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科学通报 2021年第16期66卷 1968-1982页

作者：贾曰辰王士香谭杨王磊陈峰山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室济南250100

介电光学晶体种类繁多,具有丰富的功能属性,在科学研究、生产生活的各个领域有着广泛的应用.光波导是基本的光学微结构之一.基于介电光学晶体的光波导结构是组成集成光子学器件的重要元件.利用飞秒激光直写或者载能离子束辐照技术,可以... 详细信息

介电光学晶体种类繁多,具有丰富的功能属性,在科学研究、生产生活的各个领域有着广泛的应用.光波导是基本的光学微结构之一.基于介电光学晶体的光波导结构是组成集成光子学器件的重要元件.利用飞秒激光直写或者载能离子束辐照技术,可以有效调控晶体材料局部区域的折射率分布,形成低损耗的光波导结构.本文将介绍介电晶体光波导(包括单晶薄膜)的制备方法及相关的波导性能,综述介电晶体光波导在激光产生、非线性光学频率转换、信号调制以及量子信息中的应用,并对这一领域的未来研究进行展望.

关键词：介电晶体光波导飞秒激光微加工离子注入铌酸锂单晶薄膜

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飞秒激光直写介电晶体光波导的研究进展

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激光与光电子学进展 2016年第1期53卷 1-16页

作者：贾曰辰陈峰山东大学物理学院山东济南250100

介电晶体光波导结合了波导紧凑型的结构和介电晶体的诸多优异性质,在集成光子学中具有广泛的应用。飞秒激光直写是一种有效的三维微纳精细加工技术,可以在多种透明光学材料中实现基于波导结构的微小型光子学器件的制备。综述了利用飞秒... 详细信息

介电晶体光波导结合了波导紧凑型的结构和介电晶体的诸多优异性质,在集成光子学中具有广泛的应用。飞秒激光直写是一种有效的三维微纳精细加工技术,可以在多种透明光学材料中实现基于波导结构的微小型光子学器件的制备。综述了利用飞秒激光直写晶体/陶瓷材料光波导的制备、表征以及应用,并展望了飞秒激光写入晶体光波导研究的未来发展方向。

关键词：集成光学光波导飞秒激光直写介电晶体波导激光倍频

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飞秒激光直写技术制备介电晶体光波导的研究进展

飞秒激光直写技术制备介电晶体光波导的研究进展

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全国第17次光纤通信暨第18届集成光学学术会议

作者：陈峰山东大学物理学院

介电晶体光波导结合了波导的紧凑型结构特点和晶体材料自身的诸多优异性质(如激光、非线性、电光等),在集成光学中具有广阔的应用前景。不同种类的晶体具有相对复杂的晶格结构和各异的物理、化学属性。飞秒激光直写是一种有效的三维微... 详细信息

介电晶体光波导结合了波导的紧凑型结构特点和晶体材料自身的诸多优异性质(如激光、非线性、电光等),在集成光学中具有广阔的应用前景。不同种类的晶体具有相对复杂的晶格结构和各异的物理、化学属性。飞秒激光直写是一种有效的三维微细加工技术,可以在透明光学材料中产生有效的折射率改变。通过控制飞秒激光束的各种参数以及对扫描系统的精确控制,可以制备基于波导结构的微型光子学器件。近年来,研究者已经利用飞秒激光技术成功的在二十余种晶体材料中制备了多种类型的光波导结构,并实现了波导激光、电光调制、非线性变频等方面的应用。本文介绍了利用飞秒激光直写介电晶体光波导的制备、特性以及应用,并展望了飞秒激光写入晶体光波导研究的未来发展方向。

关键词：飞秒激光直写介电晶体光波导结构

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微波声学材料的性能

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压电与声光 1991年第1期13卷 91-95页

作者： ArthurBallato TedLukaszek 刘荣贵美.陆军LABCOM电子技术和器件研究实验室

就微波和毫米波频率器件用的材料来说,人们几乎仅对其电磁和光学性能,如电阻率、迁移率以及介电常数感兴趣。许多双功能半导体,例如,GaAs为压电体和半导体。因此,这些双功能半导体适用于声波器件和混合声—电信号处理器件。本文介绍了... 详细信息

就微波和毫米波频率器件用的材料来说,人们几乎仅对其电磁和光学性能,如电阻率、迁移率以及介电常数感兴趣。许多双功能半导体,例如,GaAs为压电体和半导体。因此,这些双功能半导体适用于声波器件和混合声—电信号处理器件。本文介绍了适合于这些应用的半导体晶体材料的声学性能,描述了随晶体方向所发生的变化。

关键词：微波声学材料介电晶体

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KTN晶体在高压直流电场下的介电退化与着色现象

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人工晶体学报 1997年第3期26卷 368-368页

作者：管庆才王继场魏景谦刘耀岗山东大学晶体材料国家重点实验室

介电陶瓷或晶体在高压直流电场作用下电导率将会升高，长时间的高压直流电场作用将最终导致电击穿，这就是所谓的介电退化现象。而对于某些介电晶体，在直流电场作用下，可导致晶体变黑不透明。这些都严重影响了材料的应用。本文报道四... 详细信息

介电陶瓷或晶体在高压直流电场作用下电导率将会升高，长时间的高压直流电场作用将最终导致电击穿，这就是所谓的介电退化现象。而对于某些介电晶体，在直流电场作用下，可导致晶体变黑不透明。这些都严重影响了材料的应用。本文报道四方相钽铌酸钾（ＫＴＮ）晶体在直流高压电场作用下介电退化与着色的实验结果，并对其机理进行讨论。本文的实验装置是对浸泡在硅油中的四方相掺铁ＫＴＮ晶体样品施加高压电场，在测试其电导率变化的同时观察颜色变化。主要实验结果如下：（１）尽管大多数样品，其电导率在极化过程中都会升高，但是初始电导率较低的样品变化幅度较小，经较长时间的高压极化也不会出现着色及击穿现象。这类晶体利于实用。（２）初始电导率较高的晶体适于本实验的观察和研究。晶体在施加高压电场后，其极化电流持续升高。一定时间以后，靠近正极一端的晶体变黑，黑色区域逐渐向负极推移。随极化电流的增大，晶体往往会在整个区域变黑以前被击穿。（３）在施加高压电场一定时间后将其撤掉，立即检测晶体的电导率变化，发现晶体电导率在停止施加电场后，迅速降低到一饱和值。但该值仍高于初始值。这表明，在极化过程中晶体电导率的升高，既包含电致升高的因素，又包含热致升高的因素。（４）?

关键词：电导率介电退化着色介电晶体电场氮酸钛钾

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