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  • 1 篇 k·p
  • 1 篇 包络波函数
  • 1 篇 自发辐射
  • 1 篇 ⅳ-ⅵ半导体光学
  • 1 篇 pbte/cdte量子阱

机构

  • 1 篇 浙江大学

作者

  • 1 篇 徐天宁
  • 1 篇 吴惠桢
  • 1 篇 张磊
  • 1 篇 李家辉

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=Ⅳ-Ⅵ半导体光学"
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PbTe／CdTe量子阱光学性质的研究
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光学学报 2008年 第8期28卷 1565-1570页
作者： 徐天宁 李家辉 张磊 吴惠桢 浙江大学物理系
PbTe/CdTe量子阱是一类新型异系低维结构材料,实验观察到具有强的室温中红外光致发光现象。建立了理论模型,计算了PbTe/CdTe量子阱的自发辐射率和光学增益。模型中量子阱分立能级的计算采用k.p包络波函数方法和有限深势阱近似,考虑了PbT... 详细信息
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