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学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 主结
  • 1 篇 场板
  • 1 篇 空间电荷区
  • 1 篇 耐压特性
  • 1 篇 终端结构
  • 1 篇 分压环
  • 1 篇 沟槽结势垒二极管
  • 1 篇 元胞
  • 1 篇 4h-sic
  • 1 篇 vdmos
  • 1 篇 pn结
  • 1 篇 eas
  • 1 篇 工艺平台

机构

  • 1 篇 中国科学院大学
  • 1 篇 华越微电子有限公...
  • 1 篇 中国科学院微电子...

作者

  • 1 篇 杨成樾
  • 1 篇 汤益丹
  • 1 篇 董升旭
  • 1 篇 鄢细根
  • 1 篇 白云
  • 1 篇 郭心宇

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=主结"
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4H-SiC沟槽结势垒二极管研制
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电工电能新技术 2018年 第10期37卷 22-26,38页
作者： 汤益丹 董升旭 杨成樾 郭心宇 白云 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心 北京100029 中国科学院大学 北京100049
优化设计了1200V 4H-SiC沟槽结势垒二极管(TJBS)主结处的沟槽结构,将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒,纵向增加了结势垒面积,从而在反向时可以有效利用主结承担更多电压,并有利于反向时耗尽区向终端区的扩展。通过... 详细信息
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浅谈平面高压VDMOS工艺平台发展
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引用
电子质量 2014年 第3期 1-8,13页
作者： 鄢细根 华越微电子有限公司 浙江绍兴312000
该文从国内生产线的实际出发,简单介绍了目前国内主流功率VDMOS器件生产厂家所采用的平面高压VDMOS工艺平台,初步总结了当前各种成熟工艺平台具有的特点与优点,希望该文有助于国内同行之间相互借鉴与提高,目的是促进民族工业不断向前发展。
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