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限定检索结果

文献类型

  • 2 篇 学位论文

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 2 篇 过刻蚀
  • 2 篇 主刻蚀
  • 2 篇 干法刻蚀
  • 1 篇 侧壁(spacer)
  • 1 篇 残留
  • 1 篇 氮化钽
  • 1 篇 刻蚀选择比
  • 1 篇 刻蚀速率均匀性
  • 1 篇 刻蚀速率选择比
  • 1 篇 去胶
  • 1 篇 背面氦气

机构

  • 2 篇 复旦大学

作者

  • 1 篇 李佳青
  • 1 篇 徐炜

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=主刻蚀"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
0.18微米侧壁(Spacer)干法刻蚀工艺的开发与优化
0.18微米侧壁(Spacer)干法刻蚀工艺的开发与优化
收藏 引用
作者: 徐炜 复旦大学
学位级别:硕士
本论文开发并优化了0.18微米技术侧壁(Spacer)的干法刻蚀工艺,通过利用公司现有设备,改进原工艺不足,开发出满足产品要求的刻蚀工艺。 本论文根据0.18微米技术侧壁(Spacer)工艺在栅极密集区域,栅极底部有斜坡的缺陷,指出了现有设备和工... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
氮化钽金属薄膜干法刻蚀的研究
氮化钽金属薄膜干法刻蚀的研究
收藏 引用
作者: 李佳青 复旦大学
学位级别:硕士
氮化钽薄膜在微电子工艺中的应用比较广泛:在标准CMOS后道的铜互连技术中,作为阻挡层被应用;由于氮化钽与高K介质的良好兼容性,在45nm以下CMOS工艺中,正在被开发作为金属栅极材料;在EUV光刻中,氮化钽被研究来用作吸收层。在新近的MEMS... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论