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作者

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检索条件"主题词=中子辐射"
158 条 记 录,以下是61-70 订阅
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检定中子防护剂量仪表的谱中子标准辐射
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中国计量 1997年 第8期 36-37页
作者: 周克勤 李琳培 中国计量科学研究院
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EAST上中子与伽马辐射剂量监测探头在线刻度研究
EAST上中子与伽马辐射剂量监测探头在线刻度研究
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中国核学会2019年学术年会
作者: 周梦洁 钟国强 胡立群 李凯 黄良胜 中国科学院等离子体物理研究所 中国科学技术大学
EAST(Experimental Advanced Superconducting Tokamak)装置在进行氘等离子体放电时,会产生大量的中子辐射中子诱导产生的伽马电离辐射。为了解EAST运行维护阶段中子与伽马辐射剂量率的演化规律,确保周边环境及工作人员的核辐射安全,... 详细信息
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水稻干种子经热中子辐照后不存在辐射损伤的贮藏效应
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核农学通报 1988年 第5期 231-233页
作者: 神山康夫 徐刚
关于中子辐射损伤贮藏效应的研究,有的报道认为,在辐照种子贮藏期间,辐射损伤没有变化,有的报道则认为辐射损伤增加了,而有的报道却认为辐射损伤减少了。为了搞清这一问题,本试验研究了水稻干种子经 X射线和热中子辐照后的贮藏效应。... 详细信息
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用于n,γ混合场的新型脉冲中子探测器研究
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物理学报 2004年 第10期53卷 3321-3325页
作者: 杨洪琼 朱学彬 杨高照 李林波 宋献才 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 绵阳621900 中国工程物理研究院电子工程研究所 绵阳621900
新型脉冲中子探测器采用特殊工艺将两个PIN半导体组合而成 .利用脉冲γ辐射源研究了探测器对γ的响应 ;利用脉冲中子源研究了探测器对DT中子的响应 ,并与闪烁探测器进行了比较 .结果表明 :脉冲中子探测器对脉冲γ辐射基本不灵敏 ,对脉... 详细信息
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北京谱仪Ⅲ内冷却液用聚氨酯管的耐辐射性能研究
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原子能科学技术 2009年 第1期43卷 31-35页
作者: 李勋锋 纪全 吴平 王立 郑莉芳 北京科技大学 北京100083 中国科学院高能物理研究所 北京100049
北京谱仪(BESⅢ)工作环境内存在以γ和中子为主的辐射,聚氨酯管作为BESⅢ束流管及加速器SCQ(超导四极铁)真空盒的冷却液导管,在BESⅢ工作环境下的耐辐射老化性能至关重要。本工作模拟聚氨酯管在BESⅢ环境内使用10 a所接受的剂量,对聚酯... 详细信息
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辐射环境下混凝土力学性能演化研究进展
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硅酸盐学报 2023年 第8期51卷 2054-2061页
作者: 张伟平 刘辉 廖开星 周勇 黄瑛 同济大学土木工程学院建筑工程系 上海200092 同济大学工程结构性能演化与控制教育部重点试验室 上海200092 苏州热工研究院有限公司 江苏苏州215004
长期辐射环境作用下,混凝土力学性能会发生退化影响堆坑混凝土结构乃至核电站的长寿期运行。以核辐射环境下混凝土及其组分的体积和力学性能的多尺度演化为主线,回顾分析相关研究成果。现有研究对核辐射诱导矿物组分、骨料、硬化水泥浆... 详细信息
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IL-2对中子照射后肠上皮细胞生长和凋亡的影响及其机制
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细胞与分子免疫学杂志 2007年 第8期23卷 723-726页
作者: 付凯飞 彭瑞云 高亚兵 王德文 罗庆良 董波 马俊杰 军事医学科学院放射与辐射医学研究所 北京100850
目的:观察中子照射对体外培养的IEC-6细胞生长的影响及IL-2对其损伤后增殖和恢复的作用,并进一步探讨IL-2调节受照射肠上皮细胞生长的相关机制。方法:单独用IL-2(1×105U/L)或同时施加JAK1激酶阻断剂(A77-1726)处理受4Gy中子照射的IEC-... 详细信息
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环氧树脂基耐高温中子屏蔽复合材料的研究
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核技术 2015年 第12期38卷 8-13页
作者: 姜懿峰 栾伟玲 张晓霓 韩延龙 孙柯 华东理工大学机械与动力工程学院承压与安全教育部重点实验室 上海200237
针对核电站内高放射性、高湿热、强腐蚀的恶劣物化环境,设计制作了一种新型耐高温环氧树脂基中子屏蔽复合材料。该材料以AFG90-H环氧树脂为基体,在42 k Gy辐照环境下,其玻璃化转变温度可达262oC,弯曲强度仅下降1.63%,中子屏蔽性能明显... 详细信息
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气泡中子探测器用于个人剂量监测
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核电子学与探测技术 2004年 第6期24卷 733-737,713页
作者: 张宏俊 田青青 中国工程物理研究院
气泡中子探测器是可重复使用、积分型、无源剂量计.它的体积小,可对中子辐射进行直接、可视的测量.为了将气泡中子探测器用在个人剂量监测中,先验证气泡中子探测器对从0.2~15MeV能量的中子具有平直的能量响应.然后用5.10和1.3MeV的中... 详细信息
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对γ不灵敏的PIN脉冲中子探测器
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高能物理与核物理 2004年 第7期28卷 744-748页
作者: 杨洪琼 朱学彬 彭太平 唐正元 杨高照 李林波 宋献才 胡孟春 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 绵阳621900 中国工程物理研究院电子工程研究所 绵阳621900
将PIN半导体制作成特殊组合结构的PIN脉冲中子探测器 ,利用三通道装置产生的γ脉冲和中子发生器DT反应产生的 14MeV中子脉冲对探测器进行了研究 .结果表明 :PIN脉冲中子探测器对脉冲γ辐射不灵敏 ,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子... 详细信息
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