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学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 三栅场效应晶体管
  • 1 篇 ingaas材料
  • 1 篇 散射系数
  • 1 篇 总剂量效应
  • 1 篇 准弹道散射输运模...
  • 1 篇 量子电容
  • 1 篇 绝缘体上硅
  • 1 篇 赝金属氧化物半导...
  • 1 篇 特征长度

机构

  • 1 篇 深圳大学
  • 1 篇 复旦大学

作者

  • 1 篇 贺威
  • 1 篇 黄思文
  • 1 篇 刘诗尧
  • 1 篇 曹建明
  • 1 篇 李圣威

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=三栅场效应晶体管"
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三栅场效应晶体管（FinFET）电学特性的建模与仿真
三栅场效应晶体管（FinFET）电学特性的建模与仿真
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作者： 李圣威 复旦大学
学位级别：硕士
随着微电子技术的不断发展,场效应晶体管的尺寸已经缩短到了纳米尺度,电路的功耗问题、“短沟道效应”和器件中的量子效应成为制约集成电路发展的主要因素。为了降低电路的功耗并能够更好的抑制“短沟道效应”,InGaAs三栅场效应晶体管(F... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
三栅FET的总剂量辐射效应研究
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固体电子学研究与进展 2013年 第2期33卷 119-123页
作者： 刘诗尧 贺威 曹建明 黄思文 深圳大学电子科学与技术学院 广东深圳518060
通过对赝MOS进行不同剂量的辐射,得到不同辐射条件下赝MOS器件的I-V特性曲线,并通过中带电压法进行分析,得出在不同辐射下SOI材料的埋氧层中产生的陷阱电荷密度和界面态电荷密度参数。采用这些参数并结合Altal三维器件模拟软件模拟了硅... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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