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T(d,n)~4He反应中子角分布

原子能科学技术 1986年第4期 441-445页

作者：李际周马鸿昌赵文荣崔云峰范培国卢涵林中国原子能科学研究院中国原子能科学研究院北京

用反冲质子望远镜测量了T(d,n)~4He反应中子角分布,E=1,1.5和2 MeV,角度范田0—150°。实验结果用最小二乘法按照勒让德(Legendre)多项式拟合,误差为±2.6%,并与国外结果进行了比较。

关键词：中子角分布反冲质子望远镜

T（d，n）^4He强流中子发生器的中子能谱和角分布模拟计算

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原子能科学技术 2008年第12期42卷 1073-1076页

作者：岳伟明姚泽恩杜洪新谭新建罗鹏王学智兰州大学核科学与技术学院甘肃兰州730000

采用将厚靶分割成薄靶的方法对厚氚钛靶、260 keV氘束流能量条件下T(d,n)4He反应中子源的能谱和角分布进行计算。以分割法计算得到的能谱和角分布数据为基础,建立了D-T中子源Monte-Carlo模拟抽样模型,在考虑中子发生器各元件材料及实验... 详细信息

采用将厚靶分割成薄靶的方法对厚氚钛靶、260 keV氘束流能量条件下T(d,n)4He反应中子源的能谱和角分布进行计算。以分割法计算得到的能谱和角分布数据为基础,建立了D-T中子源Monte-Carlo模拟抽样模型,在考虑中子发生器各元件材料及实验大厅墙壁对快中子的慢化、散射和吸收的条件下,采用MCNP程序对兰州大学3×1012s-1强流中子发生器260 keV氘束流能量下的中子能谱和角分布进行了模拟,给出了模拟结果。为检验模拟结果的可靠性,与实验测量能谱进行了比较,Monte-Carlo模拟谱和实验测量谱基本符合。

关键词：强流中子发生器中子能谱中子角分布 MCNP模拟

厚靶D(d,n)~3He反应加速器中子源的产额、能谱和角分布(英文)

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计算物理 2008年第6期25卷 744-748页

作者：姚泽恩杜洪新谭新建张宇 Tooru Kobayashi Gerard Bengua 兰州大学核科学与技术学院甘肃兰州730000 日本京都大学反应堆研究所大阪590-0494

给出一种计算氘钛厚靶D(d,n)3He反应加速器中子源的产额、能谱和角分布的方法,并发展了一个计算机模拟程序,程序能够计算氘束流能量小于1.0 MeV的中子源的产额、能谱和角分布.计算时使用推荐的D(d,n)3He反应截面数据和来自SRIM-2003程... 详细信息

给出一种计算氘钛厚靶D(d,n)3He反应加速器中子源的产额、能谱和角分布的方法,并发展了一个计算机模拟程序,程序能够计算氘束流能量小于1.0 MeV的中子源的产额、能谱和角分布.计算时使用推荐的D(d,n)3He反应截面数据和来自SRIM-2003程序的氘在氘钛靶中的阻止本领数据.给出一些典型计算结果,包括中子积分产额、中子能谱和角分布.

关键词： D(d,n)^3He反应 TiDx厚靶中子产额中子能谱中子角分布

D-T中子发生器中子产额、能谱、角分布及中子伽玛混合场的模拟研究

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D-T中子发生器中子产额、能谱、角分布及中子伽玛混合场的模拟研究

作者：岳伟明兰州大学

学位级别：硕士

本文首先给出一种氚钛厚靶D-T反应加速器中子源的中子产额、能谱和角分布的计算方法,并开发了相应的计算模拟程序,用自行开发的计算程序计算了入射氘束流能量低于1.0 MeV理想条件下D-T中子源的中子产额、能谱和角分布;其次,根据理想条... 详细信息

本文首先给出一种氚钛厚靶D-T反应加速器中子源的中子产额、能谱和角分布的计算方法,并开发了相应的计算模拟程序,用自行开发的计算程序计算了入射氘束流能量低于1.0 MeV理想条件下D-T中子源的中子产额、能谱和角分布;其次,根据理想条件下得到的能谱和角分布数据,建立了氚钛厚靶D-T中子源中子发射模型,应用MCNP程序对兰州大学3.3×10n/s强流D-T中子发生器的中子能谱、角分布及n-γ比进行了MonteCarlo模拟,并将模拟结果与实验数据进行了比较,Monte Carlo模拟结果和实验结果能够较好的符合;另外,结合兰州大学新建中子实验大厅建筑结构、材料及实验大厅布局,对实验大厅周围的辐射剂量进行了模拟计算和初步评价。

关键词：强流中子发生器 T(d,n)4He反应中子产额中子能谱中子角分布 MCNP模拟

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多功能旋转靶装置研究

原子能科学技术 2024年第7期58卷 1557-1564页

作者：胡因球陈红涛张坤宋应民刘邢宇龚新宝孙琪李炎锟中国原子能科学研究院核数据重点实验室北京102413

针对D-D中子发生器采用静态水冷靶时中子产额不稳定、中子产额持续下降等主要问题,研制了一套多功能紧凑型旋转靶装置。装置采用一体化设计,结构紧凑、尺寸小,具备靶体高速旋转和水冷、靶点可视化监测、靶面温度实时测量、中子产额实时... 详细信息

针对D-D中子发生器采用静态水冷靶时中子产额不稳定、中子产额持续下降等主要问题,研制了一套多功能紧凑型旋转靶装置。装置采用一体化设计,结构紧凑、尺寸小,具备靶体高速旋转和水冷、靶点可视化监测、靶面温度实时测量、中子产额实时监测等功能。本文介绍了该装置的主体结构、功能设计和性能测试,以及靶结构对中子散射影响的模拟计算。性能测试结果表明,该装置真空度满足加速器运行要求,相比静态水冷靶,束流靶点中心最高温度明显降低,中子产额稳定度明显提高。模拟计算结果显示中子能谱峰展宽范围为0~0.0577 MeV,散射中子占比为10.53%~26.75%。本文还针对模拟计算结果和测量结果中存在的问题进行了分析,提出了改进和优化方案。

关键词：多功能紧凑型旋转靶中子角分布中子散射伴随粒子测量靶点可视化监测

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DPF焦点装置的异向性因子测量

核电子学与探测技术 2004年第1期24卷 31-33页

作者：郭洪生何锡钧中国工程物理研究院核物理与化学研究所

等离子体焦点装置的中子产生机制有两种:热核机制和束-靶机制,热核机制产生的中子是各向同性的,而束-靶机制产生的中子是各向异性的。通过测量焦点装置的中子角分布,轴向中子产额比径向中子产额大1.6～1.8倍,说明本装置中子产生的主要... 详细信息

等离子体焦点装置的中子产生机制有两种:热核机制和束-靶机制,热核机制产生的中子是各向同性的,而束-靶机制产生的中子是各向异性的。通过测量焦点装置的中子角分布,轴向中子产额比径向中子产额大1.6～1.8倍,说明本装置中子产生的主要机理为束-靶机制。可以验证焦点装置的中子产生机制。

关键词： DPF焦点装置异向性因子测量束-靶机制热核机制银激活中子计数器中子角分布中子产额

D-D/D-T中子发生器伴随粒子法中子产额测量及其n/γ场的蒙特卡罗模拟研究

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D-D/D-T中子发生器伴随粒子法中子产额测量及其n/γ场的蒙特卡罗...

作者：梁一兰州大学

学位级别：硕士

首先研究了D-D／D-T中子发生器中子产额及中子注量率监测的伴随粒子法测量方法,在研究了135°伴随粒子法中子产额及中子注量率监测各向异性修正因子计算的理论和方法的基础上,利用Matlab软件平台,分别发展了用于D-D和D-T中子监测的伴随... 详细信息

首先研究了D-D／D-T中子发生器中子产额及中子注量率监测的伴随粒子法测量方法,在研究了135°伴随粒子法中子产额及中子注量率监测各向异性修正因子计算的理论和方法的基础上,利用Matlab软件平台,分别发展了用于D-D和D-T中子监测的伴随粒子测量法各向异性修正因子的计算程序DDApRRR.m和DTAaaa.m。应用所开发的计算机程序,分别计算给出了厚靶条件下,入射氘能量20-700 keV范围内,135°伴随粒子法D-D/D-T中子产额监测的各向异性修正因子,同时也给出了0°-180°范围,每隔5°的各方向上中子注量率测量的各向异性修正因子。对计算结果的精度进行了分析,给出了计算结果的最大误差。其次,建立了135°伴随粒子法中子产额监测的实验装置,在兰州大学D-D/D-T强流中子发生器上,分别针对D-D和D-T反应中子,进行了初步实验测试,给出了D-D反应伴随质子能谱和D-T反应伴随口粒子能谱,结合实验数据统计误差和各向异性修正因子的计算误差,分别给出了D-D和D-T中子测量所能达到的最好精度。最后,根据厚靶条件下D-T反应的能谱和角分布数据,建立了氚钛厚靶D-T中子源中子发射模型,应用MCNP程序,模拟研究了兰州大学D-T强流中子发生器在小靶条件下、氘束流能量260keV时的中子-γ混合场分布,给出了靶室中平面0-360°范围的中子、γ的能谱和角分布,给出了垂直于靶室中平面的三个特定平面内的中子、Y的能谱和角分布。模拟了中子、γ通量沿径向的分布,给出几个特定方向了0.100cm范围内的模拟数据,同时,也给出了中子-γ比沿径向的分布。对模拟计算结果进行了分析和讨论,模拟计算结果与靶室结构及靶室周围环境对中子的慢化、散射、吸收效应情况基本吻合。

关键词： D-D/D-T中子发生器 T(d,n)4He反应 D(d,n)3He反应 D(d,P)T反应伴随粒子法中子产额中子能谱中子角分布 MCNP程序

基于9Be（d,xn）和9Be（p,xn）反应加速器中子源中子学参数模拟研究

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基于9Be（d,xn）和9Be（p,xn）反应加速器中子源中子学参数模拟研...

作者：江桥月兰州大学

学位级别：硕士

中子源类型众多,各有优势。其中,中能强流直线加速器高通量中子源,不仅中子产额高,而且其造价相对较低,近年来受到了广泛关注和研究。如:多国共同参与正在研制一台用于国际热核聚变堆结构材料快中子辐照损伤研究的IFMIF装置;德国于利希... 详细信息

中子源类型众多,各有优势。其中,中能强流直线加速器高通量中子源,不仅中子产额高,而且其造价相对较低,近年来受到了广泛关注和研究。如:多国共同参与正在研制一台用于国际热核聚变堆结构材料快中子辐照损伤研究的IFMIF装置;德国于利希研究中心正在建设一台用于中子散射衍射研究的基于直线加速器的高通量中子源;中国科学院近代物理研究所正在建设用于ADS工程强流直线加速器的中子源。另外,强流直线加速器高通量中子源在中子快中子物理、中子活化分析、中子照相、中子辐照育种等方面也有重要应用价值。中能强流直线加速器中子源涉及三个关键问题:中能强流直线加速器技术、大功率靶技术和靶站及实验终端的设计。其中,靶站及实验终端的设计与束流轰击靶发生的核反应及产生的中子特性参数密切相关。中能强流直线加速器中子源可利用的核反应主要有Be（d,xn）反应、Be（p,xn）反应、Li（d,xn）反应和Li（p,xn）反应,由于Be靶相较于Li靶有熔点高、热导率高、化学性质稳定、易于加工等优点,从靶设计的难易程度考虑,选择Be（d,xn）反应、Be（p,xn）反应更为合理。本论文将开展Be（d,xn）和Be（p,xn）反应中子学特性的模拟研究,目标是为下一阶段的工程提供中子源特性参数基础数据。首先,本论文采用PHITS程序分别基于JQMD模型、INCL模型和INCL/DWBA耦合模型,计算Be（d,xn）反应双微分截面、厚靶条件下的中子能谱,并与现有的实验数据进行了比较,结果显示,INCL/DWBA耦合模型计算结果与实验数据符合较好,也就是说INCL/DWBA耦合模型能够更好地反映Be（d,xn）的核反应物理过程。其次,采用PHITS程序并基于INCL/DWBA耦合模型计算了D束流能量5-25 Me V能量范围的Be（d,xn）反应双微分截面,建立了数据库;基于所建立的双微分截面数据库和所发展的多层薄靶近似方法,计算了厚Be靶条件下,氘束流能量5-25 Me V能量范围的中子能谱、中子角分布和中子产额,并与实验数据及PHITS程序直接模拟结果进行了比较,结果显示,多层薄靶近似方法计算数据与PHITS程序直接模拟结果基本重合,与实验数据符合也较好,进一步验证了计算方法的可行性和计算数据的可靠性。最后,采用PHITS程序并基于INCL/DWBA耦合模型,模拟了质子束流能量5-25 Me V能量范围、厚Be靶条件下,Be（p,xn）反应的中子能谱、中子角分布和中子产额,并与相同氘束流能量范围、厚Be靶条件下的Be（d,xn）反应PHITS程序模拟结果进行了比较,对两个反应所产生的中子源参数进行了比较评估和分析,为下一步发展基于强流直线加速器中子源的物理设计准备了基础数据。

关键词：直线加速器 9Be(d,xn)反应 9Be(p,xn)反应 PHITS程序中子能谱中子角分布中子产额

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关于裂变中子谱的进一步研究

物理学报 1965年第3期 546-559页

作者：叶宣化王德焴

本文基于裂变中子是从运动的碎片蒸发出来的假设,推导出中子能谱和角分布N（E,θ）的一般公式。同时较深入地讨论了三种不同吸收截面对裂变中子能谱、角分布的影响,并指出,相对于碎片运动方向0°附近的能谱形状较敏感地依赖于吸收截面。... 详细信息

本文基于裂变中子是从运动的碎片蒸发出来的假设,推导出中子能谱和角分布N（E,θ）的一般公式。同时较深入地讨论了三种不同吸收截面对裂变中子能谱、角分布的影响,并指出,相对于碎片运动方向0°附近的能谱形状较敏感地依赖于吸收截面。文中计算了Cf252（自发裂变）和U235（热中子裂变）的固定角度能谱,并与实验数据作了比较。结果表明:（1）应用光学模型的或常数的吸收截面计算的中子能谱与实验比较一致;（2）轻重碎片的平均中子数之比l/h(对U2351.45;对Cf2521.16)与其他计算的结果符合,而比直接测量的大;（3）在90°方向理论的中子能谱,比相应的实验低15—30％。

关键词：中子角分布中子能谱裂变碎片核碎片吸收截面光学模型截面数据 exp 裂变中子谱自发裂变放射性质心系极小值动能