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柔性PbSm(MgNb)TiO弛豫铁电薄膜储能特性研究

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硅酸盐学报 2024年

作者：吕盼盼石长清辛乐战行张书志王佳李瑞航李存成任路超杨长红张明伟程新淄博师范高等专科学校数理系山东理工大学材料科学与工程学院济南大学山东省建筑材料制备与测试技术重点实验室山东理工大学分析测试中心

弛豫铁电薄膜电容器因具有细长电滞回线和高能量转化效率成为介电储能应用的理想选择。本工作采用溶胶凝胶法在沉积有LaNiO3缓冲层的云母基底上直接制备了柔性Pb0.99Sm0.01(Mg1/3Nb2/3)0.68Ti0.32O3(PSMNT)薄膜，系统研究了柔性PSMNT膜... 详细信息

弛豫铁电薄膜电容器因具有细长电滞回线和高能量转化效率成为介电储能应用的理想选择。本工作采用溶胶凝胶法在沉积有LaNiO3缓冲层的云母基底上直接制备了柔性Pb0.99Sm0.01(Mg1/3Nb2/3)0.68Ti0.32O3(PSMNT)薄膜，系统研究了柔性PSMNT膜的微观结构、介电、铁电和储能性能。X射线衍射(XRD)结果表明薄膜样品为单一钙钛矿相。扫描电子显微镜(SEM)结果显示薄膜的晶粒尺寸均匀且致密。在极化特性方面，所制备的柔性PSMNT薄膜因具有弛豫性，其电滞回线呈现出纤细束腰特征，在外加电场2 468 kV/cm下，其最大饱和极化为74.5 μC/cm2，剩余极化为16.4 μC/cm2。薄膜电容器击穿前最大可释放能量密度和储能效率分为40.7 J/cm3和70%，并且表现出较好的频率(1～20 kHz)和温度(25～120 ℃)稳定性。此外，样品借助云母衬底可实现优异的可弯折性，在弯曲半径R低至2 mm和弯曲疲劳循环1 000次(R=4 mm)后，其储能性能仍可保持。此研究表明以云母为基底的PSMNT弛豫薄膜在柔性储能领域具有很大的应用潜力。

关键词：铌镁酸铅钛酸铅基薄膜弛豫铁电体介电储能柔性

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接枝聚丙烯电容薄膜的高温储能特性

中国电机工程学报 2023年

作者：罗兵李君洛王少杰胡世勋徐永生肖微徐刚毅何金良李琦电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室(清华大学电机系) 特高压电力技术与新型电工装备基础国家工程研究中心

随着海上风电、电动汽车和油气勘探的迅速发展，对薄膜电容器的工作温度提出了更高的要求。然而，当环境温度达到120 °C时，目前使用最为广泛的双向拉伸聚丙烯(BOPP)电容薄膜充放电效率急剧下降，不能满足应用需求。本文制备了苯乙烯... 详细信息

随着海上风电、电动汽车和油气勘探的迅速发展，对薄膜电容器的工作温度提出了更高的要求。然而，当环境温度达到120 °C时，目前使用最为广泛的双向拉伸聚丙烯(BOPP)电容薄膜充放电效率急剧下降，不能满足应用需求。本文制备了苯乙烯接枝聚丙烯(PP-g-St)双向拉伸电介质薄膜，在120 °C下，PP-g-St可以将能量密度从0.23 J/cm3提高到1.67 J/cm3(储能效率在90%以上)，同时接枝后击穿场强大幅提升，高温泄漏电流得到了有效的抑制，这源自于接枝后引入的深陷阱限制了载流子的输运。接枝样品中的自聚相经拉伸后与基体具有良好的相容性。本研究为适用于高温高场条件的聚丙烯基电容器薄膜材料的大规模制备提供了可能。

关键词：接枝聚丙烯双向拉伸薄膜薄膜电容器高温介电储能

CaBi_(4)Ti_(4)O_(15)-Bi(Fe_(0.93)Mn_(0.05)Ti_(0.02))O_(3)铁电固溶体薄膜的制备及储能特性

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硅酸盐通报 2024年第6期43卷 2301-2309页

作者：余致尧王文文司景翔苑秀芳李成龙林秀娟杨长红济南大学山东省建筑材料制备与测试技术重点实验室济南250022

采用金属有机分解法结合旋涂技术,在Pt(111)/TiO_(2)/SiO_(2)/Si衬底上制备(1-x)CaBi_(4)Ti_(4)O_(15)-xBi(Fe_(0.93)Mn_(0.05)Ti_(0.02))O_(3)(CBT-xBFMT,x=0,0.05,0.10,0.15)固溶体薄膜,通过X-射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、铁电分析仪和阻抗分析仪,系统研究了CBT基薄膜的储能性能。结果表明,所制备的薄膜均呈现出多晶铋层状结构,无杂相生成。BFMT的引入增大了薄膜的最大极化强度P_(m)和抗击穿场强E_(b),并降低了漏电流密度。随着BFMT固溶量的增加,CBT-xBFMT薄膜的抗击穿场强E_(b)先增大后减小,在x=0.10处达到最大;最大极化强度P_(m)逐渐增加,在x=0.10处极化强度差最大;最大抗击穿场强和最大极化强度差的共同作用使CBT-0.10BFMT薄膜具有最佳储能特性,有效储能密度W_(rec)和储能效率η分别为82.8 J/cm^(3)和78.3%,且储能稳定性(25~150℃)良好。CBT-0.10BFMT铁电薄膜有望应用于环境友好型小型能量储存器件。

关键词： CaBi_(4)Ti_(4)O_(15)薄膜固溶体介电储能击穿场强极化强度差高温

可交联型P(VDF-CTFE-DB)/PMN-PT-Sm纳米复合薄膜的制备及介电和储能性能

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材料导报 2020年第18期34卷 18152-18158页

作者：何亭睿王一平李雄杰陈朋胡悫睿杨颖宁洪龙南京航空航天大学机械结构力学及控制国家重点实验室南京210016 南京航空航天大学材料科学与技术学院南京210016 华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室广州510640

以聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-CTFE))为原料,经过消去反应脱除氯化氢,得到含有分子内双键的P(VDF-CTFE-DB)。选择高介电的钐掺杂铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT-Sm)铁电陶瓷作为复合相,以可交联的P(VDF-CTFE-DB)作为聚合物基体,通过自由基反... 详细信息

以聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-CTFE))为原料,经过消去反应脱除氯化氢,得到含有分子内双键的P(VDF-CTFE-DB)。选择高介电的钐掺杂铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT-Sm)铁电陶瓷作为复合相,以可交联的P(VDF-CTFE-DB)作为聚合物基体,通过自由基反应形成交联型P(VDF-CTFE-DB)/PMN-PT-Sm纳米复合薄膜。研究了不同掺杂量的PMN-PT-Sm和交联结构对P(VDF-CTFE-DB)/PMN-PT-Sm纳米复合薄膜介电、储能及漏电流性能的影响。结果表明,当掺杂30%(体积分数,下同)的PMN-PT-Sm时,纳米复合薄膜在100 Hz时的介电常数最大为65。当掺杂20%的PMN-PT-Sm时,纳米复合薄膜的击穿电场为3200 kV/cm,储能密度达到最大值,为9.7 J/cm 3。交联结构的引入显著提高了纳米复合薄膜的击穿电场,有效降低了纳米复合薄膜的漏电流、介电损耗以及提高了纳米复合薄膜的储能密度。此外,这种交联结构能赋予纳米复合薄膜优良的耐溶剂性能。

关键词：氟聚物交联结构介电储能铁电陶瓷纳米复合薄膜

二氧化铈掺杂钛酸铋钠基陶瓷的高储能密度及温度稳定性

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材料导报 2019年第16期33卷 2648-2653页

作者：卫芳彬张雷阳王颖李洋刘岗西南大学材料与能源学院

为制备可应用于脉冲电源电容器领域的高性能电介质陶瓷,本工作通过传统固相反应法制得致密且均匀的NBT-ST基无铅弛豫铁电陶瓷。其中NBT-ST-1Ce陶瓷的室温储能密度达到1.07 J/cm 3,储能效率稳定在80%以上。此外,该陶瓷的储能效率展现了... 详细信息

为制备可应用于脉冲电源电容器领域的高性能电介质陶瓷,本工作通过传统固相反应法制得致密且均匀的NBT-ST基无铅弛豫铁电陶瓷。其中NBT-ST-1Ce陶瓷的室温储能密度达到1.07 J/cm 3,储能效率稳定在80%以上。此外,该陶瓷的储能效率展现了良好的温度稳定性:在25~150℃范围内,储能效率稳定在95%左右。因此,该介质材料在脉冲电源电容器领域具有一定的发展潜力。

关键词：钛酸铋钠介电储能温度稳定性弛豫铁电体二氧化铈

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储能电容器用弛豫铁电陶瓷充放电性能研究

储能电容器用弛豫铁电陶瓷充放电性能研究

作者：上阳超陕西科技大学

学位级别：硕士

人们对于电能的需求与日俱增,储能材料及器件的研发成为当前的研究热点,电介质陶瓷电容器具有快的充放电速度,因此成为储能设备的首要选择。钛酸铋钠铁电体具备高极化强度和良好温度稳定性等优点,可被用作储能陶瓷电容器介质材料,但是,... 详细信息

人们对于电能的需求与日俱增,储能材料及器件的研发成为当前的研究热点,电介质陶瓷电容器具有快的充放电速度,因此成为储能设备的首要选择。钛酸铋钠铁电体具备高极化强度和良好温度稳定性等优点,可被用作储能陶瓷电容器介质材料,但是,低击穿电场和高介电损耗制约着其储能及充放电性能。针对目前存在的问题,采用调控陶瓷介质材料成分组成、优化表面电极和改变陶瓷尺寸参数等手段提高其储能性能,并研究相结构、微观结构等对陶瓷储能和充放电性能影响,最后将陶瓷样品进行包封测试并应用于倍压电路试验。采用固相法制备了(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBa0.85Ca0.15Ti0.85Zr0.1Sn0.05O3(x=0.1-0.7,NBT-BCZTS)陶瓷。XRD分析表明无杂相产生,晶体结构为伪立方相,固溶后陶瓷平均离子半径增大,XRD衍射峰向低角度偏移。随着BCZTS添加量的增加,陶瓷晶粒明显减小。陶瓷介电峰逐渐移向室温并展宽,弛豫程度明显提高。非铁电相的引入打破了原有铁电长程有序结构,形成纳米极化微区,电滞回线逐渐细化。晶粒细化后击穿性能得到明显提升,当x=0.5时,陶瓷在190kV/cm电场下,储能密度为1.6J/cm3,储能效率为80%。通过充放电性能测试,陶瓷在120kV/cm电场下获得了 42A的Imax和0.25J/cm3的Wdis-max。与此同时,陶瓷在20-120℃范围内,Wdis-max表现出上升趋势,表明其具有一定高温应用潜力。分析表明弛豫铁电陶瓷畴结构的翻转引起的能量损耗导致陶瓷电介质在电滞回线和充放电测试中能量密度存在差异。选择组分0.5NBT-0.5BCZTS陶瓷研究电极制备工艺及电极种类对介电及充放电性能影响。分别采用磁控溅射法(S-Ag)和烧渗法(C-Ag)制备出银电极。经过微观形貌表征,C-Ag银层中存在孔洞,与陶瓷表面接触区产生缝隙造成有效电容减小,S-Ag表面平整,与陶瓷接触紧密。因此S-Ag样品介电常数(970)高于C-Ag样品(926),平均击穿电场从255 kV/cm提高至270kV/cm。S-Ag样品在220kV/cm电场下储能密度达到2.3 J/cm3,充放电测试 S-Ag 样品在 120 kV/cm 电场下Imax为 45 A,Wdis-max 为 0.37 J/cm3。利用磁控溅射法制备出金电极(S-Au)。S-Au样品微观结构和介电性能与S-Ag相似。溅射金电极在200 kV/cm电场下储能密度为1.9 J/cm3,储能效率为78%。溅射银电极比其电极具有更优异的性能。研究了电极面积和样品厚度对0.5NBT-0.5BCZTS陶瓷充放电性能影响。在100 kV/cm电场下,当样品电极面积从0.0314 cm2增加到0.2826 cm2,欠阻尼电流峰值从20 A增加到61 A,Wdis-max在维持在0.2 J/cm3,t0.9从25 ns增加到140ns。样品电极面积增大能够提高电流峰值。随着陶瓷样品厚度增加(0.2-0.7 mm),欠阻尼电流峰值从50 A增加到100 A,功率密度从8 MW/cm3增加到17MW/cm3,t0.9从190 ns减小为60 ns。结果表明增加样品厚度可以在提高电流峰值的同时缩短放电时间。当电路串联电阻阻值增加(43-400 Ω),过阻尼放电t0.9值从60 ns增加到420 ns。外电路电感值增加会降低欠阻尼放电峰值,使电路由过阻尼变为欠阻尼。结果表明样品尺寸参数、电极面积及电路参数等非本征因素能够影响电介质的放电性能,目前储能领域中将充放电测试数据在测试条件未统一的情况下进行直接比较并不规范。因此提出,在表征充放电性能时,应在陶瓷电极直径为0.3 cm,样品厚度0.03 cm,过阻尼放电负载100Ω,电感2 μH的统一标准下进行测试。将0.5NBT-0.5BCZTS陶瓷样品被银、焊接引线后用环氧树脂包封制成陶瓷电容器,进行一系列测试并应用于倍压整流电路,电路放电高压可在放电端子间距1 mm时将空气击穿,产生稳定电弧。

关键词：介电储能钛酸铋钠弛豫铁电陶瓷充放电电极效应

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钛酸铋基铁电薄膜的储能特性调控

钛酸铋基铁电薄膜的储能特性调控

作者：蔺伟内蒙古大学

学位级别：硕士

随着现代微电子器件朝着集成化、轻量化和小型化发展,基于铁电材料的薄膜介电电容器凭借其功率密度高、充放电速度快等优点,被广泛研究用于先进的电子和电力系统。然而,长期存在的瓶颈是——它们的储能密度远小于电池等电化学储能装置,... 详细信息

随着现代微电子器件朝着集成化、轻量化和小型化发展,基于铁电材料的薄膜介电电容器凭借其功率密度高、充放电速度快等优点,被广泛研究用于先进的电子和电力系统。然而,长期存在的瓶颈是——它们的储能密度远小于电池等电化学储能装置,且由于铁电疲劳的存在,其储能性能随着充放电次数的增加而不断下降,这限制了它们进一步的实际应用。因此,寻求替代的策略来开发和设计同时具有高储能密度和疲劳稳定性的薄膜铁电电容器迫在眉睫。铋系Aurivillius相铁电氧化物具有相对介电常数大、铁电-顺电相变温度高等特点,使得它们可以在宽温度范围通过外部电场产生较强的铁电极化,在单位体积将大规模电能以极化的形式贮存起来,实现较高的能量存储密度。本文选用经典的无铅铋系层状钙铁电体钛酸铋作为母体材料,通过层间晶格结构设计和组分修饰等调控手段对母体材料进行储能改性,最终成功设计和开发出适用于低场和高场下储能的薄膜铁电电容器。此外,通过多尺度外/原位的结构和电学性质表征,并结合理论分析,详细讨论了优异介电储能特性背后的物理机制。本文主要的研究内容如下:1.利用插层调控手段对BiTiO(BIT)薄膜的层间晶格结构进行设计,通过溶胶-凝胶法分别将0-2层Bi Al O插入到BIT中,制备出具有不同层数伪钙钛矿结构的BiTiO-n Bi Al O(BIT-n BAO)(n=0,1,2)薄膜材料,并探究了层间结构层数对材料储能性能的影响。在掺入Bi Al O层状结构后,材料展现出遍历弛豫铁电体独有的内禀遍历特征——电场驱动的弛豫-铁电相之间的可逆相互转化。这使得BiTiO-Bi Al O(BIT-BAO)与BiTiO-2Bi Al O(BIT-2BAO)表现出有趣的双电滞回线,并在拥有高最大极化的同时伴随着低剩余极化,一定程度上增加了储能密度和储能效率。最终BIT-BAO薄膜展现出最优的储能性能,在1800 k V cm的低电场下获得了62.0 J cm的储能密度及71.44%的储能效率,以及评估低场储能性能的储能系数达到了0.0345 J k Vcm的超高值。这项工作为设计和开发适用于低场储能的介电电容器提供了提供了新的思路。2.利用掺杂对钛酸铋基铁电体BiTiO-Bi Al O(BIT-BAO)进行组分修饰,通过溶胶-凝胶法制备BiLaTiAl O(BLAT)(x=0,0.75,1.00,1.25)薄膜,在A位掺杂稀土元素调控材料的弛豫特性并研究其内在机理。掺杂镧元素导致微观畴结构尺寸明显减小,击穿电场大幅提升,储能应用电场成功扩宽,使其可在高场下应用。同时材料的弛豫特性增强,因此储能密度和效率均得以提升。最终在具有强弛豫特性的遍历铁电体BiLa TiAl O中同时获得了139.1 J cm的超高能量密度,89.2%的效率和3069 MW cm功率密度,以及高达1285.6 J cm的储能优值U,伴随着优异的疲劳、温度、频率稳定性。这项工作调控了铁电体的遍历弛豫特性,为铁电薄膜在高场储能应用提供了一种另辟蹊径的设计思路。

关键词：铁电薄膜铋系层状钙钛矿介电储能弛豫特性遍历特性

BN和Al2O3@BaTiO3纤维共掺杂PVDF复合介电薄膜的制备及性能研究

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BN和Al2O3@BaTiO3纤维共掺杂PVDF复合介电薄膜的制备及性能研究

作者：杨萌哈尔滨理工大学

学位级别：硕士

对于介电储能材料,兼具高介电、高击穿和高导热的研究备受关注,采用多种填料结合形貌结构设计是获得综合性能优异介电储能材料的有效策略。本文以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体,采用氧化铝颗粒(AlO)、钛酸钡纤维(BT)和氮化硼纳米片(BN)等多维... 详细信息

对于介电储能材料,兼具高介电、高击穿和高导热的研究备受关注,采用多种填料结合形貌结构设计是获得综合性能优异介电储能材料的有效策略。本文以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体,采用氧化铝颗粒(AlO)、钛酸钡纤维(BT)和氮化硼纳米片(BN)等多维填料,构建导热通路并抑制载流子迁移,协同提高PVDF基复合薄膜的介电常数、击穿场强和热导率。首先采用静电纺丝法制备BT纤维和负载AlO颗粒的BT纤维(AlO@BT),再分别以AlO颗粒及BT纤维共混物(AlO-b-BT),及AlO@BT纤维为填料,与PVDF溶液共混并流延热压获得AlO-b-BT/PVDF和AlO@BT/PVDF复合薄膜。相较于AlO-b-BT,AlO@BT在聚合物基体中的分散性更好,AlO@BT/PVDF复合薄膜表现出更优良的击穿、储能、导热及力学性能,仅介电常数略低于相同填料含量的AlO-b-BT/PVDF复合薄膜。在填料含量为5 wt%时,AlO@BT/PVDF复合薄膜介电常数为14.1@1 k Hz,击穿强度和储能密度均最高,分别达到236.5 k V/mm和6.09 J/cm,较AlO-b-BT/PVDF提高了32.6%和36.5%,是纯PVDF的2.3倍和1.9倍。另外,热导率和拉伸强度分别提升至0.234 W/(m·K)和47.3 MPa。采用高温煅烧制备羟基化BN纳米片和AlO@BT纤维共同填充PVDF,获得BN-AlO@BT/PVDF复合薄膜。适量AlO@BT纤维与BN纳米片的桥接有利于形成导热通路并抑制载流子迁移,使得BN-AlO@BT/PVDF复合薄膜的击穿场强、储能性能和热导率进一步获得提升。当BN含量和AlO@BT含量皆为5 wt%时,BN-AlO@BT/PVDF复合薄膜表现出最高的击穿场强和最大的储能密度,分别为253.9 k V/mm和7.51 J/cm,达到纯PVDF的2.4倍和2.3倍。同时,热导率也大幅提升至0.508 W/(m·K),较纯PVDF提高了220.8%,拉伸强度提高到41.23 MPa。

关键词：聚偏氟乙烯氮化硼静电纺丝介电储能导热性能

高功率和放电能量密度铌酸盐微晶玻璃的制备及构效关系研究

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高功率和放电能量密度铌酸盐微晶玻璃的制备及构效关系研究

作者：覃耀毅桂林电子科技大学

学位级别：硕士

为适应电力电子和脉冲功率器件微型化、轻量化和集成化的发展趋势,电介质电容器迫切需要提高其储能密度和功率密度。作为电介质电容器的核心材料,新型高性能电介质材料的开发显得尤为重要。具有钨青铜结构的铌酸盐微晶玻璃具有优异的温... 详细信息

为适应电力电子和脉冲功率器件微型化、轻量化和集成化的发展趋势,电介质电容器迫切需要提高其储能密度和功率密度。作为电介质电容器的核心材料,新型高性能电介质材料的开发显得尤为重要。具有钨青铜结构的铌酸盐微晶玻璃具有优异的温度和化学稳定性、可调的组成与电学性能以及制备成本低廉等优点,在高压高功率电介质电容器领域具有广阔的应用前景。在本文中,以KO-BaO-Sr O-NbO-BO体系玻璃作为主要研究对象,采用DSC、XRD、SEM、TEM、阻抗、介电温谱、铁电以及充放电等分析手段,系统地研究了热处理工艺、A/B位取代对微晶玻璃的相组成与微观结构的影响,并探索了相组成及晶体结构变化与微晶玻璃的介电、铁电、储能以及充放电性能之间的内在关系,为微晶玻璃的性能调控探索新的策略。获得的主要研究结论如下:1.采用高温熔融-可控析晶法制备了KO-BaO-Sr O-NbO-BO(KBSN)微晶玻璃,系统研究了热处理温度对相组成、微观结构以及介电、铁电和储能性能的影响。结果表明:热处理温度对优化微晶玻璃的综合性能至关重要。微晶玻璃析出的主晶相为钨青铜结构的KBa Sr NbO,当热处理温度大于740℃时,第二相KSr NbO开始析出,影响了微晶玻璃的介电常数。随着温度的提高,结晶度增加,晶粒尺寸增大,微晶玻璃的击穿场强降低。当温度为740℃时,微晶玻璃获得了最佳的性能:ε=207,tanδ介电、铁电以及储能性能之间的关系。结果表明,小离子半径的Ag在微晶玻璃结晶过程中会进入KBa Sr NbO晶体的A位并取代K的位置,导致晶胞体积收缩,晶格常数变小。Raman光谱表明,Ag的取代会使钨青铜结构的填充度增加,造成Nb O八面体倾斜,致使介电常数发生变化。过量的AgO会使微晶玻璃的直流漏导增加,恶化微晶玻璃的耐击穿强度(BDS)。当AgO的添加量为1.0 mol%时,获得了最佳的综合性能:ε=258,W=5.8 J/cm,η≈91%。此外,在800k V/cm的外加电场下,实现了3.62 J/cm的高放电能量密度和1054.8 MW/cm的超高放电功率密度,放电时间仅为6.8 ns。所制备的微晶玻璃在大功率脉冲电介质电容器领域有广阔的应用前景。3.采用高温熔融-可控析晶法制备了KO-BaO-Sr O-NbO-BO-TaO(KBSN-x TaO)微晶玻璃,系统研究了B位取代引起的晶体结构的变化及其与介电、铁电以及储能性能之间的关系。研究表明,TaO的加入没有新相生成,且Ta在微晶玻璃结晶过程中取代KBa Sr NbO晶体中B位的Nb。Ta和Nb的共价性不同导致Nb-O键和Ta-O键的键长不同。Ta取代Nb导致晶格常数发生变化,c/a的值变小,钨青铜结构的四方性变弱。当TaO的添加量为4 mol%时,晶体结构的空间点群由非中心对称的P4/bm转变为中心对称的P4/mbm,导致微晶玻璃的铁电行为从弛豫铁电转变为顺电态。此外,TaO的加入使得微晶玻璃的界面活化能降低,带隙变宽,晶粒尺寸显著减小,从而使击穿场强大幅度提高。当添加4.0 mol%TaO时,微晶玻璃获得了最佳的综合性能。在1300 k V/cm的外加电场下,W达到了6.20 J/cm,储能效率为82%。此外,在相同的外加电场下,还实现了5.62 J/cm的超高放电能量密度和1296.9 MW/cm的超高放电功率密度。以上结果表明,KBSN-x TaO微晶玻璃在高压高功率脉冲电介质电容器应用前景广阔。

关键词：铌酸盐微晶玻璃 A/B位取代结构调控介电储能充放电性能