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  • 23 篇 期刊文献
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主题

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  • 4 篇 电离总剂量效应
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  • 3 篇 空间辐射环境
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机构

  • 5 篇 西北核技术研究所
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  • 5 篇 中国科学院新疆理...
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  • 1 篇 强脉冲辐射环境模...

作者

  • 7 篇 李豫东
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语言

  • 35 篇 中文
检索条件"主题词=位移损伤效应"
35 条 记 录,以下是31-40 订阅
排序:
CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析
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现代应用物理 2019年 第2期10卷 42-46页
作者: 于新 荀明珠 郭旗 何承发 李豫东 文林 张兴尧 周东 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011
位移损伤敏感器件CCD及CMOS图像传感器进行了3,10,23MeV质子辐照试验,获得了电荷转移效率及暗电流退化程度分别随非电离能量损失(NIEL)变化的线性关系,验证了基于NIEL的位移损伤等效方法的可行性。为准确预测抗辐射加固工程中,器件屏... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
中子辐照诱导CCD电荷转移效率降低的数值模拟与分析
中子辐照诱导CCD电荷转移效率降低的数值模拟与分析
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2004全国图像传感器技术学术交流会
作者: 王祖军 唐本奇 张勇 肖志刚 黄绍艳 西北核技术研究所
运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICl,分别对能量为1 MeV和14 MeV的中子,在注量范围为3×1013~5×1014 cm-2辐照下,对CCD器件电荷转移效率的变化规律进行数值模拟研究。建立了MEDICI软件模拟CCD电荷转移效率变化的器件物理模型、中... 详细信息
来源: cnki会议 评论
γ射线、质子、中子辐射效应等效性试验研究
γ射线、质子、中子辐射效应等效性试验研究
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中国核学会2013年学术年会
作者: 于庆奎 唐民 孟猛 李鹏伟 文平 李海岸 汤洁森 王四新 宋亚美 中国空间技术研究院 空间电子信息技术研究院 苏州半导体总厂有限公司 北京瑞普北光电子有限公司
针对空间用器件位移效应评估需求,进行了不同辐射源辐射效应等效性辐照试验研究。以典型光电器件为样品,利用γ射线、质子和中子辐射源进行了辐照试验,比较了不同辐射源辐照后器件电参数退化。计算了不同辐射源的电离总剂量和位移损伤剂... 详细信息
来源: cnki会议 评论
新疆建成世界首台10—60兆电子伏质子加速器
新疆建成世界首台10—60兆电子伏质子加速器
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新疆日报(汉)
作者: 谢慧变
本报乌鲁木齐2月22日讯 石榴云/新疆日报记者谢慧变从自治区人民政府新闻办公室22日举行的2023年中国科学院新疆分院科技成果新闻发布会上获悉:中国科学院新疆理化技术研究所建成世界首台可在10—60兆电子伏(MeV)连续精确提供宽注量... 详细信息
来源: cnki报纸 评论
质子,在这里加速  001
质子,在这里加速
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科技日报
作者: 王迎霞 颉满斌
隆冬,塞外。风刀霜剑挡不住探究的热情。 从甘肃兰州一路向西,跨越2000公里,科技日报记者来到中国科学院新疆理化技术研究所(以下简称“新疆理化所”)。这里,有世界首台质子位移损伤效应模拟试验装置(PREF)——60MeV(兆电子... 详细信息
来源: cnki报纸 评论