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红外与毫米波学报 2011年第4期30卷 343-346,349页

作者：向博窦文斌何敏敏东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096

采用微带结构研制出三毫米波段二次谐波混频器.该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据二次谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大... 详细信息

采用微带结构研制出三毫米波段二次谐波混频器.该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据二次谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,由此设计出本振网络;然后模拟出该器件在大信号本振激励下的小信号射频输入阻抗,并由此设计出射频网络.还设计了三毫米波波导到微带过渡转换,整个电路设计和安装在介电常数为2.22,厚度为0.127 mm的RT/Duroid 5880基片上.当本振频率为46.3 GHz时,该混频器射频输入90～95 GHz,实测带内变频损耗小于15 dB.

关键词： 3毫米波二次谐波混频器变频损耗肖特基势垒二极管对

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GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究

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红外与激光工程 2019年第7期48卷 235-240页

作者：胡海帆赵自然马旭明姜寿禄清华大学工程物理系北京100083 同方威视技术股份有限公司电磁感知事业部北京100083

基于Hammer-Head型滤波器结构,以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型,分别设计了250GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试,对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明,悬置微带线混... 详细信息

基于Hammer-Head型滤波器结构,以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型,分别设计了250GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试,对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明,悬置微带线混频器在射频输入230~270GHz范围内时,单边带变频损耗为8.6~12.7dB,而普通微带线混频器在射频输入220~260GHz范围内时,单边带变频损耗为8.4~11.4dB。通过结果对比可见,悬置微带线混频器带宽较大,而普通微带线混频器的变频损耗更为平滑。此外,考虑微组装工艺中的不良因素,对仿真模型进行部分修正,计算结果与测试结果拟合较好。

关键词：肖特基势垒二极管 250 GHz 二次谐波混频器变频损耗

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220 GHz二次谐波混频器集成模块

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红外与激光工程 2021年第10期50卷 314-320页

作者：胡海帆马旭明马喆王智斌中国航天科工集团第二研究院未来实验室北京100854 同方威视技术股份有限公司电磁感知事业部北京100083

在220 GHz二次谐波混频器的设计基础上,提出中频传输波导的垂直转换结构,实现了四通道混频器集成模块方案,缩短了混频器单通道的横向尺寸,为太赫兹接收机系统多通道线阵列集成提供了可行性方案。为优化系统模型的准确性,基于TCAD对肖特... 详细信息

在220 GHz二次谐波混频器的设计基础上,提出中频传输波导的垂直转换结构,实现了四通道混频器集成模块方案,缩短了混频器单通道的横向尺寸,为太赫兹接收机系统多通道线阵列集成提供了可行性方案。为优化系统模型的准确性,基于TCAD对肖特基势垒二极管进行三维半导体器件建模计算,依据提取的关键特性参数进行混频器的高频电磁波仿真。通过对该设计方案进行测试,结果表明:当本振频率为110 GHz,功率为7 dBm,射频输入200~240 GHz,混频器的单边带变频损耗为8.6~13 dB,在204~238 GHz的单边带变频损耗为8.6~11.3 dB。当本振频率为108 GHz时,驱动功率仅需3 dBm。此外,基于该混频器模块构建的220 GHz接收机系统,积分时间为700μs时其温度灵敏度为1.3 K。

关键词：肖特基势垒二极管 220 GHz 二次谐波混频器线阵列集成变频损耗

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基于LTCC技术的毫米波次谐波混频器研究

基于LTCC技术的毫米波次谐波混频器研究

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2013年全国微波毫米波会议

作者：张博李家林王建朋杨雪松王秉中电子科技大学物理电子学院东南大学毫米波国家重点实验室南京理工大学电光学院

本文介绍了一种应用于毫米波雷达的二次次谐波混频器。该混频器采用低温共烧陶瓷（LTCC）技术,将本振端口与射频输入端口放置于二极管管对的一侧,中频输出位于二极管管对的另一侧,有效简化了电路结构,减小了尺寸;并且采用CMRC结构作为... 详细信息

本文介绍了一种应用于毫米波雷达的二次次谐波混频器。该混频器采用低温共烧陶瓷（LTCC）技术,将本振端口与射频输入端口放置于二极管管对的一侧,中频输出位于二极管管对的另一侧,有效简化了电路结构,减小了尺寸;并且采用CMRC结构作为中频输出滤波网络,在增加阻带带宽的同时减小了尺寸。结果表明在本振功率为5dBm时可以获得优于4dB的变频损耗,管对采用DMK2308,LTCC基片介电常数为5.9。

关键词：毫米波雷达 LTCC 二次谐波混频器 CMRC 变频损耗

来源： cnki会议评论

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Ku频段多通道抗振激励源设计

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电讯技术 2009年第7期49卷 84-87页

作者：石秀琨中国西南电子技术研究所成都610036

介绍一种Ku频段多通道抗振激励源设计,采用X频段抗振低相噪介质稳频振荡器(DRO),通过结构固连减少各部分电路在振动环境中的相对运动,保证了激励源在振动条件下的稳定性。采用二次谐波镜频抑制混频器一次变频,简化了激励源电路并实现了... 详细信息

介绍一种Ku频段多通道抗振激励源设计,采用X频段抗振低相噪介质稳频振荡器(DRO),通过结构固连减少各部分电路在振动环境中的相对运动,保证了激励源在振动条件下的稳定性。采用二次谐波镜频抑制混频器一次变频,简化了激励源电路并实现了对本振泄漏的高抑制度和良好的边带抑制。多芯片微带混合集成设计实现了激励源的小型化。研制的样机达到了振动环境下相噪优于-97 dBc/Hz@10kHz,本振抑制大于32 dB、边带抑制大于35 dB的优良性能,验证了设计技术的有效性。

关键词：雷达导引头激励源 Ku频段介质稳频振荡器二次谐波混频器镜频抑制混频器抗振

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