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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 等离子体损伤
  • 1 篇 ptsi合金
  • 1 篇 介质击穿/隧穿
  • 1 篇 等离子体充电效应
  • 1 篇 硅微波双极晶体管

机构

  • 1 篇 中国电子科技集团...

作者

  • 1 篇 胡顺欣
  • 1 篇 邓建国
  • 1 篇 李明月
  • 1 篇 苏延芬

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=介质击穿/隧穿"
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硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析
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电子工业专用设备 2015年 第7期44卷 18-22页
作者： 胡顺欣 李明月 苏延芬 邓建国 中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄050051
介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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