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Design and optimization of a monolithic GaInP/GaInAs tandem solar cell

Journal of semiconductors 2010年第8期31卷 84-87页

作者：张汉陈诺夫汪宇尹志岗张兴旺施辉伟王彦硕黄添懋 Key Laboratory of semiconductor Materials Science Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences School of Renewable Energy Engineering North China Electric Power University National Laboratory of Microgravity Institute of MechanicsChinese Academy of Sciences

We have theoretically calculated the photovoltaic conversion efficiency of a monolithic dual-junction GaInP/GaInAs device,which can be experimentally fabricated on a binary GaAs *** optimizing the bandgap combination of the considered structure,an improvement of conversion efficiency has been observed in comparison to the conventional GaInP_2/GaAs *** the suggested bandgap combination 1.83 eV/1.335 eV,our calculation indicates that the attainable efficiency can be enhanced up to 40.45%（300 suns,AM1.5d） for the optimal structure parameter（1550 nm GaInP top and 5500 nm GaInAs bottom）,showing promising application prospects due to its acceptable lattice-mismatch（0.43%） to the GaAs substrate.

关键词： ⅲ-ⅴsemiconductor photovoltaic tandem solar cell theoretical efficiency

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