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中子诱发伽马产生截面测量中的谱分析技术

物理学报 2024年第7期73卷 124-133页

作者：肖石良王朝辉吴鸿毅陈雄军孙琪谭博宇王昊齐福刚湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 中国原子能科学研究院核数据重点实验室北京102413

在中子反应截面测量中,瞬发γ射线法是一种通过测量核反应放出的特征γ射线来得到截面数据的方法,这种方法能够避免竞争反应道产生的干扰.但是瞬发γ射线法为在线实验,本底来源丰富,造成了在线实验谱分析难度大,结果不确定性高.本文研... 详细信息

在中子反应截面测量中,瞬发γ射线法是一种通过测量核反应放出的特征γ射线来得到截面数据的方法,这种方法能够避免竞争反应道产生的干扰.但是瞬发γ射线法为在线实验,本底来源丰富,造成了在线实验谱分析难度大,结果不确定性高.本文研究了使用瞬发γ射线法测量中子诱发伽马产生截面的谱分析技术,总结了中子诱发伽马产生截面测量中不同特征峰形成的物理过程,降低了在线实验谱处理过程中计算效应峰净面积的不确定度.通过采用各种响应函数来对全能峰、本底以及干扰因素进行拟合的方法,精确提取了效应峰的净面积.针对弱峰的净面积,本方法可将峰区域选取引起的波动从30%降低到1%以内,且净面积拟合值与理论值的差距与统计不确定度相当;对于解重峰,本方法所得结果与理论值差距显著低于1%.通过效率曲线分析、拟合优度计算等方法同时验证了谱分析方法的可靠性.

关键词：瞬发γ射线法伽马产生截面谱分析中子高纯锗

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中子相衬层析成像方法

物理学报 2005年第3期54卷 1132-1135页

作者：陈建文高鸿奕朱化凤谢红兰李儒新徐至展中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

介绍了中子相衬和中子层析的工作原理 ,提出了中子相衬层析成像方法 .这种方法兼备了相衬和层析的各自优点 ,不采用干涉术 ,能高分辨率地重构待测样品的三维空间位相分布 ,能测试和分辨吸收系数非常相近样品的空间结构 .

关键词：中子位相分布吸收系数干涉高分辨率样品三维空间层析成像

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中子单粒子效应TCAD仿真

强激光与粒子束 2015年第8期27卷 193-198页

作者：解磊代刚李顺梁堃中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900

分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避... 详细信息

分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生。双互锁存储单元(DICE)结构在高密度设计时,也由于电荷共享效应,发生了单粒子翻转。由于电荷共享效应难以用SPICE仿真的方法得到,TCAD仿真更适用于中子单粒子免疫的SRAM设计验证。最后,讨论了65nm工艺下,中子单粒子免疫的SRAM设计,指出6管单元加电容的方式,可能是更有竞争力的方案。

关键词：中子单粒子效应随机静态存储器双互锁存储单元

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中子薄膜器件与光学系统的研究进展

光学精密工程 2022年第21期30卷 2752-2764页

作者：张众张琪雅何佳莲伊圣振王占山黄秋实王昆余俊同济大学物理科学与工程学院精密光学工程技术研究所先进微结构材料教育部重点实验室上海市数字光学前沿科学研究基地上海市全光谱高性能光学薄膜器件与应用专业技术服务平台上海200092

中子散射和衍射是现代科学检测技术的重要领域之一,中子谱仪是实现中子检测的核心装置。中子薄膜器件及其光学系统可以实现中子束传输、聚焦、准直、极化等状态的调制,是构成中子导管、准直器、弯管、极化器、翻转器等中子光学装置的核... 详细信息

中子散射和衍射是现代科学检测技术的重要领域之一,中子谱仪是实现中子检测的核心装置。中子薄膜器件及其光学系统可以实现中子束传输、聚焦、准直、极化等状态的调制,是构成中子导管、准直器、弯管、极化器、翻转器等中子光学装置的核心器件,可以提升中子传输效率,简化中子光学仪器结构,是中子谱仪功能实现和性能提升的关键。同济大学精密光学工程技术研究所,面向我国各类中子源应用谱仪开发的需求,聚焦中子薄膜器件关键制作技术创新,解决了中子超镜和极化中子薄膜翻转元件的制作问题;以高端薄膜器件支撑了高性能中子光学系统的研制,成功研制出中子导管部件、基于超镜的多层嵌套式中子聚焦系统、高通量高空间分辨率的中子多通道KB聚焦系统,成功应用于国内大型和小型中子源的谱仪装置,支撑了我国小角散射、粉末衍射、自旋回波等中子谱仪的自主研发和升级改造。

关键词：中子超镜聚焦导管翻转器

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微米板Sm_(2)O_(3)填料增强HDPE复合材料的制备及中子和伽马辐射屏蔽性能

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高等学校化学学报 2024年第9期45卷 25-35页

作者：鲁义东霍志鹏张宏钟国强中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所合肥230031 中国科学技术大学研究生院科学岛分院合肥230026

分别采用合成的Sm_(2)O_(3)(Sm_(2)O_(3)-I)填料与商用Sm_(2)O_(3)(Sm_(2)O_(3)-II)填料制备了Sm_(2)O_(3)/碳化硼(B_(4)C)/高密度聚乙烯(HDPE)复合材料,并用于中子和伽马辐射屏蔽.X射线衍射(XRD)结果表明,Sm_(2)O_(3)-I填料属于立方晶系、体心立方晶格、Ia-3(206)空间群;而Sm_(2)O_(3)-II填料中存在两种物相,一种为单斜晶系、简单单斜格子、C2/m(12)空间群,另一种为立方晶系、体心立方晶格、Ia-3(206)空间群.场发射扫描电子显微镜(FESEM)和比表面积分析结果表明,Sm_(2)O_(3)-I填料微观形貌为带狭缝的微米板结构,其Brunauer-Emmett-Teller(BET)比表面积(SBET)为5.15 m^(2)/g;Sm_(2)O_(3)-II填料中存在由两种物相导致的板状团聚体与无特定形貌团聚体两种微观形貌,其SBET为2.47 m^(2)/g.合成的微米板Sm_(2)O_(3)-I/B_(4)C/HDPE复合材料的熔融温度(T_(p))和屈服应力(σ_(y))分别为140.6℃和22.6 MPa,优于商用Sm_(2)O_(3)-II/B_(4)C/HDPE复合材料.中子和伽马辐射屏蔽测试结果表明,尺寸均一且具有高BET比表面积的微米板Sm_(2)O_(3)-I填料可提高复合材料的中子和伽马辐射屏蔽性能.厚度为15 cm的10%Sm_(2)O_(3)-I/20%B_(4)C/70%HDPE(质量分数)复合材料对^(252)Cf中子源的中子屏蔽率达98.4%,对^(137)Cs伽马源的伽马辐射屏蔽率达71.7%,均高于采用商用Sm_(2)O_(3)-II作为填料的复合材料.

关键词： Sm_(2)O_(3) 复合材料中子伽马辐射屏蔽

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中子诱发^(12)C反应的理论计算与分析

高能物理与核物理 1999年第10期23卷 1004-1009页

作者：曹李刚孙秀泉周锦锋韩银录张竞上西北大学物理系西安710069 中国原子能科学研究院北京102413

利用统一的Hauser－Feshbach理论和角动量相关的激子模型，以中子诱发12C反应为例，研究了轻核反应的反应机制和轻核反应的特点，并进行了理论计算，同时与实验数据进行了比较．

关键词： H-F理论角动量相关激子模型中子碳12反应

中子晕核的松散结构在重离子碰撞动量耗散中的作用

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高能物理与核物理 2005年第10期29卷 978-982页

作者：邢永忠刘建业左维李希国兰州重离子加速器国家实验室原子核理论中心

利用同位旋相关量子分子动力学模型,对比和研究了中子晕核19B和相等质量稳定核19F在相同入射道条件下引起核反应动量耗散中的特征.由于中子晕核的松散中子晕结构和小的分离能,与相等质量稳定核相比,在低能区具有减弱动量耗散的特征.但... 详细信息

利用同位旋相关量子分子动力学模型,对比和研究了中子晕核19B和相等质量稳定核19F在相同入射道条件下引起核反应动量耗散中的特征.由于中子晕核的松散中子晕结构和小的分离能,与相等质量稳定核相比,在低能区具有减弱动量耗散的特征.但随入射能量的升高,这种晕核结构对动量耗散的作用减弱.而且对所有质量靶核,所有碰撞参数和中子晕核结构都具有减弱动量耗散的作用.

关键词：中子晕核动量耗散重离子碰撞晕核结构晕结构耗散动量中子松散量子分子动力学模型

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中子和伽马射线综合屏蔽材料研究进展

材料导报 2018年第7期32卷 1107-1113页

作者：何林蔡永军李强中国工程物理研究院材料研究所江油621907

核屏蔽设计的主要任务是屏蔽中子和γ射线,因此,兼具中子和γ射线综合屏蔽性能的屏蔽材料无疑是核屏蔽设计时的最佳选择。本文主要针对中子和γ射线综合屏蔽材料的种类、基质材料和性能进行了分析和综述,探讨了现有中子和γ射线综合屏... 详细信息

核屏蔽设计的主要任务是屏蔽中子和γ射线,因此,兼具中子和γ射线综合屏蔽性能的屏蔽材料无疑是核屏蔽设计时的最佳选择。本文主要针对中子和γ射线综合屏蔽材料的种类、基质材料和性能进行了分析和综述,探讨了现有中子和γ射线综合屏蔽材料存在的主要问题,认为屏蔽材料的屏蔽性能与其他性能(如力学性能、耐热性等)之间的矛盾是屏蔽材料需要解决的关键问题。最后,展望了未来中子和γ射线综合屏蔽材料的研究方向,指出结构功能一体化屏蔽材料的研究应用是未来一大发展趋势。

关键词：中子 γ射线核辐射屏蔽材料屏蔽混凝土硼钢铅硼聚乙烯

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中子辐照对CCD成像器件不均匀性的影响

核电子学与探测技术 2007年第4期27卷 724-726,808页

作者：肖志刚唐本奇李君利刘敏波张勇王祖军黄绍艳西北核技术研究所西安710024 清华大学工程物理系北京100084

利用TRIGA型脉冲反应堆提供的快中子,对一种线阵CCD开展中子辐照实验。实验发现:中子辐照导致CCD器件的像元不均匀度增大;器件的局部像元不均匀度增大是由于中子在器件内位移效应产生的稳定缺陷团分布不均匀所引起的,整体像元不均匀度... 详细信息

利用TRIGA型脉冲反应堆提供的快中子,对一种线阵CCD开展中子辐照实验。实验发现:中子辐照导致CCD器件的像元不均匀度增大;器件的局部像元不均匀度增大是由于中子在器件内位移效应产生的稳定缺陷团分布不均匀所引起的,整体像元不均匀度增大主要是由于中子辐照导致信号电荷在转移栅中传输损失所致。

关键词：电荷耦合器件中子辐照不均匀度