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主题

  • 1 篇 静态消光比
  • 1 篇 “双耗尽”有源区
  • 1 篇 电容
  • 1 篇 电荷层
  • 1 篇 rc常数

机构

  • 1 篇 中国科学院半导体...

作者

  • 1 篇 邵永波
  • 1 篇 王圩
  • 1 篇 邱应平
  • 1 篇 汪洋
  • 1 篇 周代兵
  • 1 篇 赵玲娟

语言

  • 1 篇 中文
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高速集总型双耗尽电吸收调制器的研制
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半导体光电 2011年 第6期32卷 789-792页
作者： 邱应平 汪洋 邵永波 周代兵 赵玲娟 王圩 中国科学院半导体研究所材料开放实验室 北京100083
设计并研制了一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽电吸收调制器(D-EAM)。同时,作为实验对照组,还制备了一种普通有源区结构的电吸收调制器(N-EAM)。两种器件的测试结果对比分析表明,D-EAM的电容明显要小于N-EAM。脊波... 详细信息
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