罗玉香电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

在OTP存储器设计中,随着存储器容量的不断加大,位线负载也相应变大,可能导致读机制失效。为了防止发生读机制失效,需增加灵敏放大器充电时间,但是延长充电时间会影响读取速度。在分析OTP存储器灵敏放大器工作原理的基础上,重点研究了位... 详细信息

在OTP存储器设计中,随着存储器容量的不断加大,位线负载也相应变大,可能导致读机制失效。为了防止发生读机制失效,需增加灵敏放大器充电时间,但是延长充电时间会影响读取速度。在分析OTP存储器灵敏放大器工作原理的基础上,重点研究了位线负载对读出速度的影响。通过仿真,优化了OTP存储器的读出电路参数。

关键词：一次性可编程存储器位线灵敏放大器位线负载

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

一种基于时钟抽取偏置电压技术的存储器位线

微电子学 2016年第3期46卷 402-406页

作者：杨泽重汪金辉侯立刚耿淑琴彭晓宏北京工业大学集成电路与系统研究室北京100124

基于一种新型时钟延时单元,设计了一种片上存储器的位线。在不增加版图面积的前提下,通过周期性地改变保持管的衬底偏置电压,减小了短路功耗、泄漏功耗和延迟时间,同时增加了电路的抗工艺波动能力。在SMIC 65nm工艺下,完成了传统位线、... 详细信息

基于一种新型时钟延时单元,设计了一种片上存储器的位线。在不增加版图面积的前提下,通过周期性地改变保持管的衬底偏置电压,减小了短路功耗、泄漏功耗和延迟时间,同时增加了电路的抗工艺波动能力。在SMIC 65nm工艺下,完成了传统位线、改进后的位线以及静态随机存取存储器(SRAM)的设计。仿真结果表明,在1GHz时钟频率下,改进后的两种位线与传统位线相比,功耗延迟积分别减小了19.1%和15.9%。最后,通过蒙特卡洛分析可知,改进后的位线相比于传统位线具有较强的抗工艺波动能力,即功耗延迟积的方差减小了97.1%。

关键词：存储器位线衬底偏置抗工艺波动能力

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

用于SRAM的低功耗位线结构

半导体技术 2006年第12期31卷 935-937,950页

作者：高宁施亮侯卫华于宗光江南大学信息工程学院江苏无锡214036

提出了一种用于SRAM的低功耗位线结构,通过两种途径来实现低位线电压。在写操作时,利用单边驱动结构来抑制位线上充电电压的过大摆动;在读写操作时,改进预充结构来使位线电压保持较低。仿真表明,该结构使功耗大大节省。

关键词：静态存储器位线低功耗

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究

微电子学 2005年第3期35卷 297-300,304页

作者：姜凡刘忠立中国科学院半导体研究所北京100083

对部分耗尽SOICMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作过程的最坏条件和最好条件下存储单元门管的瞬态泄漏电流的模拟结果;在详细分析BJT效应影响的基础上,对“F... 详细信息

对部分耗尽SOICMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作过程的最坏条件和最好条件下存储单元门管的瞬态泄漏电流的模拟结果;在详细分析BJT效应影响的基础上,对“FirstCycle”效应进行了全面的研究。结果表明,“FirstCycle”效应对写操作影响较大;研究了位线电容负载对存储单元门管体电位的依赖。最后,给出了研究结果。

关键词：静态存储器位线部分耗尽 SOI

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

三角形的中线和中位线的教学

宁夏教育 1993年第10期 30-31页

作者：赵福慧银川一中

初中学生普遍对平面几何的学习感到困难,特别对辅助线的添加困难更大.在有关三角形的中线和中位线题目的证明过程中,许多题目都须添加辅助线.教师教学这部分内容应该通过由浅入深的例题,教给学生一些添加辅助线的规律,步步引导,层层深入... 详细信息

初中学生普遍对平面几何的学习感到困难,特别对辅助线的添加困难更大.在有关三角形的中线和中位线题目的证明过程中,许多题目都须添加辅助线.教师教学这部分内容应该通过由浅入深的例题,教给学生一些添加辅助线的规律,步步引导,层层深入.同时还要注意让学生对具体问题作具体分析,通过对各类不同题目的证明,才能提高对普遍规律的认识和掌握.

关键词：位线辅助线证明过程和中证法罗则

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

FRAM存储阵列信号复用设计与研究

FRAM存储阵列信号复用设计与研究

作者：燕艺锋电子科技大学

学位级别：硕士

为了应对现代存储器技术发展所面临的瓶颈,设计出一款大容量、高速且可靠的非易失存储器成为了新的研究热点。作为FRAM的主要模块,存储单元与阵列组织的设计决定了FRAM的整体性能和功耗表现。论文通过理论分析,研究存储结构与阵列架构... 详细信息

为了应对现代存储器技术发展所面临的瓶颈,设计出一款大容量、高速且可靠的非易失存储器成为了新的研究热点。作为FRAM的主要模块,存储单元与阵列组织的设计决定了FRAM的整体性能和功耗表现。论文通过理论分析,研究存储结构与阵列架构的实现与优化问题,并针对容量扩大后引起的信号复用现象,提出具体的控制信号线优化方法,从而为设计实现高性能FRAM奠定基础。首先,论文研究在扩容设计时阵列布局的设计,提出利用阵列分区结构减少信号复用之间的干扰。对比开放式位线架构与折叠式位线架构对于阵列噪声的影响,以及三种板线架构对于存储单元的干扰问题。针对阈值损失与位线电容在阵列读写时的影响,提出利用灵敏放大器或自举电路抵消阈值损失以及位线负载电容匹配方法。随后,对于信号复用问题选择具体的控制信号线优化方案。首先比较板线三种脉冲对铁电电容极化的影响,选用双脉冲驱动方式能够简化电路设计同时延长铁电材料的使用寿命,并设计出板线分级结构电路缓解了板线负载电容。然后,确定阵列组织中运用电荷泵电路产生字线电压(V),选取铁电电容作为升压电容能够在低电源电压提供容值大的电容,在高电源电压提供容值小的电容从而优化V,通过字线仿真电路优化带负载电容情况下字线的两级电压,实现获取最优字线电压以及降低阵列组织功耗的目的。此外,在位线设计上采用预充电技术、辅助放电电路以及平衡电路等位线优化技术提升阵列组织的读写效率。同样设计出位线仿真电路,评估铁电电容与位线寄生电容之间的影响关系,并利用扩大铁电电容面积或增大存储单元开关管栅宽来引入位线寄生电容,从而获得最优位线性能。最后,提出两种交错设计,降低阵列组织内信号线的噪声,缓和铁电电容的极化疲劳效应。最后,基于以上研究设计出三款容量不同的并行读写FRAM。阵列组织选用阵列分区设计、折叠式位线架构和板线分级设计,利用双脉冲驱动方式以及优化后的字线、位线设计。并完成电路版图以及前仿和后仿。

关键词：铁电存储器阵列架构板线字线位线

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

构造中位线巧解几何题

数学学习（海口） 2012年第4期 17-25页

作者：杨耀南

三角形的"中位线"是初中数学中的一个重要知识点,也是历年中考必考的内容之一.尤其是它的性质定理在几何的求解题和证明题中应用更为广泛,中考常考常新.在大多数试题中,中位线的组成,大多不是十分明显或完整地表现出来,需要我们在解题时... 详细信息

三角形的"中位线"是初中数学中的一个重要知识点,也是历年中考必考的内容之一.尤其是它的性质定理在几何的求解题和证明题中应用更为广泛,中考常考常新.在大多数试题中,中位线的组成,大多不是十分明显或完整地表现出来,需要我们在解题时,能够抓住题目中的已知信息(例如已知线段的"中点")入手,通过适当手段构造出三角形(或梯形)的"中位线"。

关键词：位线梯形中位线定理证明题平分线中考试题数量关系等量代换解题策略不变量说明理由

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

具有折式位线的HM4864

微电子学 1983年第3期 21-26页

作者：甲藤久郎岳和平日立制作所

半导体IC生产迅速发展的重要原因在于大容量RAM已经能够大量地用在从大型计算机到游戏机等各种数字装置中。其中以体积小、价格便宜、已走向技术革新尖端行列的动态RAM数量最多。并且,现在正加快步伐把最先进的3μm技术用于64KDRAM的... 详细信息

半导体IC生产迅速发展的重要原因在于大容量RAM已经能够大量地用在从大型计算机到游戏机等各种数字装置中。其中以体积小、价格便宜、已走向技术革新尖端行列的动态RAM数量最多。并且,现在正加快步伐把最先进的3μm技术用于64KDRAM的试制和生产。预计这种单5V电源器件在今后的数年内将促进数字机的进一步普及和发展。

关键词： HM4864 位线数字机大型计算机编置读出放大器塑料封装存取时间存储单元存储阵列

采用多晶硅位线增大单元电容量的MK4164型64KDRAM

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学 1983年第3期 43-46页

作者：知名定清倪沛然莫斯特克日本公司

在设计64K位动态RAM时,仅把现有的16K位动态RAM按其原有的几何尺寸缩小的方法是一种使人误入歧途的设计方法。总而言之,16K位动态RAM是在存储器中产量最多的一种器件并且Mstek公司也是其中产量最大的厂家。但是,根据制作16K位动态RAM的... 详细信息

在设计64K位动态RAM时,仅把现有的16K位动态RAM按其原有的几何尺寸缩小的方法是一种使人误入歧途的设计方法。总而言之,16K位动态RAM是在存储器中产量最多的一种器件并且Mstek公司也是其中产量最大的厂家。但是,根据制作16K位动态RAM的经验表明,在设计中照原样模仿16K位动态RAM的方法是一种愚笨的方法。

关键词：位线衬底基片 MK4164 仪表组合单元存储单元多晶硅电容量