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深基坑桩锚支护体系主动区土压力试验研究

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岩土工程技术 1999年第2期13卷 26-29页

作者：吴文吴玉山中国科学院武汉岩土力学研究所武汉430071

通过现场试验，研究了深基坑桩锚支护体系主动区土压力的分布规律。结合有限元和离心模型试验，提出了中等硬度粘土的深基坑桩锚支护体系主动区土压力设计计算模式。

关键词：桩锚支护体系主动区土压力试验深基础

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基坑抗隆起稳定性分析改进方法理论公式的推导及应用

基坑抗隆起稳定性分析改进方法理论公式的推导及应用

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作者：阮东江西理工大学

学位级别：硕士

本文在前人工作的基础上,针对现有基坑抗隆起稳定性分析方法存在的不足,开展了改进的深基坑抗隆起极限平衡稳定性分析方法的研究,论文的主要研究内容如下:(1)介绍了目前常用的基坑抗隆起稳定性分析方法,并分别分析了对比各种方法在计算... 详细信息

本文在前人工作的基础上,针对现有基坑抗隆起稳定性分析方法存在的不足,开展了改进的深基坑抗隆起极限平衡稳定性分析方法的研究,论文的主要研究内容如下:(1)介绍了目前常用的基坑抗隆起稳定性分析方法,并分别分析了对比各种方法在计算过程中存在的不足之处。(2)针对圆弧形状滑面的基坑,将滑动土体划分了主动区与被动区,按区计算相应的土压力,基于极限平衡原理构建了基坑稳定性分析模型,提出了一种二维基坑抗隆起稳定性分析的改进方法。同时,针对多地层基坑,根据文中提出的二维改进方法,提出了一种简便且合理的多地层基坑抗隆起稳定性分析的方法。算例验证表明:该方法的计算结果与其它方法的结果较为一致,同时研究了基坑插入比以及岩土体物理力学参数对基坑抗隆起安全系数的影响。(3)在二维深基坑抗隆起的稳定性分析方式的基础上进行扩展,建立了三维基坑抗隆起稳定性分析模型。将基坑潜在滑体近似成一个柱状体,并且该柱状体由圆弧滑裂面以及两端的侧面组成。并且在建立抗隆起力矩计算模型时,考虑了土体的空间效应,并增加了柱状体侧面提供的抗滑力矩,建立了一种三维深基坑抗隆起稳定性分析的方式。同时,探究了基坑的计算长度以及围护墙体插入土中的深度对基坑抗隆起稳定性系数计算结果的影响。算例验证表明:该方法的计算得到的结果与其它分析模型计算得到的稳定系数较为一致。(4)将文中方法应用于长沙某基坑工程中,分析计算了不同工况下的基坑抗隆起稳定性,分析结果与实际相吻合,说明该方法具有较好的工程实用价值。

关键词：抗隆起稳定性主动区被动区极限平衡安全系数

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基于纳米结构增强LED发光效率的研究

基于纳米结构增强LED发光效率的研究

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作者：魏明琦中国石油大学(华东)

学位级别：硕士

GaN作为新一代半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、发光效率高等优点,是理想的短波长LED器件的制备材料。GaN基LED器件凭借节能环保、响应速度快、体积小、效率高等特点,已广泛应用于固态照明、背光源等领域。但GaN... 详细信息

GaN作为新一代半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、发光效率高等优点,是理想的短波长LED器件的制备材料。GaN基LED器件凭借节能环保、响应速度快、体积小、效率高等特点,已广泛应用于固态照明、背光源等领域。但GaN基LED的发展仍面临许多难题,例如效率下降现象:在大电流工作条件下,LED器件的发光效率出现下降的现象。至于效率下降现象的原因,至今仍未有定论。许多学者对此现象进行研究,提出了以下几种可能来解释效率下降现象:电子泄露、载流子注入效率低、Auger复合、结温等。抑制效率下降现象一直是改善GaN基LED器件性能的关键问题之一。在本文中,首先,介绍了发光二极管的发展及其国内外的研究现状和研究意义;其次,简要介绍了氮化镓材料的基本特性,电子阻挡层和多量子阱结构,并理解了效率下降现象;然后,对模拟用APSYS软件作简要介绍,并详细阐述了其数值模拟基本模型与理论;最后,给出了数值模拟数据以及所提出的InGaN/AlGaN/GaN多量子阱电子阻挡层结构。通过数据分析,所提出的InGaN/AlGaN/GaN多量子阱电子阻挡层能够有效的提高器件的光学性能和电学性能。模拟的电子阻挡层获得了更大的势垒高度,使其更有效的限制电子的泄露,同时,多量子阱主动区内的电子与空穴浓度有所提升,且分布更加均匀。相对于传统LED结构,我们所提LED结构的输出功率和内量子效率分别提高了12.7%和12.3%,此外,效率下降由37.1%降至31.1%,最大内量子效率由0.817升至0.838。InGaN/AlGaN/GaN多量子阱电子阻挡层的应用,使得模拟用LED器件的光输出功率、内量子效率和势垒高度都有了很大的提高,证明了此电子阻挡层能够有效的抑制效率下降现象。

关键词：氮化镓发光二极管多量子阱电子阻挡层主动区

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