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主题

  • 8 篇 产生寿命
  • 3 篇 半导体
  • 2 篇 mos结构
  • 2 篇 测量
  • 1 篇 mos
  • 1 篇 衬底
  • 1 篇 半导体材料
  • 1 篇 cam
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  • 1 篇 复合寿命
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  • 1 篇 掺杂
  • 1 篇 线性电压扫描法
  • 1 篇 阶跃电压法
  • 1 篇 测量装置
  • 1 篇 mos电容
  • 1 篇 器件物理
  • 1 篇 计算机辅助测量

机构

  • 4 篇 杭州大学
  • 2 篇 浙江大学
  • 1 篇 西北电讯工程学院
  • 1 篇 上海船舶电子设备...
  • 1 篇 厦门大学

作者

  • 5 篇 张秀淼
  • 4 篇 丁扣宝
  • 1 篇 顾英
  • 1 篇 贺国根
  • 1 篇 邵迪玲
  • 1 篇 陈世帛
  • 1 篇 史保华
  • 1 篇 张德胜
  • 1 篇 毕净
  • 1 篇 王加宽
  • 1 篇 闵惠芳
  • 1 篇 赵荣荣
  • 1 篇 张雷平
  • 1 篇 朱世峰
  • 1 篇 周必忠
  • 1 篇 黄庆安
  • 1 篇 王振英

语言

  • 8 篇 中文
检索条件"主题词=产生寿命"
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产生寿命分布的计算机辅助测量
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电子学报 1993年 第8期21卷 90-92页
作者： 张秀淼 邵迪玲 杭州大学电子工程系 杭州310028
本文建议用脉冲MOS电容器的电容—时间瞬态技术测量产生寿命分布.用计算机辅助测量技术可实现阶跃电压产生,电容—时间瞬态采样读出,数据处理和产生寿命分布测量结果输出全过程的自动化.
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一种可用于直接计算产生寿命的产生区宽度模型
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电子学报 1993年 第5期21卷 43-46页
作者： 张秀淼 丁扣宝 杭州大学电子工程系 杭州310028
本文在分析已有的深耗尽态下半导体表面产生区宽度模型的基础上,提出了一个可用于由MOS结构的电容时间瞬态特性直接计算产生寿命的新模型。该新模型可以看作是Rabbani Rabbani模型的一种简化,但同时又可看作是对Zerbst模型的一个改进。... 详细信息
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异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量
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厦门大学学报（自然科学版） 1994年 第4期33卷 463-467页
作者： 陈世帛 周必忠 王加宽 闵惠芳 王振英 厦门大学物理学系 中国科学院上海冶金研究所
使用简单的微分电流和微分电容技术，从反向偏置的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ数据计算异质面ｐｐｎＧａＡｓ太阳电池ｎ层少子产生寿命剖面图。讨论它对电池性能的影响。
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非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量
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Journal of Semiconductors 1989年 第7期10卷 538-541页
作者： 黄庆安 史保华 顾英 张德胜 西北电讯工程学院微电子研究所
本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了三角波C-V技术测量非均匀掺杂MOs电容少子产生寿命的方法.该方法简单、且不需知道衬底的掺杂分布.
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阶跃电压法确定产生寿命的计算公式
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微电子学 1997年 第3期27卷 186-189页
作者： 丁扣宝 赵荣荣 张秀淼 浙江大学材料系 上海船舶电子设备研究所 杭州大学电子工程系
采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间（Ｃ－ｔ）瞬态特性方程。
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长产生寿命的快速测量方法
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电子科学学刊 1998年 第5期20卷 712-715页
作者： 丁扣宝 张秀淼 杭州大学电子工程系 杭州310028
本文提出了线性电压扫描下长产生寿命的快速测量方法。该法具有不需使C-t瞬态曲线达到饱和、数据处理简单、且不需知道样品的掺杂浓度等优点。
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用MOS结构同时测定少子复合寿命和产生寿命
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浙江大学学报(理学版) 1987年 第2期 182-188页
作者： 张秀淼 贺国根 张雷平 朱世峰
本文报道了一种能同时确定半导体体内少子复合寿命和半导体表层空间电荷区少子产生寿命的实验技术。在处于强反型的MOS电容器上加一矩形脉冲,使其变为平带状态。此时,反型少子将注入半导体体内,并在那里复合。当脉冲结束时,尚未复合的... 详细信息
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一种适合于计算机辅助测量的产生寿命确定方法
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真空电子技术 2002年 第5期15卷 33-35页
作者： 毕净 丁扣宝 浙江大学信息与电子工程学系 浙江杭州310028
提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法。通过在MOSC t曲线上读取n个不同时刻的电容值 ,计算出相应的产生寿命值 ,其精度随读取点的增加而提高 ,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统。
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