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三菱电机公司的M5M4256/M54257型256k DRAM
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微电子学 1985年 第Z1期 68-74页
作者： 下酉和博 山田通裕 胡绍武
作为超大规模集成电路时代的中间产品-64k DRAM的生产自开始以来已历经四年,随着其生产技术的成熟,各供给元件的厂家及用户,正在开展引人注目的正式超LS1256k DRAM的研究工作。人们认为,256k产品将是4k(有22引线18引线)以来标准品所使用... 详细信息
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三菱电机公司研制采用6英寸片子的光晶闸管／GTO晶闸管
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半导体技术 1996年 第1期 11-11页
作者： 盛荣
三菱电机公司研制采用６英寸片子的光晶闸管／ＧＴＯ晶闸管日本三菱电机公司研制成使用世界上最大直径６英寸片于的光晶闸管＂ＦＴ４０００ＦＵ－１６０＂和ＧＴＯ晶闸管＂ＦＧ６０００ＡＵ－１２０＂。由于这种产品是采用该公司的ＶＬ... 详细信息
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日本三菱电机公司背景资料
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家电科技 2000年 第9期 26-28页
1 公司概况二十一世纪即将来临,在高度信息化、市场全球化发展的同时,能源、环境问题也日趋显著,在世界范围内,社会、经济环境在急速的发生变化.
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三菱电机公司汽车数字处理中心DIATONE DA-PX1采用ADI SHARC处理器
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电子技术应用 2010年 第1期36卷 127-127页
DIATONEDA—PX1数字处理中心利用SHARC的高性能处理能力和精度来获得卓越的声音品质
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日本三菱电机公司成功地研制出最高速SRAM
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半导体技术 1997年 第6期 12-12页
日本三菱电机公司成功地研制出最高速ＳＲＡＭ日本三菱电机公司采用最新０．４μｍ的工艺，成功地研制出２５６ｋ位高速ＳＲＡＭ和１Ｍ位的高速ＳＲＡＭ，且已在市场上出售。一般，ＣＭＯＳ结构的ＳＲＡＭ在３．３Ｖ电压下，存取时间为... 详细信息
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三菱电机公司首先在业界确立采用InGaP HBT便携电话功率放大器的量产技术
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半导体信息 2003年 第1期 42-42页
作者： 盛柏桢
三菱电机公司在便携电话末端中首先在业界确立采用小型高性能、高可靠 InGaPHBT 的芯片量产技术。为了进一步推进 GaAs 系 HBT 的高速化、小型及低价格,已研制成把发射极材料从AlGaAs 改变成 InGaP 的 InGaP HBT。InGaP HBT
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三菱电机公司销售UHF频带用GaAsMMIC
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集成电路应用 1987年 第2期 38-38页
作者： 隋乾运
日本三菱电机公司开始出售具有指定性能的足以应用于电路上的宽带单片微波集成电路“MGF7000系列”。该产品是一种新设备所期待的,UHF带的宽带低噪声放大用器件,可广泛应用于12GHz直播卫星系统和各种通信系统、测量仪器等。这种GaAsSMMIC
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三菱电机公司生产10英寸TFT彩色液晶显示器
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光电子技术 1990年 第4期 84-84页
作者： 盛柏桢
日本三菱电机公司引入10英寸型 TFT(薄膜晶体管)液晶显示器的生产线。该公司10英寸的 TFT 处于实验室开发阶段,引入理想的生产线,目标在于确立批量生产技术。1990年内最早把大型画板制造装置引入该公司的工厂内。引入装置的投资约为100... 详细信息
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三菱电机公司采用高速写入方式试制出256k位EPROM
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微电子学 1986年 第1期 127-127页
作者： 松川
三菱电机公司使用2微米规范NMOS技术开发出了256kEPROM,现已开始出售样品。 EPROM是一种能够进行电写入并用紫外线照射而能擦除的非易消性存储器,尽管当初这种存储器作为程序调整用而被开发出来,但是,随着可靠性的不断提高,由于这种存... 详细信息
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三菱电机公司开发SIMOX门阵列
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微电子技术 1994年 第6期 60-60页
作者： 一凡
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