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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 1 篇 光学工程
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 2 篇 人体模式
  • 1 篇 静电
  • 1 篇 发光二极管
  • 1 篇 反向漏电流
  • 1 篇 光通量
  • 1 篇 mosfet
  • 1 篇 注入
  • 1 篇 集成电路制造
  • 1 篇 静电放电
  • 1 篇 多晶硅
  • 1 篇 栅源
  • 1 篇 保护二极管
  • 1 篇 机器模式

机构

  • 1 篇 深圳市明微电子股...
  • 1 篇 深圳方正微电子有...
  • 1 篇 浙江省半导体照明...
  • 1 篇 杭州远方仪器有限...

作者

  • 1 篇 方绍明
  • 1 篇 赵美英
  • 1 篇 季军
  • 1 篇 潘建根
  • 1 篇 涂辛雅
  • 1 篇 郑益民

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=人体模式"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
LED对MM和HBM静电放电敏感性的研究
收藏 引用
半导体技术 2012年 第11期37卷 894-899页
作者: 涂辛雅 季军 郑益民 潘建根 浙江省半导体照明测试系统工程技术研究中心 杭州310053 杭州远方仪器有限公司 杭州310053
为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对LED特性的影响,参考国际标准对半导体元件的静电放电测试要求,对LED样品分别进行MM及HBM静电放电试验。每次静电测试前后均对样品进行光电参数测试,观察样品光电参数的变化,并以此作为... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
低压MOSFET集成ESD保护结构的设计方法
收藏 引用
集成电路应用 2020年 第9期37卷 192-194页
作者: 方绍明 赵美英 深圳市明微电子股份有限公司 广东518000 深圳方正微电子有限公司 广东518000
为了有效防止低压MOSFET在受到静电击穿而损坏产品,需要设计专门的静电保护二极管,并联在MOSFET的栅极和源极之间,以对栅氧化层进行保护。静电保护结构的设计规则尺寸、注入剂量和级联结构,都会影响保护效果。设计者需在弄清ESD保护工... 详细信息
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