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    • 1 篇 化学工程与技术

主题

  • 1 篇 二维bn
  • 1 篇 带电缺陷计算
  • 1 篇 第一性原理
  • 1 篇 电荷转移能级
  • 1 篇 n型掺杂

机构

  • 1 篇 贵州师范大学
  • 1 篇 贵州财经大学

作者

  • 1 篇 罗子江
  • 1 篇 吕兵
  • 1 篇 刘雪飞

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=二维BN"
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二维bn材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算
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人工晶体学报 2020年 第9期49卷 1646-1652页
作者： 刘雪飞 吕兵 罗子江 贵州师范大学物理与电子科学学院 贵阳550025 贵州财经大学信息学院 贵阳550025
半导体材料的有效掺杂可为半导体器件的成功应用提供保障。理论上,通过计算缺陷形成能和电荷转移能级可以预测掺杂的难易性以及缺陷能级的深浅性。基于密度泛函理论,结合二维带电缺陷计算方法,系统计算二维bn材料中四种(C B,Si B,Ge B,S... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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