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作者

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在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维ge团簇超晶格
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物理学报 2002年 第5期51卷 1017-1021页
作者： 闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室 北京100080
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维ge团簇超晶格 .构成超晶格的ge团簇均位于 (7× 7)亚... 详细信息
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