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1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计

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中国科学：物理学、力学、天文学 2013年第8期43卷 930-935页

作者：王海啸郑新和文瑜吴渊渊甘兴源王乃明杨辉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中国科学院纳米器件与应用重点实验室苏州215123 中国科学院大学北京100190

使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期... 详细信息

使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.为在实验上较好地控制所需带隙,我们利用传输矩阵方法从理论上计算了实现1eV带隙下超晶格的周期数、垒层厚度以及In,N的浓度,并进一步讨论分析1eV带隙下的多个相关参数的对应关系以及超晶格的应变状态.

关键词： GaNAs InGaAs短周期超晶格传输矩阵方法太阳能电池超晶格参数

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关联无序材料中电子态的研究方法

材料导报 2005年第9期19卷 20-22页

作者：刘小良徐慧马松山肖剑荣中南大学物理科学与技术学院长沙410083

按照一般的无序理论,在非关联一维无序材料中不存在扩展态,在绝对零度下,电子的波函数是局域的,系统表现为绝缘体。在关联无序系统中,格点能量之间的长程关联,即对角关联,能导致扩展的波函数并由此导致系统的导电性。当关联强度于某一阈... 详细信息

按照一般的无序理论,在非关联一维无序材料中不存在扩展态,在绝对零度下,电子的波函数是局域的,系统表现为绝缘体。在关联无序系统中,格点能量之间的长程关联,即对角关联,能导致扩展的波函数并由此导致系统的导电性。当关联强度于某一阈值,可以发现在热力学极限之下有存在于较宽能带范围内的扩展态,此阈值即为体系的金属-绝缘体转变临界点。考虑格点之间的长程相互作用势,即非对角关联时,在一维系统中通过使用传输矩阵方法,可以获得电子态的一些本质效应,长程跳跃可以改变系统的有效维度并能导出一维体系中存在有依赖于关联强度的金属-绝缘体转变。

关键词：无序关联长程跳跃金属-绝缘体转变无序材料电子态非关联传输矩阵方法一维系统关联强度

低介电常数超材料在反射型磁光隔离器中的应用

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光子学报 2017年第S1期46卷 49-53页

作者：宦杰杨晓霞陶志阔陈将伟南京邮电大学电子科学与工程学院南京210023

为设计厚度薄、层数少且具有良好工作性能的反射型磁光隔离器,在一维单缺陷磁光光子晶体中引入低介电常数超材料.利用传输矩阵法研究该光子晶体的克尔磁光效应,结果表明,采用低介电常数超材料制备层间阻抗差异较大的一维单缺陷磁光光子... 详细信息

为设计厚度薄、层数少且具有良好工作性能的反射型磁光隔离器,在一维单缺陷磁光光子晶体中引入低介电常数超材料.利用传输矩阵法研究该光子晶体的克尔磁光效应,结果表明,采用低介电常数超材料制备层间阻抗差异较大的一维单缺陷磁光光子晶体,既易于在磁光介质层形成较强的局域场,获得接近45°的克尔旋转角,又可增强光的反射,获得较高的能量反射率.本研究为低介电常数超材料应用提供了新的可能.

关键词：光隔离器光子晶体超材料传输矩阵方法克尔磁光效应

结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征（英文）

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光散射学报 2016年第3期28卷 214-219页

作者：谢灯丘志仁万玲玉 TIN Chin-che 梅霆冯哲川华南师范大学光电子材料与技术研究所广州510631 中山大学光电材料与技术国家重点实验室物理学院广州510275 广西大学物理科学与工程技术学院广西相对论天体物理重点实验室光电子材料与探测技术实验室南宁530004 马来西亚大学机械工程系马来西亚吉隆坡50603 奥本大学物理学院美国奥本36849 西北工业大学理学院教育部空间应用物理与化学重点实验室陕西省光信息技术重点实验室西安710072

宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2eV以上,一阶声子特征峰在100至1500cm^(-1)之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆... 详细信息

宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2eV以上,一阶声子特征峰在100至1500cm^(-1)之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆偏振光谱与红外傅里叶反射谱进行传输矩阵分析的方法,能够同时确定从紫外波段(约250nm)到远红外波段(约22000nm)的薄膜材料色散关系和膜厚。我们构建了基于谐振子的光学函数模型,并论证这个模型很适合用于模拟由各种不同波长入射光波造成的共振吸收。

关键词：椭圆偏振光谱傅里叶红外光谱传输矩阵方法

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一维光子晶体中两缺陷间的相互作用

南昌大学学报（理科版） 2002年第4期26卷 337-340,348页

作者：安丽萍刘念华南昌大学物理学系江西南昌330047

利用传输矩阵的方法 ,计算了电磁波通过一维光子晶体的透射系数、反射系数和场分布。当在周期性光子晶体中引入多个缺陷时 ,将在截止带中形成多个缺陷模。在缺陷模频率处存在尖锐的共振透射峰 ,透射峰频率依赖于缺陷层在晶体中的位置。... 详细信息

利用传输矩阵的方法 ,计算了电磁波通过一维光子晶体的透射系数、反射系数和场分布。当在周期性光子晶体中引入多个缺陷时 ,将在截止带中形成多个缺陷模。在缺陷模频率处存在尖锐的共振透射峰 ,透射峰频率依赖于缺陷层在晶体中的位置。在缺陷层或缺陷层周围形成局域化的场。讨论了当在晶体中引入两个缺陷层 ,这两个缺陷层之间的距离发生变化时引起透射谱的变化情况以及缺陷模的场的分布。当缺陷层相距较近时 ,在两缺陷间存在相互作用 ,而且缺陷层相距越近 ,相互作用强度越强 ;这种作用与缺陷本身 (大小和其折射率 )

关键词：光子晶体缺陷模缺陷层传输矩阵方法电磁波透射系数反射系数场分布相互作用

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共振声子THz QCL有源区结构设计

微纳电子技术 2011年第10期48卷 634-638页

作者：牛晨亮王健王建峰师巨亮韩颖夏英杰孙保瑞专用集成电路重点实验室石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

利用Airy函数代换与传输矩阵方法精确计算了有外加偏压下电子在共振声子太赫兹量子级联激光器有源区单个周期内的透射系数与波函数,得到了不同偏压下的电子波函数分布以及准束缚态能级位置与外加偏压的关系曲线。在仿真计算的基础上设... 详细信息

利用Airy函数代换与传输矩阵方法精确计算了有外加偏压下电子在共振声子太赫兹量子级联激光器有源区单个周期内的透射系数与波函数,得到了不同偏压下的电子波函数分布以及准束缚态能级位置与外加偏压的关系曲线。在仿真计算的基础上设计了一种共振声子太赫兹量子级联激光器的有源区结构。计算结果表明,对于设计的结构,当单个周期两端的外加偏压为45 mV时达到太赫兹工作点。此时,发射区内E3能级和E2能级对应的波函数能够交叠,相应发射波属于太赫兹频段,波长为98.0μm,频率为3.05 THz。电子在弛豫区内E2和E1能级间跃迁发出的能量为36.0 meV,与GaAs的纵向光学声子能量(36 meV)相同,有利于粒子数反转。

关键词：太赫兹量子级联激光器(THz QCL) 共振声子(RP) 粒子数反转 Airy函数代换传输矩阵方法

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边带耦合光子晶体滤波器反射谱特性分析

应用光学 2011年第6期32卷 1130-1133页

作者：张兴娇肖永江文如泉萍乡高等专科学校江西萍乡337000

为研究边带耦合光子晶体滤波器的性质,利用耦合模理论(CMT)和传输矩阵方法(TMM)分析了谐振器腔体的周期,Q值和腔体的个数对滤波器反射谱的影响。仿真结果表明:相移为nπ/2,反射谱才具有对称性;Q值增加,反射峰带宽减小;N增大,反射峰带宽... 详细信息

为研究边带耦合光子晶体滤波器的性质,利用耦合模理论(CMT)和传输矩阵方法(TMM)分析了谐振器腔体的周期,Q值和腔体的个数对滤波器反射谱的影响。仿真结果表明:相移为nπ/2,反射谱才具有对称性;Q值增加,反射峰带宽减小;N增大,反射峰带宽相应增大,旁瓣也随之出现。针对为实现增加带宽而出现的旁瓣增加的现象,采用了类似一维光子晶体滤波器的方法啁啾和级联技术实现了旁瓣的抑制。为设计具体光子晶体滤波器提供指导和依据。

关键词：光子晶体滤波器耦合模理论传输矩阵方法反射谱

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基于微腔和光学Tamm态耦合的全光二极管

激光技术 2016年第1期40卷 11-14页

作者：吴义恒胡坚霞方云团安庆师范学院物理与电气工程学院安庆246133 江苏大学计算机科学与通信工程学院镇江212013

为了实现全光二极管的功能设计,采用1维光子晶体非线性微腔,在1维光子晶体两端设置不同厚度的金属薄膜,并运用非线性传输矩阵方法研究了该结构的传输属性。结果表明,两个非对称光学Tamm态和非线性微腔的耦合结构呈现双稳态,且滞回线的... 详细信息

为了实现全光二极管的功能设计,采用1维光子晶体非线性微腔,在1维光子晶体两端设置不同厚度的金属薄膜,并运用非线性传输矩阵方法研究了该结构的传输属性。结果表明,两个非对称光学Tamm态和非线性微腔的耦合结构呈现双稳态,且滞回线的位置与入射方向有关,具有全光二极管功能;光二极管的性能依赖于微腔厚度和两个金属薄膜的厚度比。该设计为全光二极管的性能优化提供了参考。

关键词：非线性光学全光二极管传输矩阵方法微腔

MCM多层导体板频率响应的平面电路分析方法

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微波学报 2007年第5期23卷 40-43页

作者：胡晋王华力金利峰朱德生解放军理工大学通信工程学院南京210007 江南计算技术研究所无锡214083

MCM电源分配系统设计要求全频带目标阻抗维持在较小的范围内,使得瞬变电流不会引发过大的电压噪声。本文利用平面电路分析方法建立了MCM叠层多端口等效电路,并在此基础上推导了MCM多层导体板多端口阻抗频率响应,该方法在满足趋肤效应假... 详细信息

MCM电源分配系统设计要求全频带目标阻抗维持在较小的范围内,使得瞬变电流不会引发过大的电压噪声。本文利用平面电路分析方法建立了MCM叠层多端口等效电路,并在此基础上推导了MCM多层导体板多端口阻抗频率响应,该方法在满足趋肤效应假设前提下对于高速数字系统是行之有效的。分别利用平面电路分析方法与传输矩阵方法计算了多层导体板MCM叠层端口自阻抗与互阻抗,计算结果得到了较为一致的吻合,从而验证了该方法的合理性。

关键词：多芯片组件平面电路传输矩阵方法阻抗矩阵