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金属—氧化物—半导体集成电路(四)

微纳电子技术 1971年第5期 45-51页

作者：科兵

七、互补型金属-氧化物-半导体电路互补电路在许多方面都同单极电路不同。较为熟悉的 P 型沟道晶体管是在 N 型硅中扩散P+源和漏区。在互补型金属氧化物半导体电路中是以两个串联的晶体管——一个 P 型沟道,另一个 N 型沟道构成基本单... 详细信息

七、互补型金属-氧化物-半导体电路互补电路在许多方面都同单极电路不同。较为熟悉的 P 型沟道晶体管是在 N 型硅中扩散P+源和漏区。在互补型金属氧化物半导体电路中是以两个串联的晶体管——一个 P 型沟道,另一个 N 型沟道构成基本单元。制作互补型金属氧化物半导体器件虽然也用 N 型硅,但是除了扩散 P 型沟道晶体管的 P+源和漏区之外,还必需为 N 型沟道晶体管扩散作为衬底的大 P

关键词：沟道晶体管传输门漏区金属氧化物半导体晶体管金属氧化物半导体器件或非门互补型金属氧化物半导体互补电路反相器

一种改进型高性能CMOS锁相环电荷泵的设计

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上海交通大学学报 2008年第4期42卷 629-633页

作者：汪祥戎蒙恬上海交通大学电子工程系上海200240

设计了一种高性能锁相环电荷泵电路.该电路采用UMC 0.18μm Mix-Mode CMOS工艺实现.仿真结果表明,通过利用电荷共享加速电流镜的开启,该电荷泵开启时间仅为0.3 ns,不会产生鉴相死区,能较好地抑制时钟馈通、电荷注入等非理想特性的影响,... 详细信息

设计了一种高性能锁相环电荷泵电路.该电路采用UMC 0.18μm Mix-Mode CMOS工艺实现.仿真结果表明,通过利用电荷共享加速电流镜的开启,该电荷泵开启时间仅为0.3 ns,不会产生鉴相死区,能较好地抑制时钟馈通、电荷注入等非理想特性的影响,并且适合于低电压工作.通过与传统型及参考型两种电荷泵电路的仿真对比,验证了所设计电荷泵的优越性.

关键词：电荷泵锁相环互补型金属氧化物半导体

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微波注入反相器基本电路的非线性效应

强激光与粒子束 2011年第11期23卷 2855-2860页

作者：朱占平王弘刚钱宝良赵素波国防科学技术大学光电科学与工程学院长沙410073

采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的... 详细信息

采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化。实验结果表明:在固定环境温度条件下,有效注入功率大于33dBm,频率在3GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上;有效注入功率大于30dBm,频率在3GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上。相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40～70ns不等,与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关。

关键词：注入实验非线性扰乱反相器电路闩锁互补型金属氧化物半导体

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高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

电子科技大学学报 2008年第3期37卷 453-456页

作者：吴志明黄颖吕坚王靓李素电子科技大学光电信息学院成都610054

介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得... 详细信息

介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116dB,在-40℃～85℃温度范围内温度系数为46ppm/℃,功耗仅为1.45mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。

关键词：带隙基准电压源互补型金属氧化物半导体电源抑制比温度系数

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毫米波CMOS集成电路收发机前端研究进展

固体电子学研究与进展 2016年第3期36卷 195-206页

作者：余飞李平王春华长沙理工大学综合交通运输大数据智能处理湖南省重点实验室长沙410114 长沙理工大学计算机与通信工程学院长沙410114 湖南大学信息科学与工程学院长沙410082

对毫米波CMOS集成电路收发机前端技术进行了综述。介绍了毫米波CMOS集成电路收发机的研究背景,分别对毫米波CMOS集成电路收发机前端各个子模块进行了详细介绍和比较,并展望了毫米波CMOS集成电路的未来发展方向。

关键词：毫米波互补型金属氧化物半导体收发机前端子模块

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一种新型CMOS电流模带隙基准源的设计

固体电子学研究与进展 2010年第4期30卷 554-558,600页

作者：孙金中冯炳军中国科学院微电子研究所北京100029 杭州中科微电子有限公司杭州310053

设计了一种新型电流模带隙基准源电路和一个3bit的微调电路。该带隙基准源可以输出可调的基准电压和基准电流,避免了在应用中使用运算放大器进行基准电压放大和利用外接高精度电阻产生基准电流的缺点,同时该结构克服了传统电流模带隙基... 详细信息

设计了一种新型电流模带隙基准源电路和一个3bit的微调电路。该带隙基准源可以输出可调的基准电压和基准电流,避免了在应用中使用运算放大器进行基准电压放大和利用外接高精度电阻产生基准电流的缺点,同时该结构克服了传统电流模带隙基准源的系统失调、输出电压的下限限制以及电源抑制比低等问题。该带隙基准源采用0.5μm CMOS混合信号工艺进行实现,有效面积450μm×480μm;测试结果表明在3 V电源电压下消耗1.5mW功耗,电源抑制比在1 kHz下为72dB,当温度从-40～85°C变化时,基准电压的有效温度系数为30×10-6V/°C。该带隙基准电路成功应用在一款高速高分辨率模数转换器电路中。

关键词：互补型金属氧化物半导体带隙基准源电流模微调

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用遗传算法优化—维门阵列布局

计算机工程 1995年第S1期21卷 208-214页

作者：杨晓红刘乐善华中理工大学计算机系武汉430074

介绍用遗传算法对门阵列布局设计进行优化的新方法。由于门阵列布局是一排列问题,传统的遗传杂交会导致门的重复,因此必须对传统的遗传算法进行修改。为了适合优化门阵列布局问题,这里使用了宽度搜索技术。用遗传算法得出的染色体建立... 详细信息

介绍用遗传算法对门阵列布局设计进行优化的新方法。由于门阵列布局是一排列问题,传统的遗传杂交会导致门的重复,因此必须对传统的遗传算法进行修改。为了适合优化门阵列布局问题,这里使用了宽度搜索技术。用遗传算法得出的染色体建立门的相互排列邻接关系,宽度值用于限制搜索空间,使搜索更为有效。该算法的结果比基于图论的启发式计算效果更好。

关键词：互补型金属氧化物半导体门阵列布局遗传算法

2.5Gb/s CMOS低噪声有源电感反馈跨阻放大器

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固体电子学研究与进展 2008年第3期28卷 415-419,454页

作者：韩良刘晓宁白涛李华哈尔滨工业大学微电子中心哈尔滨150001 哈尔滨工业大学(威海)微电子中心山东威海264209 中国兵器集团214研究所安徽蚌埠233042

分析各种结构前置放大器性能的基础上,给出了一个应用于2.5 Gbit/s光纤通信系统的,基于CMOS工艺的共栅结构跨阻放大器。为了减小输入等效噪声电流和提高带宽,采用了有源反馈和有源电感代替传统结构中的电阻反馈。测试结果表明,该电路具... 详细信息

分析各种结构前置放大器性能的基础上,给出了一个应用于2.5 Gbit/s光纤通信系统的,基于CMOS工艺的共栅结构跨阻放大器。为了减小输入等效噪声电流和提高带宽,采用了有源反馈和有源电感代替传统结构中的电阻反馈。测试结果表明,该电路具有61.8 dB的跨阻增益,2.01 GHz的带宽,输入等效噪声电流为9.5 pA/Hz～(1/2),核心电路功耗仅为3.02 mW。

关键词：互补型金属氧化物半导体跨阻放大器有源电感低噪声

由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元

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固体电子学研究与进展 2013年第2期33卷 158-161,198页

作者：陈乃金郭维廉陈燕王伟张世林毛陆虹安徽工程大学计算机与信息学院安徽芜湖241000 天津大学电子信息工程学院天津300072 中国科学院半导体研究所北京100083

使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省... 详细信息

使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省大量器件。

关键词：负阻单元互补型金属氧化物半导体逻辑电路双极晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管