检索结果-南通市图书馆

硅酸盐学报 2022年第5期50卷 1257-1262页

作者：李新毓张道永李祥李秋莲刘信王书荣云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室昆明650500

为解决硫化过程中Sn元素损失的问题以及减少MoS;的厚度,采用磁控溅射技术,在基于钼的钠钙玻璃衬底上采用双周期溅射的方法,以ZnO/SnO_(2)/Cu的顺序制备了含氧的Cu-Zn-Sn预制层。结果表明:SnO_(2)以及ZnO的使用很好的抑制了Sn元素的损失... 详细信息

为解决硫化过程中Sn元素损失的问题以及减少MoS;的厚度,采用磁控溅射技术,在基于钼的钠钙玻璃衬底上采用双周期溅射的方法,以ZnO/SnO_(2)/Cu的顺序制备了含氧的Cu-Zn-Sn预制层。结果表明:SnO_(2)以及ZnO的使用很好的抑制了Sn元素的损失以及MoS_(2)层的形成,而且在590℃的硫化温度下能制备出表面平整、晶粒致密、晶体结构较好的单相Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)吸收层薄膜。最后,制备出结构完整的CZTS薄膜太阳电池,在590℃硫化制备的CZTS薄膜太阳电池效率最高,其开路电压为590 mV,短路电流密度为22.09 mA/cm^(2),填充因子为39.28%,光电转换效率达到5.12%,为今后制备高效CZTS薄膜太阳电池起到了推动作用。

关键词：铜锌锡硫薄膜太阳电池磁控溅射二氧化锡靶硫化工艺

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